Эмалевый шликер Советский патент 1982 года по МПК C03C7/04 

(54) ЭМАЛЕВЫЙ ШЛИКЕР

1

Изобретение относится к изготовлению электроизоляционного покрытия, а именно опя изготовления циэлектрнческих слоев электролкямп1несцентных приборов, в HaCTHoctH экранов памяти.

По основному авт. св. № 833618 известен шшикер, содержащий, вес. ч. фрктта 1ОО, двуокись титева 25 - 7О, бутиловый спирт 125-15О. Шликер наносят методом пульверизации в два слоя с промех точными сушкой и обжигом каж дого .

Недостатком этого состава является . ванесеюю диэлектрических слоев эмали в два приема с промежуточными сушкой и обжигом каждого слоя. того, формирование двух тонких слоев эмал требует применения специальных пульверизаторов тонкой оптической настройки, очень капризных в работе. Трудно конт роляровать толщину получаемого покр1 тия в момент нанесения. Шликер не осаж-. дается эпектрофоретически, так как чаотипы стекла в шликере не имеют собст венного заряда.

Целью изобретения является упроше ние технологии получения тонкослойного диэлектрического покрытия.

Цель достигается тем, что эмалевый шликер .дополнительно содержит этнленполиаминВ количестве 0,43-1,25, вес.ч.,

Шликер готовят следующим обрсиэом.

10

Фритту и двуокись титана реиэмалывают в шаровой мельнице и шарами в среде изопропилового спирта или этилового спуфта в течение 16-18 ч. Олесь жают, сушат при 6О-7О С и спекают в кварцевом сосуде при 7ОО С в течение 20 мин. Полученный спек вновь размалывают в шаровой мельнице с шарг)ми в среде бутилового спцрта с добав20кой полиэтиленполиамиш. После размола суспевзяю выгруткают, фильтруют ч рез капроновое сито от посторонних включе нкй и осаждают алектрофоретически на

стальные пооготовленмые поо и1влировв иве шшствны. Осажпенне ведут иа - полюс при налряженносгв поля 10О2ОО В/см в течение нескольких секунд в свстеме плоскопараллельных электродов. Пощзытие сушат прк 2( в оплавляют Получают равородное покры тве требуемой толшвны за одвн прием, так как толшвна регулируется напряжеввем, подаваемым на электроды, в временем осажденвя покрытвя.

& табл. 1 представлен состав эмалв вых шлнкеров.

Таблвца

В предлагаемых ищвкерах применена фритта состава, вес. % Si 02 5, ,O, .O; биОг ОД 5; СаО 4,0. .

eaF2.4,O,Zn017,, 8,О. , К 8,0.

В качестве фритт Morjrr быть также использованы следующие составы, вес. %Г. 8-2 з; T-f Оз 19-24; N ааР 27-31; Ва2Рз8-12; 5t,p5 О,5-1,5; 6-9, lliO 3-6; 2-4, И. P/tOg 3, ,. 35; T-tOaia; %Q% 22, AEpj 3, MgO 0,1,- KagO 15; K. 2; Ы.О I,. . РдОу l,5-4,6-i02l4-27,5;Ti62.27,5-3O,S,: Bip 1,5-3, ABjjd 1,5-3; StyP3O,5-2; SrQ 0,5-8,5, Ьчзр O,5-l,5,Nai) 2O-25; КЮ .

Продолжение табл. 1

Кз указанных составов эмалевых шлвкеров формвруют покрытие методом электрофореза при следующем режиме: напря .женве на электродах 4ОО В, расстояние между электродами в ванне 3 см, осаждение ведут 1О-15 с. Покрытие извлекают из ванны, сушат при 20-60 С и обжигают при 65О-700 С в течение 1 мин Получают равномерное по толпгане плотнЬе покрытие, обеспечивающее диэлектрические характеристики для электролюминесцентных прнборов. СвЪйства полученных покрытий 1ч едставлены в табл. 2.

Т. аблица2

Примечание полвэгешенполвамвна в качестве зарядчика частиц спека стекла с T-fO2 поовопяет получвть днэлелтричеокие покрытия для элёктролюмвнеспевтвых приборов методом электрофореза. Покры тия получаются за один првем против двух при Использовании метода пульв ризаиии. Толшина покрытия регулируется осаждения или напряженностью электрического поля. Исключается вримонение специальных пульверизаторов тов.кой оптической настройкв, очень капризных в работе. Исключается также операция, требующая высококвалифнпированного навыка в работе, со специальными пульверизаторами.

5 &:t2702,,6

Формула R 3 о б p e т e в в я iполнэтвпенполиамин в - колпестте О,4а

Эмалевый шлнкер, /по авт. св.1,25 вес. ч.

№ 833618, отличающейсяИсточники информации,

тем, что, с целью упрощения теАНологиипринятые во внт.«анМ1в при экспертизе

получения тонкослойного аиэлектрическЬ-$ 1- Авторское свиаетельство СССР

то покрытия, он аопрпннтёльно соо жит№ 833618, кл. С ОЗ С 7/О4,.1978.