Резистивный материал Советский патент 1981 года по МПК H01C7/06 

(54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к электронной технике и может бытэ использовано для изготовления толстопленочных резисторов. Известен резистивный материал 1 содержащий мае.%: гидрооксихлорида рутения 2,2-19,25, свинцовоборосиликатного стекла 57,7-74,7 и органической связки 20,1-26,05. / Недостатком известного материала является узкая область сопротивлений толстопленочных резисторов на его основе (10-300 Ом/кВ) и высокие значения температурного коэффи1шента сопротивления (ТКС) (до 500-10 1 С Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является . резистивный материал f2, содержащий мас.%: двуокись рутения 0,7-20, окись свинца 70-82 и двуокись кремния 9-23. Недостатком известного резистивного материала является большая величина температурного коэффициента сопротивления (до 549- 10 1°С) и низкая (до 3%) стабильность сопроти ления при повышенной влажности. Цель изобретения - снижение вели чины температурного коэффициента co противления и повышение стабильности резисторов при повышенной влажности. Поставленная цель достигается тем, что известный -материгш, содержащий окись свинца, двуокись креьмния и двуокись рутения, дополнительно содержит окись меди при следующем количественном соотношении компонентов, масс.%: Окись свинца .70-80 Двуокись кремния10-25 Двуокись рутения3-10 Окись меди0,5-10 Введение в состав резистивного материала окиси меди позволяет получать толстопленочные резисторы в диапазоне сопротивлений от 5 ком до 1 МОм, имеющие стабильность параметров при длительном воздейст;вии CB течение 30 сут) повышенной влажности (98%) не более +1% и ТКС - не более IOO-IO I/С. : Порошкообразные окись свинца, двуокись кремния, двуокись рутения, окись меди тщательно смешивают. Из полученной массы прессуют таблетки. Таблетки помещают в корундовый тигель и проводят синтез в муфельной

печи при 950-990°С в течение 0,510-ти ч.

Синтезированный материал измельчают в планетарной мельнице в течение 10 ч. Полученные мелкодисперсные порошки резистивной композиции тщательно перемешивают с органическим связующим, наносят на подложки из керамики и выжигают в конвейерной печи при 8.0О-850с.

Готовят три состава предлагаемого резистивнрго материала .с различным содержанием исходных компонентов. Электрофизические характеристики поПредлагаемый

80

3 0,5 1000.000 70,2

4,2 0,6 176000

10 10 5000

70

Известный 15,0 74,0 11,0

263600

Формула изобретения

Резистивный материал, содержащий окись свинца, двуокись кремния, двуокись рутения, отличающийся тем, что, с целью снижения величины температурного коэффициента сопротивления и повышения стабильности резисторов при повышенной влажности, он дополнительно содержит окись меди при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:

лученных резисторов в зависимости от содержания исходных компонентов в резистивном материале приведены в таблице.

Из таблицы очевидно, что.величина температурного коэффициента сопротиления резисторов, изготовленных из резистивного материала, предлагаемого состава в 5-5,5 раз ниже величины температурного коэффициента сопротивления резисторов, изготовлент ных из известного резистивного материала, а стабильность параметров в 2-7 раз выше по сравнению.с известными толстопленочными резисторами

+0, 2

+0,18

+0,85

+1,5

Окись свинца70-80

Двуокись кремния 10-25

Двуокись рутения3-10

Окись меди0,5-10

Источники информации, . принятые во внимание при экспертизе

№ 491161, кл. Н 01 С 7/00, 05.11.75.

2,Патент.СИЛ № 3951672, кл. 106-53-78 (прототип).