Способ химической полировки монокристаллов титаната стронция Советский патент 1982 года по МПК C30B33/00 C30B29/32 

Описание патента на изобретение SU912778A1

(54) СПОСОБ ХИМИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ТИТАHATА СТРОНЦИЯ

Похожие патенты SU912778A1

название год авторы номер документа
Состав для очистки поверхности монокристаллов титаната стронция 1981
  • Смирнова Галина Терентьевна
  • Мосевич Андрей Николаевич
  • Кудряшова Галина Николаевна
  • Лихолетов Юрий Васильевич
SU998601A1
Состав для очистки поверхности монокристалла титаната стронция 1983
  • Кудряшова Галина Николаевна
  • Корнюкова Татьяна Анатольевна
  • Лебедев Олег Андреевич
  • Левина Людмила Евдокимовна
  • Лихолетов Юрий Васильевич
  • Мосевич Андрей Николаевич
  • Смирнова Галина Терентьевна
  • Чурганова Серафима Сергеевна
SU1112008A1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА 2005
  • Аленков Владимир Владимирович
  • Мацак Андрей Николаевич
  • Сахаров Сергей Александрович
  • Давыденко Александр Владимирович
RU2301141C1
Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца 1982
  • Туманян Константин Мнацаканович
  • Баграмян Овик Арамаисович
SU1082874A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ПЕРЕХОДА ДЖОЗЕФСОНА 1996
  • Балбашов Анатолий Михайлович
  • Венгрус Игорь Иванович
  • Снигирев Олег Васильевич
  • Ковьев Эрнст Константинович
  • Куприянов Михаил Юрьевич
  • Поляков Сергей Николаевич
  • Парсегов Игорь Юрьевич
RU2105390C1
СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА ПОДЛОЖКИ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ И ПОДЛОЖКА КАРБИДА КРЕМНИЯ 2018
  • Нагасава, Хироюки
  • Кубота, Йосихиро
  • Акияма, Содзи
RU2756815C2
Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца 1982
  • Туманян Константин Мнацаканович
  • Геворкян Марат Мовсесович
  • Восканян Ромео Ервандович
SU1082875A1
БУЛЯ НИТРИДА ЭЛЕМЕНТА III-V ГРУПП ДЛЯ ПОДЛОЖЕК И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ 2001
  • Водоу Роберт П.
  • Флинн Джеффри С.
  • Брандз Джордж Р.
  • Редуинг Джоан М.
  • Тишлер Майкл А.
RU2272090C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ С ВЫСОКОУПОРЯДОЧЕННОЙ ПОРИСТОЙ СТРУКТУРОЙ И СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАССИВОВ АНИЗОТРОПНЫХ НАНОСТРУКТУР НА ЕГО ОСНОВЕ 2010
  • Напольский Кирилл Сергеевич
  • Елисеев Андрей Анатольевич
  • Росляков Илья Владимирович
  • Лукашин Алексей Викторович
  • Третьяков Юрий Дмитриевич
RU2555366C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТОЙ СТРУКТУРЫ НА ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ГЕРМАНИЯ 2023
  • Третьяков Сергей Андреевич
  • Иванова Александра Ивановна
  • Каплунов Иван Александрович
RU2813191C1

Реферат патента 1982 года Способ химической полировки монокристаллов титаната стронция

Формула изобретения SU 912 778 A1

.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть ис« пользовано, например, для и;зд;отовпёния нелинейных конденсаторов, работающих прп криогенных температурах.

Известен способ обработки поверх нести монокристаллатитаната ctpouKtut с плоскостью ориентации (ЮО) раствором едкого кали при 410-7tO°C М.

Недостатком известного спосЬба яв- ляется невозможнсють осуществления полировки поверзшости, так как раствор ок 1зывает травящее воздействие.

Наиболее близким к тфедлагаемому является способ химической полировки моно1фисталлов титаната бария, включа юший обработку кристалла нагретым раоtэQp м ертзфшф нзй кнбпбтм м@щяваннй t23

М@в@@та кем §т@Г€ @ Ш€@@§ ei e@fea те, что @н яримевим теяькв акя течечи

ной обработки Кристалла и не позволяет достигать высокой чистоты обработки поверхности.

Цель изобретения - повыщение чистоты 1обработки поверхности.,

Поставленная цель достигается тем, что химическую noniqaoBKy монокрис таллов тотаната стронция с плоскостью орие}ггаиии (ЮО) осуществляют 70- . 87 вес.%-ным водным раствором орт« фосфорной кислоты, нагретым до 180200С, в течение 20-25 мин гря ращения 7ОгвО об/мин.

to

Пример. Проводят полировку поверхности монокристалла tHTaHaTa строи- дня c.juiocKocTbra орневтацив (10О) фосфорной кислотой разной концентрации при 18О-20О С, время обработки 2О-25 мин.

IS

лРезультаты пол1фовки хфедставлены в

т§бввд§,

Ksieefsease swifffy §%ilefRH neeepj ш@7Я , шй@рф(Щ1;вшым

Ч@@1ШМ Mef@||@M и М@тед@М ), Последний показал, что травление поверхности кристалла щюведено полностью. Вид электронеграм мы соответствует электронограмме, которая получена с иоверхлости, имеющей атомарные гладкие участки.

Применение предлагаемого способа химической полировки обеспечивает высокую чистоту обработки поверхности, гфостоту технологического цикла, т.е. более высокую температуру травления, высокую вос1фоиаводимость параметров. Кроме того

формула изобретения , Способ химической полировки моно«кристаллов титаната стронция с плоскоетью ориентации (ЮО), включающий обработку поверхности нагретым раствором ортофосфорной кислоты Щ)Н вращении, ОТ личающийся тем, что, с целью повышения чистоты обработки поверхности, 1роцесс осуществляют 7 087%-ным (вес.) водным раствором ортоколебаний температуры порядка ыескол. ких градусов в гфоцессе обработки Крис- тагша не влияют на результат попирукх щего травления.

Нелинейные конденсаторы, созданные на основе монокристаллов титаната стронция, обработанных предлагаемым способом, существенно повысили диэлектрические характеристики и стабильность.

фосфорной кислоты, нагретым до 18О200°С в течение 2D-25 мин и при враще1ши со скоростью 70-80 об/мин.

Источники информации, гринятые во внимание при экспертизе

1 .UH.,j.o AmerUdn Cerci,ыс. soc., l«bb,.C02, Хирщ П. Электронная, .-микроскопия тонких кристаллов. М.,Л1ир, 1968, с. 478 (прототип),

SU 912 778 A1

Авторы

Зайончковский Александр Яковлевич

Кудряшова Галина Николаевна

Левина Людмила Евдокимовна

Лихолетов Юрий Васильевич

Мосевич Андрей Николаевич

Даты

1982-03-15Публикация

1979-12-10Подача