Материал для резисторов Советский патент 1982 года по МПК H01C7/00 

(54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ РЕЗИСТОРОВ

Изобретение относится к электронной техник е и может быть использовано для получения толстопленочных резисторов. Известен резистивный материал, содерж1щий мас.%: гидрооксихлорид рутения 2,2-19,25, . свинцовоборосшшкатное стекло 57,7-74,7 и ор ганическая связка 20,1-26,05 1. Недостатком данного материала является невозможность получения на его основе толсто пленочных резисторов с сопротивлением выше 300 Ом/кВ и высокие значения температурного коэффициента сопротивления (ТКС) (до 500-10- ). Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является материал для резисторов, содержащий окись свинца, двуокис кремния, двуокись рутения 2. Недостатком этого материала является высокое значение температурного коэффициента сопротивления (до 560-10 1/°С) и низкая (до 3%) стабильность сопротивлегшя при повьциеннсш влажности. Целью изобретения является снижение температурного коэффициента сопротивления и улучшение температурной стабильности резисторов при повышенной влажности. Поставленная цель достигается тем, что материал для резисторов, включающий окись свинца, двуокись кремния, двуокись рутения, дополнительно содержит окись индия при следующем количественном соотношении, мас.%: Окись свинца РЬО65-82 Двуокись кремния SiOj 9,5-23 Двуокись рутения RuOj 2,0-8,0 Окись индия 1п2Оз0,5-20 Введение в состав материала для резисторов окиси индия позволяет получать толстопленочные резисторы в диапазоне сопротивлений от 1 мГОм до 20 мГОм, имеющие стабильность параметров при длительном воздействии (в течение 30 сут) повыщенной влажности (98%) не более ±1% и ТКС не более 100-10- . Пример. Порошкообразные окись свинца, двуокись кремния, двуокись рутения, окись индия тщательно смешивают. Из полученной массы прессуют таблетки. Таблетки помещают в корундовый тигель и проводят синтез в муфельной печи при 950-990° С в течение 0,5-10 ч.

/

Синтезированный материал измельчают в планетарной мельнице в течение 10 ч. Полученные мелкодисперсные порошки резистивной композиции тщательно перемешивают с оргаИз таблицы следует, что предложенный м териал при указашй1х соотношениях компонентов позволяет получать резисторы с темпе ратурным коэффициентом сопротивления в 5,6 раза ниже и стабильностью в 2,8 раза вы ше, чем у известного. Предложенный материал позволяет заменить известные материалы на основе серебра палладия. Использование предложенного материала увеличивает выход годных толстопленочных злементов и улучшает параметры резисторов. Формула изобретения Материал для резисторов, содержащий оки свинца, двуокись крелшия, двуокись рутения,

нической связкой, наносят на подложки из керамики 22ХС и вжигают в конвейерной печи при 800-850°С. Приготовляют четыре состава предлагаемого материала для резисторов. Соотношения исходных компонентов материала и электрофизические характеристики полученных резисторов приведены в таблице. отличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления и улучшения температурной стабильности резисторов при повышенной влажности, он дополнительно содержит окись индия при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%: Окись свинца РЬО65-82 Двуокись кремния ,5-23 Двуокись рутения RuO22,0-8,0 Окись индия 1п20з0,5-20 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № 491161, кл. Н 01 С 7/00, 05.11.75. 2.Патент США N 3951672, кл. 106-53, 20.04.76 (прототип).