Раствор для травления металлов Советский патент 1982 года по МПК C23F1/00 C09K13/06 

Описание патента на изобретение SU950799A1

(54) РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ

Похожие патенты SU950799A1

название год авторы номер документа
Раствор для фотохимического фрезерования меди и медных сплавов 1987
  • Чебунин Александр Николаевич
  • Киселев Аркадий Александрович
  • Смирнов Виктор Васильевич
  • Казина Светлана Владимировна
  • Степанов Евгений Геннадьевич
  • Смирнова Елена Алексеевна
SU1458430A1
Раствор для травления резистивных сплавов 1978
  • Сучкова Людмила Александровна
  • Руденко Татьяна Валентиновна
  • Клименко Наталия Аркадьевна
  • Черкашина Нина Егоровна
SU777887A1
СПОСОБ ИЗБИРАТЕЛЬНОГО ТРАВЛЕНИЯ СТАЛИ 2018
  • Каплунов Сергей Геннадьевич
RU2709558C1
Раствор для избирательного травления меди 1982
  • Курмашев Виктор Иванович
  • Грицай Степан Петрович
  • Гурский Михаил Семенович
  • Тучковский Александр Константинович
  • Рябов Леонид Петрович
SU1151594A1
Раствор для избирательного травления 1976
  • Сучкова Людмила Александровна
  • Руденко Татьяна Валентиновна
SU608850A1
Раствор для травления тонкопленочной структуры титан-алюминий 1981
  • Казанцев Станислав Филиппович
  • Калинина Елена Васильевна
SU968098A1
Раствор для травления сплавов 1986
  • Гусева Людмила Дмитриевна
  • Золотова Валентина Федоровна
  • Енученко Ирина Дмитриевна
SU1468967A1
СТАБИЛИЗАТОР ДЛЯ КИСЛЫХ ПЕРЕКИСНЫХ ТРАВИЛЬНЫХ РАСТВОРОВ 1996
  • Гуськов В.А.
  • Шишкаева Р.Ф.
  • Мурина А.Ф.
  • Якушева И.П.
RU2106297C1
Раствор для размерного травления 1981
  • Гордина Любовь Сергеевна
  • Якунина Елена Владимировна
  • Орлова Наталия Владимировна
SU990872A1
Способ изготовления печатной формы для офорта 2019
  • Каплунов Сергей Геннадьевич
RU2722966C1

Реферат патента 1982 года Раствор для травления металлов

Формула изобретения SU 950 799 A1

Изобретение относится к химическому травлению металлов и может быть использовано в производстве изделий микроэлектроники, в частности при изготовлении тонкопленочных схем.

Известен раствор для травления системы ванадий - медь - никель, содержащий следующие ингредиенты, г/л:.

Азотная кислота

(HNOj)670-880

Кремнефтористоводородная кислота

()400-500

при объемном отношении первого компонента ко второму 1S (15-20) Cl Однако известный раствор растворяет эти пленки неравномерно по всему полю, а входящая в его состав кремнефтористоводородная кислота разрушает поверхность ситалловой подложки. В результате неравномерности травления в этом растворе с некоторых участков металл удаляется быстрее, чем с других, и идет повреждение ситалла.

Подтравливая ситалл, травильный раствор проникает под пленку системы ванадий - медь - никель и вызывает подтравливание крйев элементов схемы, что приводит к увеличению клина травления, а следовательно , к уменьшению выхода годных схем.

с Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является раствор для травления металлов/например меди, содержащий минеральную кислоту, в частности ную, перекись водорода, желатину и воду 2.

Однако травление многослойной систе№1 в этом растворе происходит . неравномерно.

15

Целью изобретения является достижение равномерности травления.

Для достижения поставленной цели предлагаемый раствор дополнительно содержит тиомочевину и гекса20метилентетрамин, а в качестве минеральной кислоты - смесь азотной и соляной кислот при следующем соотношении компонентов г вес.%: Азотная кислота (HNOj)

25 (d 1,14)26-30

Соляная кислота (НС1) (d 1,19)5-8

Перекись водорода (,) (d 1,11)10-14

Тиомочевина (NH.2CSNH2) 4-6

30

Гексаметилентехрамин

()0,5-2

Желатина (4%-ный

раствор)25-32

ВодаОстально

При введении соляной кислоты и перекиси достигается равномерное и полное травление слоев меди и ванадия .

Тиомочевина вводится в раствор, как пассивирующая добавка, уменьшающая боковое подтравливание, так как в.процессе травления медь окисляется, образуя двуххлорвс ую медь (CuCl). Тиомочевина реагирует с образующейся двуххлористой медью и образует нерастворимую гелеобраэную пленку на боковых торцах меди, что препятствует дальнейшему травлению слоев

CuCl2 + (ЫН4) NHjNHSCu + НС

Гексаметилентетрамин вводится в раствор, как неиониэирующий ингибитор, который уменьшает диссоциацию

ионов, что приводит к замедлению процесса травления.

При добавлении в раствор желатины уменьшается подвижность диссоциированных ионов, увеличивается смачиваемость поверхности пленки за счет уменьшения поверхностного натяжения раствора,- что способствует более равномерному процессу травления и уменьшению степени растравливания.

Проводится химическое травление трехслойной системы ванадий - медь никель. В качестве защитного сг.оя применяется фоторизист ФП-РН-7. Температура травления комнатная.

После травления подложки тщательно отмывают . Процесс травления протекает равномерно, происходит полное вытравливание слоев без повреж.дения ситалловой подложки.

Составы травильных растворов и результаты травления приведены в таблице. Из проведенного эксперимента видно , что предлагаемый раствор обеспечивает одно из важнейних требований процесса травления - наименьшую степень растравливания. Формула изобретения Раствор для травления металлов, преимущертвенно, многослойной систе мы ванадий - медь .никель, содержа 1Щ1Й минеральную кислоту, перекись водорода, желатину и воду, о т л и чающийся тем, что, с целью достижения равномерности травления, он дополнительно содержит тиомочеви ну и гексаметилентетрамин, а в качестве минеральной кислоты - смесь азотной и соляной кислот при следую тем соотношении компонентов, вес.%: Азотная кислота (d 1,14)26-30 Соляная кислота (d 1,19)5-8 Перекись водорода (d 1,11)10-14 Тиомочевина4-6 Гексаметилентатрамин 0,5-2 Желатина (4%-ный раствор)25-32 ВодаОстальное Источники информации , нятые во внимание при экспертизе 1.Николаева В.А,, Макарова Л.Н. ективное травление ванадий - медьелевых пленок. - Обмен опытом в иопромышленности, 1976, № 2, 49. 2.РЖ. Коррозия и защита от кории, 1980, №.8, К257П.

SU 950 799 A1

Авторы

Сучкова Людмила Александровна

Руденко Татьяна Валентиновна

Кирикеш Людмила Сергеевна

Даты

1982-08-15Публикация

1980-12-22Подача