Состав для избирательного травления пленки моноалюмината неодима с алюминия Советский патент 1983 года по МПК C23F1/02 

О QP Изобретение относится к химическому травлению металлов и может быть использовано в микроэлектронике для получения конфигурации пассивной части тонкопленочных больших гибридных интегральных схем. Моноалюминат неодима применяется в качестве диэлектрика в тонкопленочных конденсаторах и многослойных тонкопленочных коммутационных платах. Конфигурацию пленок моноалюмината неодима получают методом фотолитографии | химического травления. При этом необходимо, чтобы состав для травления пленон моноалюмината неодима не воздействовал} на пленки аломиния, используемые в ка честве нижних обкладок конденсаторов и токоведущих слоев коммутационных плат. Кроме того. Этот состав должен обеспечивать равномерный край и высокую скорость травления пленок моноалю мината неодима. Известен раствор 1, применяемый для травления пленок окиси алюминия следующего состава, г/л: ХромЪвый ангидрид 60-lAO Фосфорная кислота АО-300 Однако при травлении пленок моноалюмината неодима в данном растворе интенсивно травится агвоминий, лежащий под пленкой мрноалюмината неодима.Кроме того, происходит значительное боко вое подтравливание и нарушается равномерность края рисунка схемы. Наиболее близким по технической : сущности к предлагаемому составу явля ется состав 2j для травления пленки окислов с алюкСиниевой подложки, содер жащий фосфорную, уксусную, азотную кислоты в качестве окислителя и воду, мл: Фосфорная кислота 7бО Уксусная кислота 150 Азотная кислота 30 Вода50 Известный состав предназначен для одновременного травления.пористых пле нок окиси алюминия и алюминия. скорость травления алюминия составляет 0,26-0,3 мкм/мин, а окиси алюминия - 0,5-0,6 мкм/мин, т.е. состав не является избирательным по отношению к металлическим пленкам алюминия. Скорость травления пленок . алюминия всего в два раза ниже скорости травления пленки окиси алюминия, лежащей на пленках алюминия. Целью, изобретения является снижение скорости травления алюминиевой подложки и бокового подтравливания. Поставленная цель достигается тем, что состав дяЯ избирательного травления пленки моноалюмината неодима с аломиния, содетякащий фосфорную кислоту yjKcycHyto кислоту и окислитель, д ополнительно содержит крахмал, а в качестве окислителя - хромовый ангидрид при следующем соотноиюнии компонентов, г/л: Фосфорная кислота 10-50 Уксусная кислота 3-20 Хромовый ангидрид 20-50 Крахмал0,1-1 Концентрация хромового ангидрида является критичной: недостаток Cfflj приводит к воздействмо фосфорной кислоты на пленку алюминия, а избыток является причиной электрохимической коррозии в определенных участках алюминиевой металлизации. . о. ;;. .. , : . ; . . , Введение уксусной кислоты и крах- . мала обеспечивает равномерность края рисунка и минимальное бокрвое лодтрааливание, а также увеличивает скорость травления. Для установления граничных и оптимальных значений концентраций компот; нентов определена скорость травления и качество микрорельефа в зависимости от содержания компонентов. Результаты экспериментов приведены в табл. 1.

Таблица 1

Как 8ИДЙО из . 1, содержание JB составе хромового ангидрида менее 26 г;/.я,фосфорной кислоты менее 10 г/ /л, уксусной кислоты менее 3 г/л, приводит к резкому снй«енйю скорости травления плежж мрйоалюмйната неодима и увеличению бокового подтравливания.. . .- . ..

Итак, оптимальным является став t соде|ща1Ц Ий комп женты в ющих соотношениях, г/л Хромовый ангидрид 35 кислота 35 Уксусная кислота .10 Крахмал0,2

Содержание хромсвого ангидрида более 50 г/л, фосфорной кислоты более 50 г/л, уксусной кислоты более 20 .г/л приводит к резкому увеличению травления пленок алюминия.

Сравнительные данные обработки в .предлагаемом и известном составах представлены в табл. 2.

- -. .

Таблица 2

.Скорость травления алюминия в & Предложенном составе в 30-200 раз ниже скорости травления пленок моно алюмината неодима.

При обработке был выбран температурный интервал 50±5 С. При темг1 раS 101901 «

туре меныве Б С резко снижается ско-Таким образом, испольйГование предрость траапеиия, а при темпергтурелагаемого состава позволяет получать

больше SyC значительно умёнТша- ..качественную конфигураций пленок мо

втсй адгезия фоторезистивнойноалюмината неодима, нанесенных на

маски.5 пленки алюминия.