Резистивный материал Советский патент 1982 года по МПК H01C7/00 

Описание патента на изобретение SU911629A1

(54) РБЗЙСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Похожие патенты SU911629A1

название год авторы номер документа
Резистивный материал 1979
  • Пуронене Зинаида Михайловна
  • Красов Владимир Григорьевич
  • Колдашов Николай Дмитриевич
  • Турчина Галина Викторовна
  • Крылова Нина Архиповна
  • Поташникова Татьяна Петровна
SU834781A1
Материал для резисторов 1980
  • Пуронене Зинаида Михайловна
  • Красов Владимир Григорьевич
  • Турчина Галина Викторовна
  • Фомина Евгения Михайловна
  • Чигонин Николай Николаевич
  • Пушкина Галина Николаевна
  • Колдашов Николай Дмитриевич
  • Поташникова Татьяна Петровна
SU898517A1
Резистивный материал 1978
  • Красов Владимир Григорьевич
  • Турчина Галина Викторовна
  • Колдашов Николай Дмитриевич
  • Могилева Лариса Николаевна
  • Пуронене Зинаида Михайловна
  • Шутова Раиса Фроловна
SU706885A1
Резистивная паста 2017
  • Легошин Алексей Иванович
RU2669000C1
Резистивная паста 2017
  • Легошин Алексей Иванович
RU2668999C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СОСТАВ ПАСТЫ ДЛЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТОРА 2016
  • Сидоренко Феликс Аронович
  • Кротов Алексей Дмитриевич
RU2658644C2
Электропроводящая композиция 1990
  • Агафонов Андрей Владимирович
  • Фомина Евгения Михайловна
  • Азизбаев Евгений Хаметович
  • Данильченко Ирина Дмитриевна
  • Кутузов Михаил Кириллович
  • Кощиенко Александр Викторович
  • Подшибякин Сергей Васильевич
SU1728887A1
Ферритовый материал 1988
  • Глотов Владимир Георгиевич
SU1539849A1
Стекло, преимущественно, для защиты толстопленочных резисторов 1991
  • Андронов Борис Николаевич
  • Журавов Владимир Дмитриевич
  • Молотков Виктор Алексеевич
  • Шумовский Вячеслав Иванович
  • Шахов Николай Васильевич
SU1806106A3
Резистивная паста 1981
  • Безруков Владимир Ильич
  • Дубинина Маргарита Петровна
  • Голоденко Меланья Ефимовна
  • Самсонов Александр Тимофеевич
  • Воропаев Альберт Григорьевич
  • Писляков Александр Викторович
  • Петрова Валентина Захаровна
  • Шутова Раиса Фроловна
SU1005196A1

Реферат патента 1982 года Резистивный материал

Формула изобретения SU 911 629 A1

. Изобретение относится к электронной технике к может быть использовано для получения толстопленочных резисторов.

Известен резистивный материал,получаемый введением в стекло состава, мае. %| РвО 35-45 15-25;SiO2. 30-40| частиц двуокиси рутения, (1-30) и порошка пятиокисй ванадия

1-10Ь (11.

Недостатком данного материала является невозможность получения на его основе толстопленочных резисторов с сопротивлением ниже 200 OM/Q .

Наиболее близкю по технической сущности к предлагаемому является . материал для резисторов, содержащий, мае. %t двуокись рутения,(0,7-20), окись свинца (70-82), окись кремния

(9-23) Ш;

Недостатками этого материала являются высокое знг чеиие температурного коэффициента сопротивления (до 549-10i/C), и низкая (до 3%) стабильность сопротивления при повышенной влажности.

Цель изобретения - снижение тем;пературного коэффициента сопротивле«ия и улучшения стабильности резисторов.

Поставленная цель достигается тем, что материал для резисторов,содержащий окись свинца РвО, двуокись кремния SiOQ, двуокись рутения RuO,дополнительно содержит вольфрам и окись марганца с валентностью П,Ю или 1У при следующем количественном соотношении кс 4понентов мае. %:

10

Окись рвинЦа.(РвО) 35-70 Двуокись .кремния (SiOij) 10-17 Двуокись рутения (RuOn) 10-30 Вольфрам2,0-20

Окись марганца(с валент15ностью II,Ш или 1У) 1,0-10

введение в состав материала для резисторов окисного соединения мар2Q- ганца и металлического вольфрама позволяет получить толстопленочные резисторы в диапазоне сопротивлений от 50 «/Q до 5 кОм/а , не содержащие в составе драгоценного металла - серебра , имеющие стабильность параметров при длительном воздействии (в течение 30 суток) повышенной влажности (98%) не более ± 1%, а также выход годных резисторов 75-95% (в зависимости от величины сопротивления

30 резисторов).

Установлено, что при содержании в резистйвной композиции вольфрама менее 2 и более 20 мае. % и окисного соединения марганца менее 1 и более 10 мае. % температурный коэффициент сопротивления увеличивается,а стабильность резисторов снижается, «то вероятно вызвано образованием нестабильных соединений маташлического типа проводимости.

П р и м е р ы. Порошкообразные окись :свинца, окись кремния,двуокись рутения, двуокись марганца, порошок металлического вольфрама пцательно смешивают. Из полученной массы прес- суют таблетки, которые помечают в корундовый тигель и провоДят нагрвв

Предлагаемый

в муфельной печи при 900-г990 С в течение 0,5-10 ч, в результате нагрева происходит синтез рутенатов свинца и кремния. Синтезированный материал измельчают в планетарной мельнице Б течение Ю ч. Полученные мелкодисперсные порошки резистйвной композиции тщательно перемешивают с органической связкой, наносят на подлоки из керамики и выжигают в конвейерной печи при 800-850 С

Приготавливают три состава материала для резисторов. Соотношения исходных компонентов материала и электрофизические характеристики полученные резирторов приведены в таблице.

SU 911 629 A1

Авторы

Пуронене Зинаида Михайловна

Красов Владимир Григорьевич

Колдашов Николай Дмитриевич

Турчина Галина Викторовна

Фомина Евгения Михайловна

Чигонин Николай Николаевич

Поташникова Татьяна Петровна

Даты

1982-03-07Публикация

1979-09-28Подача