Легкоплавкое стекло Советский патент 1990 года по МПК C03C3/145 

Изобретение относится к технологии стекла и предназначено для защиты и герметизации керамических корпусов полупроводниковых приборов.

Цель изобретения - снижение диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь, тем- пературы размягчения и температурного коэффициента линейного расширения.

Сырьевые материалы: борную кислоту, глинозем, оксиды цинка, кадмия, теллура, марганца и фтористый свинец взвешивают на технических весах, тщательно перемешивают, засыпают в корун- дизовые тигли, которые загружают в электрическую печь. Скорость подъема температуры в печи 250°С/ч. Температура варки 850+10°С,

Сваренную стекломассу выливают на воду для получения гранулята, который высушивают и размельчают в порошок до требуемой тонины помола.

Конкретные составы стекол приведены в табл. 1.

Свойства стекол даны в табл. 2.

Как видно из табл. 2, данное стекло Характеризуется улучшенными значениями диэлектрических параметров: малым значением диэлектрической проницаемости (ниже на 40%) и низким тангенсом угла диэлектрических потерь (ниже на 60%). Хорошие диэлектрические свойства в сочетании с высокой химической устойчивостью позволяют стабилизировать параметры приборов

сл 00

о

СО

го

fc процессе эксплуатации в условиях флажной атмосферы.

Пониженная на 50°С температура начала размягчения стекол и ТКЛР, близкий к ТКЛР керамики, позволяют получить качественные покрытия по керамике при более низких температу- рах, что уменьшает дшЬфузию элементов ИС (алюминиевых выводов) в стекло.

Предлагаемое стекло экономически Эффективно, так как позволяет заме- йить дорогостоящий, остродефицитный

Формула изобретения

Легкоплавкое стекло, включающее PbO, , А1203, Zn О, о т л и - чающееся тем, что, с целью снижения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь, температуры начала размягчения и температурною коэффициента линейного расширения, оно дополнительно содержит CdO, TeO, Мп20,и F при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Изобретение относится к технологии стекла и предназначено для защиты и герметизации керамических корпусов полупроводниковых приборов. С целью снижения диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь, температуры начала размягчения и температурного коэффициента линейного расширения легкоплавкое стекло содержит, мас.%: PBO 40,5-45,0

B 2O 3 12,0-14,5

AL 2O 3 0,4-0,9

ZNO 19,0-20,5

CDO 10,0-15,5

TEO 2 2,5-4,5

MN 2O 3 0,5-4,5

F - 2,5-7,0. Температура начала размягчения 350-365°С

температура оплавления 390-400°С

ТКЛР в интервале 20-300°С α .(65-69) .10 -7 град -1

диэлектрическая проницаемость E при F=1 МГц 9,0-9,7

диэлектрические потери TGδ при F=1 МГц 10-13. 2 табл.

Температура начала размягчения, С Температура оплавления, °С

Температурный коэффициент линейного расширения в интерле 20-300°С, ot. 1CT7 Удельное объемное электрическое сопротивление, Г) у , Ом. см

Диэлектрическая проницаемость, Ј при f 1 МГц

365 400

355 395

69

65

67

5,7х

3,2х 10

9,7

9,0

9,5

Диэлектрические потери tg Ј при

f - t МГц13

Химическая устойчивость к воде (потери массы при кипячении в воде)0,06