Способ тепловой дефектоскопии изделий Советский патент 1981 года по МПК G01N25/72 

(54) СПОСОБ ТЕПЛОВОЙ ДЕФЕКТОСКОПИИ ИЗДЕЛИЙ

Изобретение относится к неразрушающему контролю изделий, а точнее к способам тепловой дефектоскопии, и может быть .использовано для обнаружения дефектов в изделиях из фотопроводников (фоторезисторы, фототриоды, солнечные батареи и пр,). Известен способ тепловой дефектоскопии, основанный на поверхностном нагреве изделия с последующим исследованием теплового поля поверхности изделия 1. Однако этот способ позволяет, в основном, обнаруживать только приповерхностные дефекты. Наиболее -близким к предлагаемому является способ тепловой дефектоскопии, основанный на внутреннем нагреве изделия путем пропускания через него электрического тока, регистрации распределения температуры поверхности изделия и суждении по ней о наличии дефектов 2. Однако известный способ не обеспечивает достаточно высокой выявляемости дефектов в изделиях из фотопроводников в случае близких значений электропроводности дефектных областей и материала изделия. Целью изобретения является повышение выявляемости дефектов в изделиях из фотопроводников. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу тепловой дефектоскопии, основанному на внутреннеем нагреве изделия путем пропускания через него электрического ток.а, регистрации распределения температуры поверхности изделия и суждении по ней о наличии дефектов, одновременно с нагревом изделие облучают светом, вызывающим изменение протекающего через изделие электрического тока. Поскольку дефектная область и материал изделия обладают различными фотоэлектрическими свойствами, то при облучении изделия светом, т.е. электромагнитными волнами в диапазоне 10-15000 нм, разница в электропроводности дефектных областей и материала изделия возрастает, что приводит к увеличению перепада температур в области дефекта и, тем самым, обеспечивает повыщение выявляемости дефектов. Пример 1. Проводят дефектоскопию батареи пленочных фотоэлементов из сульфида кадмия (солнечная батарея). Через фотоэлементы пропускают электрический ток силой 0,1 А и при этом их облучак т светом, вызывающим изменение протекающего электрического тока примерно в 1,5 раза, при освещенности, эквивалентной 100 мВт/см солнечного спектра. Распределение температуры регистрируют известным способом с помощью радиометра. Перепад температур в области обнаруженных дефектов (области нарушения качества контакта полупрозрачного электрода с пленкой сульфида кадмия) при дефектоскопии по предлагаемому способу в 2-2,5 раза превышает перепад температур в тех же областях в случае применения известного способа (без облучения светом). Пример 2. Проводят дефектоскопию керамических заготовок для пьезодатчиков из BaTiO. Через заготовки пропускают электрический ток силой 50 мкА и при этом их облучают светом от ртутной лампы ДРТ- 1000 при длине волны 100-600 нм. Перепад температур в области обнаруженных дефектов (включения двуокиси титана) при дефектоскопии предлагаемым способом в 2-5 раз превышает перепад температур в тех же областях в случае применения известного способа. Предлагаемый способ обеспечивает повышение выявЛяемости дефектов в изделиях из фотопроводников благодаря увеличению различия в электропроводности дефектных и бездефектных областей изделия. Причем с увеличением фоточувствительности материала изделия возрастает и выявляемость дефектов. Использование предлагаемого способа обеспечивает своевременную разбраковку изделий, что способствует увеличению сроков эксплуатации и надежности устройств, в которых используются контролируемые изделия из фотопроводников. Формула изобретения Способ тепловой дефектоскопии изделий, основанный на внутреннем нагреве изделия путем пропускания через него электрического тока, регистрации распределения температуры поверхности изделия и суждении по ней о наличии дефектов, отличающийся тем, что, с целью повышения выявляемости дефектов в изделиях из фотопроводников, одновременно с нагревом изделие облучают светом, вызывающим изменение протекающего через изделие электрического тока. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Неразрущающий контроль элементов и узлов радиоэлектронной аппаратуры. Под ред. Б. Е. Бердичевского. М., «Советское радио, 1976, с. 128-129. 2.Капиллярные и тепловые методы неразрушающего контроля. Под ред. А. К. Денеля, часть 2, «Тепловые методы, М., ОНТИВИАМ,, 1976, с. 47 (прототип).