Резистивный материал Советский патент 1979 года по МПК H01C7/00 

Описание патента на изобретение SU706885A1

(54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Похожие патенты SU706885A1

название год авторы номер документа
Резистивный материал 1979
  • Пуронене Зинаида Михайловна
  • Красов Владимир Григорьевич
  • Колдашов Николай Дмитриевич
  • Турчина Галина Викторовна
  • Крылова Нина Архиповна
  • Поташникова Татьяна Петровна
SU834781A1
Резистивный материал 1979
  • Пуронене Зинаида Михайловна
  • Красов Владимир Григорьевич
  • Колдашов Николай Дмитриевич
  • Турчина Галина Викторовна
  • Фомина Евгения Михайловна
  • Чигонин Николай Николаевич
  • Поташникова Татьяна Петровна
SU911629A1
Материал для резисторов 1980
  • Пуронене Зинаида Михайловна
  • Красов Владимир Григорьевич
  • Турчина Галина Викторовна
  • Фомина Евгения Михайловна
  • Чигонин Николай Николаевич
  • Пушкина Галина Николаевна
  • Колдашов Николай Дмитриевич
  • Поташникова Татьяна Петровна
SU898517A1
Резистивный материал" 1974
  • Болгарина Тамара Никитична
  • Фищева Тамара Леонидовна
SU491161A1
Резистивная композиция 1980
  • Минолгене Юрате Брониславовна
  • Симанавичене Виргиния Броневна
  • Садаускас Кестутис Витаутович
SU970484A1
ПАСТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 1989
  • Лисицкий В.В.
  • Измайлов Ш.З.
  • Шориков Ю.С.
  • Румянцева Е.А.
RU2033648C1
Резистивный материал 1982
  • Иванов Геннадий Михайлович
  • Юсов Юрий Павлович
  • Троицкая Ольга Анатольевна
  • Березина Вера Павловна
  • Павлоцкий Яков Вольфович
  • Ульянова Татьяна Петровна
  • Олеск Александр Освальдович
SU1048523A1
Резистивный материал 1974
  • Болгарина Тамара Никитична
  • Безруков Владимир Ильич
  • Шибалова Рогнеда Васильевна
SU495714A1
Способ изготовления толстопленочных резисторов 1982
  • Недорезов Валерий Григорьевич
  • Куренчанин Вячеслав Васильевич
  • Подшибякин Сергей Васильевич
SU1096701A1
Резистивный материал для тонкопленочных резисторов 1981
  • Слушков Михаил Григорьевич
  • Карпеченков Василий Иванович
  • Теплицкая Светлана Викторовна
  • Астров Евгений Иванович
  • Шоткин Юрий Аронович
SU1019500A1

Реферат патента 1979 года Резистивный материал

Формула изобретения SU 706 885 A1

, I ;.... .; Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для получения толстопленочных резисторов. Известен резистивный материал, содержащий вес. %: 35-45 РЬР. 15-25 , 30-40 SiO2 , 1-30 частиц двуокиси рутения и 1г-1О порошка пятиокиси ванадия fl. Недостаток такого резистивного материала состоит в невозможности получения на его основе толстопленочньк/ резисторов с сопротивлением ниже 200 OM/D . Прототипом изобретения является рези тивный материал, содержащий, вес. %: до 40 двуокиси рутения, до 25 порошка серебра, до 40 боросиликатного стекла и до 100 добавки окиси алюминия f2j. К недостаткам этого резистивного ма териала относятся узкий диапазон сЬпрЬт йения и низкая стабильность параметров при повыщенной влажности (до 2% в течение 30 суток при влажности 98%). Цель изобретения - расщирение диапазона сопротивления. Это достигается тем, что резистивный материал, включающий свинцовоборосиликатное стекло и двуокись рутения, до прлнительио содержит вольфрам при следующем количественном соотношении компонентов, вес. %: . . Свинцовоборосиликатноестекло25-95 Двуокись рутения4,5 - 7О Вольфрам0,2-20 Для получения реэистивного материала были подготовлены три смеси компонентов, содержащие каждая, вес.%: двуокись рутения 55; 5; 5О, порошок металлического вольфрама 20; 0,2; 10 и свинцовоборосиликатное стекло (PtO р5, Вр 10- SiOll S AtgO 5, IhO 5) 25; 94,8; 40. Каждую смесь тщательно перемешивают с органической связкой (ланолин), наносят на подложки из керамики 22хС и обжигают при температуре 85О С.

3 . .. .70688 ; .1 ;

Полученные на основе этого матери- характеристики, пренстввлоиныо в табала резисторы имеют элек-ррофиаическиелше.

Стекло 25

ДЙЗЙокись рутения 55 Вольфрам 20

3,5

Рёэирстивный материал поаболяет прп учать толстопленЬчные резисторы с yiaenbHbiM сопротивлением от 3,5 Ом/п до 1,О Мрм/р со стабйльностыЬ йараметрбв при воздействии повьпценной . (9JB%) влажности не хуже +1,6% и BbixbiflOM .годных резисторов 75-95%

ИспольдЙВаниё ||№1Ййтивн6го материал позволит рйсшир ить область применения трлстопленочнБ1х элёмёнтгоЬ при пр8й(эводстВа изделий радиЬэлект|ронной Шйаратлры различного назначения. Ф б р мула и 3 о 6 JD е т е я и я

Рёзцстивный материал, включающий свинновоборЬсилйкатноё стекло и двуЬкис

4-84

95

±0,8

рутения, о т л и ч а ю щ и и с я , что, с целью расширения Диапазон сопротивления, он дополнительно содержит вольфрам при ел еду ю1цем количественном соотношений компонентов, вес.

Свинцовоборосиликатное

стекло25-95

Двуокись рутения4,

Вольфрам.0,2-20

Источники информации, . принятые во внимание при экспертизе

1 i Патент США № 4ОС)6278. кл. 428-427, опублик. 1977.

2. ПатёйтФРГ № 2539181, кл. Н 01 С 7/Об, опублик. 1977.

SU 706 885 A1

Авторы

Красов Владимир Григорьевич

Турчина Галина Викторовна

Колдашов Николай Дмитриевич

Могилева Лариса Николаевна

Пуронене Зинаида Михайловна

Шутова Раиса Фроловна

Даты

1979-12-30Публикация

1978-07-03Подача