Способ выращивания кристаллов из растворов и устройство для осуществления этого способа Советский патент 1953 года по МПК C30B7/02 

Описание патента на изобретение SU96229A1

Искусственное выращивание кристаллов, об.падакмцих пьезо-электрическими свойствамн, из раствора веHj,ccTB, у которых растворимость м ее зависимость от температуры незначительны (наиример, сульфата лития), обЕз1чно осуилествляют нутом создания необходимого для роста кристал.тов нересыщения раствора за счет мсд.че 1ного выпарнва1н-1Я растворителя.

Недостаток этого способа заключается в том, что но мере иепаре1Н1Я раство)ителя объем раетвора уменьН1ается, н процесс выпаривания прнходнтся 11рекрап1.ать раиыне, чем кристал.пы достигнут ;;остаточных размеров, а измеие1Н1е при уто,1 состава раствора отрицательно сказывается па качестве кристаллов.

Согласно изобретению, указанный недостаток устраняется тем, что пересьнцение раствора поддерживается путем растворе1н-1я вводимого извне Т1 ердого криста.т.тизуемого веп.1,ества в копденспровашюм растворителе, иепрерывно циркулирующем 1ад обтзсмол раствора.

Это осуп1,еств.тяется П1)и иомогап устройства, особеииость которого заключается в том, что i piiiHiK;i кристаллизатора является одновременно конденсатором наров раствор1Г1еля и сборнико:. жидкого конде1;с;1т;,, в который через влюнтированпую к крьппке воронку вводится KjiHCTa.iлизуемое вен ество.

На чертеже схематически представлено устройство для ocyinecii .л(мн-1я .пагг.емого способа.

Кристал. 1;зацно1И1ЫЙ бачок / с герметнчеекой кры1пкой 2 снабжен алектронагревате.лем с ;автомат ческнм ктулято1юм температуры (на чертеже не показаны). Через крьпнку 2 нроходнт врап,ак)ии1Йся криста.т.подержате.т 3 (н.тн жмиалка для переме1инва1И1я р;;етвора в случае неподвижного расгьоложе:ия крнста.тлов).

Крыиича бачка / Я1 ляется одновреме ию кон;1,енс;;ТО)ЗОМ паров рг;створителя, для она сиа.бжена воздуишым илн водяным охла;:1:10.лем 4 н сборпчком а виле 1и,,ч:оIO Ж(:1()б; ,). Второй сборншч - отстойннк 6-служит для задержания частиц иерастворенного кристаллизуемого вещества. Вмонтированные в крышку воронки 7 и 8 нредпазначсны для ввода в конденсат твердого кристаллизуемого вещества и растворителя.

(огласно изобрспсиню, искусственное выращивание кристаллов из раствора кр сталлизуемого вещества осуществляется при понои н оинсаииого устройства следующим образом.

Исиаряясь из раствора, заполияюН1,его кристаллизацр онный бачок /, растворитель конденсируется на внутренней поверхности :крыщки 2 и стекает в. дольцевой c6opJH-iK 5, куда через воронку 7 вводят крнсталлизуемое вещество в твердом виде, растворяющееся затем в конденсате растворителя. Ненасыщенный раствор из сборника 5 стекает в отстойщн 6 н оттуда в бачек /, где, смен1иваясь с нересыщенным раствором, восполняет убыль кристаллизуемого вещества ио мере роста кристаллов.

Таким путем создается постоянная циркуляция растворителя внутрн | ;ристаллизационного устройства н иоддержанне ностоя/1ства состава раствора.

Введеиие в кристаллизатор твердого вещества может осуществляться непрерывно или иериодическн но соответствую цему графику.

Предлагаемый способ позволяет вырани-1вать круииые кристаллы из .малого объема раствора при постоянной те.мпературе и иеизмениом объеме н пересыщеиин раствора.

Предмет изобретения

1.Способ выраиливаиия кристаллов из растворов, о т л и ч а ю щ н йс я тем, что, с целью обеспечения возможности выранлнвання крупных кристаллов из малого объема раствора, иересын:,ение раствора поддерлчивают неизменным нутем раст1юрения ВВОДИМ01-0 в кристаллизатор извне твердого кристаллизуемого вс1цества в коиденсировагщом растворителе, ненрерывио циркулируюндем над объемо.м раствора.

2.Устройство для осун1,ествления способа но н. 1, представляющее собой кристаллизационный бачок с ге)мети1 ески закрывающейся крышкой и враищюишмся кристаллодержатслем 1)ли мен1а. д,гя перемеН1нва1н-1я раствора, о т л и ч а ю1ц е е с я тем, что, с целью обеспечеиия воз.можиости коиденснрования исиаряюн1;егося из раетвора растворителя и введения в кондеисат извне

Твердого кристаллизуемого вещества, крьинка снабжена охладителем и воронкой, а внутри бачка над поверхностьо раствора укреплены коинеитричио один над другнм сборинк и отсто| иик конденсата раствори|еля.

Похожие патенты SU96229A1

название год авторы номер документа
Способ выращивания кристаллов и кристаллизатор для осуществления этого способа 1952
  • Поздняков П.Г.
SU100124A1
Способ нанесения электродов из сусального металла на пластины пьезоэлектрика или диэлектрика 1952
  • Поздняков П.Г.
SU96067A1
Способ выращивания блока "косого" среза из кристаллов сегнетовой соли 1948
  • Поздняков П.Г.
SU78449A1
Устройство для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре 2021
  • Волошин Алексей Эдуардович
  • Крамаренко Владимир Анатольевич
  • Маноменова Вера Львовна
  • Руднева Елена Борисовна
RU2765557C1
Кристаллизатор для выращивания кристаллов из раствора 1960
  • Беляев Л.М.
  • Витовский Б.В.
  • Добржанский Г.Ф.
  • Карпенко А.Г.
SU132615A1
Способ выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре 2019
  • Крамаренко Владимир Анатольевич
RU2717799C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2013
  • Крамаренко Владимир Анатольевич
RU2531186C1
Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов 1952
  • Поздняков П.Г.
  • Штернберг А.А.
SU100988A1
Способ выращивания кристаллов 1952
  • Поздняков П.Г.
  • Штернберг А.А.
SU101179A1
Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов виннокислого калия и способ выращивания последних из этих затравок 1952
  • Поздняков П.Г.
  • Штернберг А.А.
SU101189A1

Иллюстрации к изобретению SU 96 229 A1

Реферат патента 1953 года Способ выращивания кристаллов из растворов и устройство для осуществления этого способа

Формула изобретения SU 96 229 A1

SU 96 229 A1

Авторы

Поздняков П.Г.

Даты

1953-01-01Публикация

1951-09-25Подача