Раствор для избирательного травления Советский патент 1978 года по МПК C23F1/02 

(54) РАСТВОР ДЛЯ ИЗБИРАТЕЛЬНОГО ТРАВЛЕНИЯ

1

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для получения микросхем методом фотолитографии.

Известен раствор для избирательного травления, содержащий компоненты в следующих количествах, л:

Плавиковая кислота0,1-0,2

Азотная кислота0,05-0,1

Фтористый натрий

(насыщенный раствор) 0,01-0,02. Селективное травление тонких пленок, имеющих в качестве защитного слоя позитивные фоторезисты на основе нафтохинондиазидов следует проводить в кислотных травителях при температурах, не превышающих 40- 50°С 1.

Однако применение вышеуказанного травителя снижает качество получаемых микросхем, так как входящий в состав травильного раствора фтористый натрий при гидролизе образует гидроокись натрия, что приводит к растворению фоторезистов па основе нафтохинондиазидов.

Входящая в состав травителя азотная кислота пассивирует хром, в результате этого резистивиый слой трудно поддается травлению при температуре 20-40°С.

Увеличение температуры травления приводит к очень быстрому растрескиванию фоторезиста, а следовательно, к нарушению целостности схемы.

Известен раствор для избирательного травления, преимущественно рсзнстивных пленок, с использование фоторезиста на основе нафтохинондназидов, содержащий плавиковую и соляную кислоты и воду 2.

Однако известный раствор достаточно агрессивен но отношению к фоторезисту и имеет недостаточно высокую равномерность травления.

Цель изобретения - снижение агрессивности раствора по отношению к фоторезисту и повышение равномерности травления достигается тем, что раствор, содержащий плавиковую и соляную кислоты, дополнительно содержит двууглекислый аммоний и поверхностно-актнвпое вещество ОП-7 при следующем количественном соотношении компонентов, вес. %:

Плавиковая кислота5-15

Двууглекислый аммоний2-10

Соляная кислота10-30

ОП-71-5

ЯодаОстальное

Пример. Для получения схемного рисунка проводят химическое травление тонкой пленки резистивного сплава, содержащего хром, никель, кремний, толщиной около

1000 А.

В качестве защитного слоя применяется фоторезист ФП-ПР-7 и травильный раствор, содержащий ингредиенты в следующих соотношениях, в вес. %:

Плавиковая кислота12

Двууглекислый аммоний8

Соляная кислота25

ОП-72

ВодаОстальное.

Травление пленок резистивного сплава в данном растворе пронзводят следующим образом: подложку помещают в травильный раствор, нагретый до 25-30°С; время травления - 15-30 с. После травления подложки тщательно отмывают.

При использовании предлагаемого раствора осуществляется полное стравливание металлической пленки и повышается равномерность травления, что приводит к увеличению выхода годных схем.

Формула изобретения

Раствор для избирательного травления, преимущественно резистивных пленок, с использованием фоторезиста на основе нафтохинондиазидов, содержащий плавиковую и соляную кислоты и воду, отличающийся тем, что, с нелью снижения агрессивности раствора, по отношению к фоторезисту и новышения равномерности травления, он дополнительно содержит двууглекислый аммоний и поверхностно-активное вещество ОП-7 при следующем количественном соотношении комнонентов, вес. %:

Плавиковая кислота5-15

Двууглекислый аммоний2-10

Соляная кислота10-30

ОП-71-5

ВодаОстальное

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

2.Авторское свидетельство СССР №272635, кл. С 23F 1/08, 1968.