Резистивный материал Советский патент 1981 года по МПК H01C7/00 

(54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

I

Изобретение относится к материалам, применяемым в радаодеталестроении, а именно к резнстивным сплавам, используемым для изготовления металлопленочных резисторов.

Известны в радиодеталестроении сплавы, содержащие кремний, железо, хром, никель, алюминий, вольфрам, применяемые как резисшвиые материалы для тонкопленочных резисторов 1.

Недостаток сплава - недостаточная адгезия к подложке.

Наиболее близким по технической сущности является сплав 2, МЛТ № 11, который содержит следующие ингредиенты, вес.%:

Кремний54 -57,0

Хром12,4-15,4

Алюминий12,4-15,4 .

Вольфрам14,7 -18,7

Этот сплав имеет кристаллическую структуру, используется в виде порошка с размером зерна менее 125 мкм.

Пленки сплава МЛТ № 11 при толщинах в пределах 0,1-1 мкм позволяют получить RO от 2000 до 20000 Ом при велидане « от

-6jf-i.

-250. до 400. резисторы МЛТ, изготовленные с использованием данного сшива в соответствии с ГОСТ 7113-77 имеют oR:

а)в области положительных температур ± 1000-Ю К-;

б)в области отрицательных температур ± 1200..

Недостатком известного материала является низкий выход годных изделий из-за некачест10венной адгезии металлизированного слоя к керамической подложке, вследствие чего на поверхности керамики на технологических операциях появляются царапины, риски, потертости.

Цель изобретения - повыщение термостаISбилънос-т и улучшение адгезии.

Поставленная цель достигается тем, что в сплав МЛТ № 11, в состав которого входят кремний, хром, алюминий, вольфрам, дополнительно введень ванадий и титан, при следу20ющих соотношениях ингредиентов, вес.%:

Кремний52,5-55,5

Хром11,5-14,5

Алюминий8,5-11,5

4,5-7,5

2,5-3,5

Остальное

ия резистивного материала гокомпонентов следуюшего со54

12,8 9,7

14,9 5,8 2,8

Плавка проводится в открытом индукторе высокочастотной установки в квардевом тигле. Полученный слиток измельчают в щековой дробилке и механической ступке до состояния порошка с размером зерна меньше 125 мкм. При проведении опытных работ по получению тонкопленочных резисторов с пленкой, полученной из данного порошка методом термического испарения в вакууме, получены следующие результаты;

Положительный эффект от использования предлагаемого резистивного материала состоит также в том, что его применение позволяет на существующем оборудовании наладить выпуск прецизионных резисторов, пользующихся значительным спросом.

Формула изобретения

Резистивный материал для металлоштеночвых резисторов, содержащий кремний, хром алюминий и вольфрам, отличающис я тем, что, с целью повышения термоста&1льности и улучшения адгезии, он дополнительно содержит ванадий и титан при следующем соотношении компонентов, вес.%:

Кремний52,5-55,5

Хром11,5-14,5

Алюминий8,5-11,5

Ванадий4,5-7,5

Титан2,5-3,5

ВольфрамОстальное

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

2.ГОСТ 7113-77 Сплав МЛТ-11 (протоиш),