Способ очистки колб электронно-лучевых трубок Советский патент 1981 года по МПК H01J9/38 

(54) СПОСОБ ОЧИСТКИ КОЛБ ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВЫХ ТРУБОК

I

Изобретение относится к технологическим процессам производства электровакуумных приборов (ЭВП), в частности к процессам очистки внутренних поверхностей и покрытий электроннолучевых трубок (ЭЛТ) от инородных тел.

Известен способ очистки колб ЭЛТ ОТ: инороднь{х тел, включающий промьшку внутренних поверхностей колб чистой деионизованной водой. В данном способе вода как рабочий орган подается через штангу, вставленную внутрь колбы трубки, где разбрызгивается и, таким образом омывает внутренние стенки l .

Недостатками этого способа являются малая эффективность очистки, необходимость приготовления чистой денонизованной воды и невозможность его использования при обработке колб ЭЛТ с ранее нанесенными внутренними покрытиями.

Известен способ очистки колб электроннолучевых трубок, имеющих экранный

узел и горловину, включающий промывку колб газом с его эжекцией на выходе из колбы. В известном способе газ в колбу подают через штангу, вставленную внутрь трубки, причем струи газа направляют по нормали к внутренним поверхностям 2 .

Однако известный способ малоэффективен, что объясняется.динамикой газовых струй, схемой взаимодействия рабочего газа с частицами загрязнений. На частицы действует ударная нагрузкасила, направленная по нормали к поверхности колбы, которая может прижать частицу к колбе, нарушить ее контакт с поверхностью, но не способна обеспечить движение частицы в определенном направлении. Загрязнения перераспределяются в объеме колбы. При обработке по известному способу не выполняется принцип противотока, т. е. частицы загрязнений, оторвавшись с одного участка поверхности, могут попать на другой, ранее очищенный. Если обраба38тывать по известному способу ЭЛТ с naHeceHiftiMH экранными покрытиями и собранными экраномасочными узлами, то это приводит к забиванию отверстий маски, повреждению экранного покрытия, что снижает выход годных изделий. Цель изобретения - улучшение качества очистки и увеличение выхода годных колб электроннолучевых трубок, Поставленная цель достигается тем, что в -способе очистки колб электроннолучевых трубок, имеющих экранный узел и горловину, включающем промывк колб газом с его эжекцией на выходе и колбы, газовый поток направляют по спирали по внутренней поверхности кол бы от экранного узла к горловине. При этом газ подают под давлением 2-3 10 Па в течение 15-25 с. Причем газ подают импульсно с частотой 20-40 импульсов в минуту. Применение спирального потока газа направленного от экранного узла колбы к ее горловине с его эжекцией на выходе, приводит к процессу очистки, основанному на принципиально новой схеме распределения газовых потоков внутри колбы и взаимодействия рабочег газа с частицами загрязнений. В предлагаемом способе газовый поток направ ляется от оси колбы к ее стенкам. Он обладает высокой скоростью и большой кинетической энергией. Высокоэнергети ческий поток газа воздействует на час тицы загрязнений, лежащие на внутренней поверхности колбы. Сила воздействия имеет как нормальную составляющую вызванную центробежной силой потока, так и тангенциальную стабильную по своему направлению и способную вынести загрязнения к горловине колбы и че рез тубус с эжектором наружу. Таким образом, к любому участку обрабатываемой поверхности подходит чистый пото рабочего газа, который срывает частицы и уносит по спирали из объема колбы. Распределение скоростей газовьк потоков и давлений внутри колбы таково, что экранньш узел огражден от попадания на него инородных частиц и во обще от непосредственного воздействия газового потока. Частицы загрязнений него отсасываются, затем попадают в спиральный поток и выносятся из колбы На фиг. 1 показана схема очистки колбы по предлагаемому способу; на фиг. 2 - устройство для закручивания газового потока. 84 В устройстве реализующем предлагаемый способ, газовый 1 через штангу 2 и устройство 3 для его закручивания подается во внутренний обьем колбы 4. При выходе из устройства спираль раскручивается, образуя область 5 низкого давления. Через эжектор 6 газ удаляется из колбы. У экраномасочного узла образуются потоки 7 газа, направленные к устройству 3. Способ осуществляют следующим образом. Поток 1 газа вводится в устройство 3 по касательной к его стенкам, в результате чего образуется устойчивый поток, выходящий по спирали вверх. Выходя из устройства 3 поток газа сохраняет спиральный характер и имеет высокую кинетическую энергию, в то же время центробежная сила прижимает газ к стенкам, образуя вращающийся слой. Наличие повышенного давления внутри колбы за счет подачи в нее газа и эжектора 6 на выходе приводит к тому, что спиральный поток 1 стекает по стенкам колбы 4 к горловине с определенной скоростью. В устройстве 3 внутри спирального газового потока образуется область 5 пониженного давления. Так как торец устройства направлен к экраномасочному узлу, то в область 5 пониженного давления и в центральную часть устройства 3 затягиваются потоки 7 газа вместе с частицами загрязнений, находящимися на экране или маске. Здесь они подхватываются спираль|ным потоком 1 и затем выносятся из |колбы. Таким образом, предлагаемое изобретение позволяет проводить эффективную очистку всех поверхностей колбы электроннолучевой трубки, исключая вероятность попадания частиц загрязнений на экраномасочный узел. Очистку колб по предлагаемому способу целесообразно вести при подаче газа под давлением 2-310 Па в те-, чение 15-25 с, причем нижние пределы давления и времени обработки не зависят от типа или размера обрабатываемого изделия и применимы для любого типоразмера колб. Верхние же пределы режимов являются границей, после которой не происходит дальнейшего увеличения эффекта очистки при необоснованном увеличении расхода рабочего газа и времени обработки. Причем наибольшая эффективность очистки достигается, если поток I газа направлять импульсно с частотой 2П-40 импульсов в

58

минуту. Введение импульсного характера газового потока позволяет получить переменную динамическую нагрузку на частицы загрязнений, что улучшает качество очистки. Верхний предел частоты 40 импульсов в минуту объясняется тем, что при дальнейшем увеличении частоты улучшения очистки не происходит, так как импульсный поток приближается по своему характеру к постоямному. Нижний предел 20 импульсов в минуту является также той границей, после которой эффективность очистки така же, как и при обработке с постоянным спиральным газовым потоком.

Применение предлагаемого способа очистки позволяет эффективно очищать колбы ЭЛТ, не нарушая внутренние покрытия изделий. Предлагаемый способ позволяет снизить браки при производстве ЭЛТ в 1,5-2 раза. Анализ процесса очистки изделий по предлагаемому способу показывает, что он может быть применим к процессам очистки любых полых изделий и зффективность его остается на высоком уровне,

686Формула изобретения

Па в течение 15давлением 2-3 «10

25 с.

о т л и ч а ю щ и и с я тем, что газ подают импульсно с частотой 20-40 импульсов в минуту.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

кл. Н I О, опублик. 1972 (прототип).