Сегнетоэлектрический керамический материал Советский патент 1982 года по МПК C04B35/497 H01G4/12 

1

Изобретение относится к керамике и может быть использовано в радиоэлектронике, преимущественно для изготовления конденсаторов.

Известны сегнетоэлектрические материалы на основе ниобата свинца

l.

Недостатком указанных материалов

являются относительно высокие температуры обжига.

Наиболее близок к предложенному сегнетоэлектрический керамический материал , содержащий, мас.: РЬО68,33

ZiiO1,1

,Nb. 30,52

Этот материал имеет кристаллическую структуру типа пирохлора и следующие электрофизические характеристики:

Температура Кюри, С+80 Величина диэлектрической пр ницемости при комнатной температуре 200

Недостатками указанного материала являются относительно высокая температура спекания - до 1150°С, низкое значение диэлектрической проницаемости, невысокое значение температуры Кюри.

Цель изобретения - снижение температуры спекания и повышение диэлектрической проницаемости и точки Кюри.

Поставленная цель достигается тем, что известный сегнетоэлектрический керамический материал, содержащий РЬО, Nb2.0j и , дополнительно содержит ZrO при следующем соотношении компонентов, мас.%:

PdO67,0 - 69,0

,0 - 2,0

ZrOz0,1 - 0,5

Nb2.0jОстальное

В табл 1 представлены примеры се гнетоэлектри ческого керамического материала. в качестве исходных реактивов используют: PbCOg марки ч, Nb20 экстракционная и ионообменная. Все исходные смеси приготавливают смешиванием в течение 1 ч в фарфоровой ступке со спиртом. Первый обжиг проводят при 800 С (в муфельной печи с выдержкой в течение 2 ч при этой температуре. Второй обжиг - в аппарате высокого давления по обычной методике: доведение давления до значения Q - 80 кбар, включение нагре74вателя и нагрев образца до , вы- держка в течение 5 мин при этой температуре, отключение нагревателя и быстрое снижение давления. Полученные таким образом образцы имеют достаточно правильную форму диска и пригодны для проведения исследований их диэлектрических свойств. В табл 2 представлены характеристики электрофизических свойств сегнетоэлектрического керамического материала,f Таблица 1

68,33 68,33 68,33 67,00 69,00 Формула изобретения Сегнетоэлектрический керамический материал, содержащий РЬО, N6205-и ii20 , отличающийся тем, что, с целью снижения температуры

30,+3

0,1 0,3 30,23 30,03 0,5 30,30 0,5 0,1 29,90

Таблица 2 спекания, повышения диэлектрической проницаемости и точки Кюри он допол55 нительно содержит IrQz при следующем -соотношении компонентов, мас.%: ,РЬО67,0 - 69,0 Li2O1,0-2,0 5 NhoVn NbaOjОстальное Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 897757« 1. Т1атент США № 2731.19. кл. 252-62.9, 1956. kauu.moe л г фия. Т Г вы. i.. ГвзГ