Сегнетоэлектрический керамический материал Советский патент 1990 года по МПК C04B35/472 

Изобретение относится к сегнето- .электрическим (СЭ) керамическим материалам и может быть использовано в электронной технике.

Цель изобретения - повышение тем пературы Кюри.

Образцы изготавливают путем реакции в твердой фазе по технологии свинецсодержащей керамики.

Изготовление материала РЬ (Trng Nbj.. )05. В качестве исходных компонентов используют РЬО марки ч,, i TiOi марки ч.д.а. J марки ОСТ 48-205-81,Туо-ж марки ос.ч,

Для изготовления 100 г материала . берут следующие навески, г: РЬО 69,82; TiO 19,99; Tm-Oj 6,03; 1ПзуО$ 4,16. /

Синтез проводят при-800°С с вы- . держкой в течение 10 ч. Синтезированный материал растворяют в агатовой ступке в среде этилового спирта-и из порошка прессуют образцы диаметром 10 мм. Образцы спекают при в течение 4 ч. Как синтез, так и спекание образцов проводят в герметически закрытых тиглях в атмосфере ларов оксида свинца, создаваемой брикетами из цирконата свинца, кото- рые помещают в тигель вместе с образцами. Потери оксида свинца в образцах и открытая пористость практически отсутствуют.

Рентгенрструктурный анализ иссле- дованных образцов показал образова- ние ряда твердых растворов.

С5

о со

00

Измерения диэлектрической пр они цаемости и тангенса угла диэлектрических потерь выполнены на приборах (измеритель емкости цифровой) и МПЕ- (мост переменного тока). Погрешность измерения не превышала

eii%, ,i%.

: Температурные зависимости и tgo, измеренные в слабых полях при час ;тоге 1 и 5 кГц, показали, что дизлек 1тр 1ческая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь проходят чезез четкий максимум при С в зависимости от химического состава тв1 рдого раствора. При комнатной температуре наблюдаются петли

диэлектрического гистерезиса

(частота 50 Гц).

Вышеуказанного достаточно, чтобы идентифицировать твердые растворы

.(1-х) PbTmg g. , - X PbTiO, при X 60-95 мол.% как сегнетоэлек- трические.

5 В табл.1 приведены составы, в табл.2 характеристики материала.

Формула изобретения

10Сегнетоэлектрический керамический

материал, включающий РЬО, TiO,, NbjjOj., оксид лантаноида, о т л и чающийся тем, что, с целью повышения температуры Кюри, он со 15 держит в j a4ecTBe оксида лантаноида Tm/jiOj при; следующем соотношении компонентов, мас.%:

РЬО66,37-72,65

TiOa.14,25-24,70

20NbgOy1,08-7,91

TrajOj1,57-11,47

Т а б л и ц а 1

Изобретение относится к керамическим материалам с сегнетоэлектрическими свойствами и может быть использовано в электронной технике. Для повышения температуры Кюри сегнетоэлектрический керамический материал содержит в качестве лантаноида TM₂O₃ следующее соотношение компонентов, мас.% : PBO 66,37-72,65

TIO₂ 14,25-24,70

TM₂O₃ 1,57-11,47

NB₂O₅ 1,08-7,91. Материал получают по обычной керамической технологии путем двухстадийного обжига : синтез при 800°С 10 ч

обжиг при 1000°С 4 ч. Характеристики полученного материала следующие : Т_к (450-480)°С

ε в т. Кюри 3900-4000

ε при 20°С 110-125

TGδ при 20°С 1,8-2,2%. 2 табл.

Свойства М--2 М-3 М-4 j М-5 М-6 | Прототип

Т а б л и ц а 2