Электролит для осаждения по-КРыТий HA OCHOBE МЕди Советский патент 1981 года по МПК C25D3/58 

(54) ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ ПОКРЫТИЙ Изобретение относится к гальванос тегии, в частности к электролитическому осаждению полупроводниковых пок рытий типа медь-халькоген, например сплав медь-сера состава Cu2. S, . Известен электролит для осаждени покрытий типа медь-халькоген, например медь-селен, содержащий двухлористую медь, двуокись селена, хлори тый литий и муравьиную кислоту. Дан ный электролит позволяет получать п рытия хороиего качества толщиной до 30 мкм 1 . Однако полученная пленка является полупроводниковым соединением Cur.Se с шириной запрещенной зоны 1,2 эВ, что не позволяет получать максимальную фото-ЭДС при использовании ее для изготовления солнечных фотоэлементов. Более широкой запрещенной зоной обладает полупроводниковое соединение , использование которого в солнечных фотоэлементах более целесообразно. наиболее близким к предлагаемому по составу компонентов является электролит для оса вдения покрытий на основе меди, содержащий сульфат НА ОСНОВЕ МЕДИ еди, тиосульфат натрия, серную, кисоту и соединение никеля Г2 . Однако данный электролит предназначен для получения медного подслоя перед блестящим никелированием стальных изделий. Наличие в электролите меднения тиосульфата натрия приводит к образованию соединения Cu,S, но не в виде сплошной пленки,а в виде отдельных вкраплений в медное покрытие, являющихся центром кристаллизации со значительной примесью никеля. Такие покрытия могут быть использованы в полупроводниковой электронике . Цель изобретения - получение сплошного покрытия состава Cu,.S , где GiX.1, Указанная цель достигается тем, что электролит содержчт указанные компоненты при следумцём соотношении, моль/л: Сульфат меди0,4-0,5 Тиосульфат натрия 0,15-0,2 серная кислота1,5-2 Процесс осаждения проводят при 20-25 С, плотности тока 5-60 мА/см в течение 5-20 мин. В качестве катода используют платину, никель и нержавекадую сталь, в качестве анода - пла тину., Электролит обладает высокой элект ропроводностью, что очень важно для нормального проведения ,п оцеоса элёкт ролиза. Указанное количество серной кислс/ты является.оптимальнымдля обеспечения прочного сцепления покрытия с основой. Стабильность электролита 1-2 А-ч/л, рассеивающая способность измеренная по методу непосредственно го изучения распределения тока и металла на поверхности катода в электролизерах с плоскопараллельными электродами при расположении катодов на различное расстоянии от анода, 71,3%. Из электролита получают плотгше, блестящие (отражательная способность, .60%) покрытия толщиной до 50 мкм с удельным сопротивлением О,2 10 Ом«см и содержанием серы до 34% следующего состава; CuS, Cu., S r.. . ft в таблице приведены состав и режим электролиза предлагаемого электролита. Таким образом, предлагаемый электролит позволяет получать полупроводниковый сплав состава Си S в виде покрытий, имекнцих достаточно широкую ширину запрещенной зоны (1,62,0 эВ), что дает возможность использовать их в солнечных преобразователях и элементах Пс1мяти,