Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы Советский патент 1981 года по МПК C23C11/02 B22F1/00 

Описание патента на изобретение SU863711A1

1

Изобретение относится к технологии нанесения покрытий, в частности к устройствам для нанесения покрытий из газовой фазы.

Известно устройство для нанесения покрытий из газовой фазы, содержащее реакционную камеру, подложку, нагреватель и генератор парогазовой смеси {1 .

Это устройство не обеспечивает .равномерную толщину покрытия вдоль подложки, а также однородность его состава и структуры.

Известно устройство для нанесения покрытий из газовой фазы, содержащее реакционную камеру, нагреватель, ге|Нератор парогазовой фазы и холодильник в форме змеевиков, расположен ных снаружи реакционной камеры 2.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому эффекту является устройство для нанесения покрытий из газовой фазы, содержащее реакционную камеру, нагреватель подложек, распределитель, парогазовой смеси, выполненный в виде полого цилиндра с отверстиями, и холодильник 3.

Указанные устройства обеспечивают равномерность толщины по длине подложки, однако не обеспечивают однородности состава и кристаллической структуры покрытия, так как при перемещении парогазовой смеси в реакционной камере вдоль подложки происходит изменение ее состава за счет расхода исходных веществ и накопления продуктов реакции, а также наличия градиента температуры вдоль под10ложки.

Целью изобретения является повышение однородности физико-химических свойств покрытия.

Поставленная цель достигается

15 тем, что в устройстве для нанесения покрытий из газовой фазы, содержащем реакционную камеру, нагреватель подложек, распределитель парогазовой смеси, выполненный в виде полого

20 цилиндра с отверстиями, холодильник размещен коаксиально внутри распределителя с зазором.

Кроме того, отверстия в распределителе расположены кольцевыми рядами

25 по его высоте.

На чертеже представлено устройство разрез.

Устройство содержит реакционную камеру 1, включающую кварцевый кол30пак 2 и шлиф 3. В реакционной камере

1 .расположены подложки 4 (аноды электродных ламп). Снаружи камеры 1 расположен нагреватель 5. На шлифе 3 закреплен генератор б парогазовой смеси, включающий корпус 7 с рубаш,кой 8 для прокачки теплоносителя 9, порошок карбонила вольфрама 10 и нагреватель 11 парогазовой смеси с каналами 12 для подачи паров карбонила вольфрама в распределитель 13 парогазовой смеси, выполненный в виде полого цилиндра, в боковой стенке 14 которого имеются сквозные отверстия 15. Внутри распред;елителя 13 коаксиально с ним расположен холодильник 16, выполненный в виде теплообменника типа труба в трубе.

Реакционную камеру 1 вакуумируют до давления мм рт.ст. Подложки 4 нагревают до 300 - З50с нагревателем 5. Затем нагревают порошок карбонила вольфрама 10 до 72°С. Пары карбонила вольфрама поступают в каналы 12 нагревателя 11 парогазовой смеси, где подогреваются до 200°С, JПIOCлe чего пары поступают в распределитель 13. Температуру холодильника 16 поддерживают равной 70°С Температуру стенки 14 распределителя 13 поддерживают равной температуре разложения карбонила вольфрама и составляющей . Температура стенки 15 определяется тепловыми потоками с подложек 4 и холодильника 16.

Благодаря высокой разности температур между стенкой 14 распределителя 13 и холодильником 16 в распределителе 13 пары карбонила вольфрама подвергаются интенсивному перемешиванию в объеме. Через отверстия 15 пары карбонила вольфрама опоступают в реакционную зону между подложками 4 и распределителем 13 Увеличение количества отверстий 15 и их диаметра по высоте распределителя 13 обусловлено градиентом давления в реакционной зоне. Таким образом, у наружной поверхности стенки 14 распределителя 13 имеет место равномерное распределение паров карбонила вольфрама.

Благодаря невысокой разности температур между подложками 4 и парораспределителем 13 конвективные потоки паров у поверхности подложек 4 незначительны, что обеспечивает

постоянство состава, структуры и толщины покрытия.

Температура подложки 4 может не более чем на 40% превышать температуру распределителя 13. Если температуры подложки 4 превышает более чем на 40% температуру стенки 14 распределителя 13, то равномерность осаждения значительно снижается из-за возникновения интенсивных конвективных потоков в объеме между распределителем 13 и подложками 4. Температура стенки 14 должна быть не больше температуры разложения карбонила вольфрама, так как в противном случае процесс разложения протекает

преимущественно на ее поверхности и внутри распределителя 13, а осаждение на подложки 4 неэффективно. Температура стенки 14 не должна быть меньше, чем 0,92 температуры

разложения парогазовой смеси, так как снижение разности температур между стенкой 14 распределителя 13 и холодильником 16 приводит к уменьшению конвективных лотоков в парораспределителе, что снижает однородность состава, структуры и равномерность толщины.

Формула изобретения

1.Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы, содержащее реакционную камеру, нагреватель подложек, распределитель парогазовой смеси, выполненный в виде полого цилиндра с отверстиями, и холодильник, отличающееся тем, что,

с целью повышения однородности физико-химических свойств покрытия, 0 холодильник размещен кОаксиально распределителя с зазором.

2.Устройство по п. 1, о т,,л ичающееся тем, что отверстия в распределителе расположены коаксие ально кольцевыми рядами по его высоте.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Осаждение из газовой фазы.

rt Под ред. К. Пауэлла и др. М., Атом издат, 1970, с. 205-207.

2.Авторское свидетельство СССР № 290064, кл. С 23 С 9/00, 1970.

3.Авторское свидетельство СССР № 494223, кл. С 23 С 11/02, 1974.

Похожие патенты SU863711A1

название год авторы номер документа
Реакционный аппарат для нанесения покрытий из газовой фазы 1981
  • Рычагов Александр Васильевич
  • Пискунова Тамара Семеновна
  • Сыцько Александр Андреевич
  • Беликов Владимир Никитович
  • Жучкова Валентина Кузьминична
  • Сурков Александр Николаевич
SU992611A1
Устройство для получения пленок 1989
  • Старостин Иван Архипович
  • Турецкий Александр Евстафьевич
  • Чебаненко Анатолий Павлович
  • Чемересюк Георгий Гаврилович
SU1726572A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ 1991
  • Конончук И.И.
RU2010043C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ 1992
  • Кулинченко В.А.
  • Масленников В.Г.
  • Новоселов С.А.
RU2049830C1
Способ нанесения металлическогопОКРыТия HA РАбОчую пОВЕРХНОСТьлиТЕйНОй фОРМы 1979
  • Серебряков Сергей Павлович
  • Руденко Владимир Андреевич
  • Сержантов Аркадий Михайлович
  • Баскаков Александр Александрович
SU846092A1
Способ осаждения вольфрамовых покрытий 1976
  • Королев Юрий Михайлович
  • Соловьев Виктор Федорович
  • Столяров Владимир Иванович
  • Рычагов Александр Васильевич
SU787490A1
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ВОЛЬФРАМОВЫХ СЛОЕВ 2011
  • Пикулин Игорь Валентинович
  • Домрачев Георгий Алексеевич
  • Объедков Анатолий Михайлович
  • Семенов Николай Михайлович
  • Каверин Борис Сергеевич
  • Ховрин Александр Николаевич
RU2495155C2
CVD-РЕАКТОР СИНТЕЗА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ 2021
  • Сурнин Олег Леонидович
  • Чепурнов Виктор Иванович
RU2767098C2
CVD - РЕАКТОР РУЛОННОГО ТИПА 2020
  • Смовж Дмитрий Владимирович
  • Маточкин Павел Евгеньевич
  • Безруков Иван Андреевич
  • Кривенко Александр Сергеевич
RU2762700C1
CVD РЕАКТОР РУЛОННОГО ТИПА ДЛЯ СИНТЕЗА ГРАФЕНОВЫХ ПОКРЫТИЙ НА ПОДЛОЖКАХ В ВИДЕ ШИРОКОЙ ЛЕНТЫ 2020
  • Смовж Дмитрий Владимирович
  • Маточкин Павел Евгеньевич
  • Безруков Иван Андреевич
  • Кривенко Александр Сергеевич
RU2760676C1

Иллюстрации к изобретению SU 863 711 A1

Реферат патента 1981 года Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы

Формула изобретения SU 863 711 A1

SU 863 711 A1

Авторы

Шаталов Станислав Михайлович

Радциг Никита Михайлович

Красовский Александр Иванович

Дмитриев Петр Алексеевич

Даты

1981-09-15Публикация

1978-05-04Подача