Способ выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре Российский патент 2020 года по МПК C30B7/02 C30B35/00 B01D9/02 

Описание патента на изобретение RU2717799C1

Способ относятся к области техники связанной с получением искусственных кристаллов из растворов.

Известен способ выращивания кристаллов из раствора, в котором осуществляют отвод раствора из кристаллизатора с последующим его возвращением в кристаллизатор (RU 185230 U1, 27.11.2018).

Недостатком способа является то, что при выращивании кристалла происходит значительное снижение уровня раствора и его концентрации, что отрицательно сказывается на качестве кристалла.

Технической задачей изобретения является обеспечение поддержания постоянной концентрации и уровня раствора в кристаллизаторе.

Техническим результатом является повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса выращивания.

Указанный результат достигается в результате того, что в способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающим отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. При этом для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа, например, воздуха во вторую часть производят вручную или автоматически.

На фигуре представлена схема устройства для реализации предлагаемого способа.

Устройство содержит кристаллизационный стакан 1, заполненный маточным раствором. На стакане 1 герметично установлена крышка 2. в которой выполнено отверстие большого диаметра для прохода паров растворителя (показаны стрелками), как правило воды, испаряющихся с поверхности маточного раствора. Сверху к крышке прикреплен конденсатор 3. В крышке 2 выполнена кольцевая канавка 4, в полости которой собираются стекающие по стенкам конденсатора 3 капли растворителя. Внутри кристаллизационного стакана 1 размещен кристаллоносец 5, приводимый во вращение электродвигателем (не показан) посредством оси 6. Нижняя секция 7 кристаллоносца 5 выполнена в форме перевернутого стакана и снабжена лопастями 8 для перемешивания маточного раствора. Наличие секции 7 приводит к разделению общего объема раствора в кристаллизаторе на две части - первую, которая заполняет объем кристаллизатора за исключение объема внутри секции 7, и вторую, которая составляет объем секции 7. Внутри секции 7 размещена трубка 9, подключенная через клапан 10 к источнику сжатого газа (не показан). Для контроля за уровнем раствора в кристаллизационном стакане 1 применен датчик 11. Полость канавки 4 через трубку 12 подключена к насосу 13, в качестве которого может применяться перистальтический насос. Насос 13 обеспечивает подачу жидкости из полости канавки 4 в сборник 14 конденсата. Выращиваемый кристалл, размещенный на кристаллоносце 5, обозначен позицией 15.

Способ реализуют следующим образом.

После сборки кристаллизатора его полость заполняют насыщенным маточным раствором. При этом весь объем внутри полости секции 7 заполнен раствором. Приводят во вращение кристаллоносец, обеспечивая перемешивание раствора внутри полости секции 7 посредством лопастей 8. Начинается рост кристалла 15, в результате чего концентрация и уровень раствора в кристаллизаторе начинают уменьшаться. Для предотвращения изменения концентрации и уровня от источника газа под давлением через клапан 10 по трубке 9 в полость секции 7 подают сжатый газ. Последний вытесняет раствор из полости секции 7, что обеспечивает поддержание уровня раствора в кристаллизаторе при уменьшении объема раствора внутри секции 7.

Одновременно идет процесс конденсации растворителя на стенке конденсатора. Капли конденсата стекают по стенке конденсатора в полость канавки 4 в крышке 2. Из полости канавки 4 жидкий растворитель по трубке 12 поступает в насос 13, например, перистальтический в сборник 14. Таким образом поддерживается равенство объема, вытесненного из полости в секции 7 путем подачи сжатого газа, и объема, который отводят из полости канавки 4. В результате этого уровень раствора и его концентрация в кристаллизаторе сохраняются постоянными.

Поддержание равенства названных объемов обеспечивают автоматической (по сигналу от датчика уровня 11) или ручной регулировкой функционирования клапана 12 и насоса 13. Достигаемое постоянство концентрации пресыщенного раствора в кристаллизаторе позволяет обеспечить высокое качество кристалла 15.

В результате поддержания постоянного уровня раствора в кристаллизаторе достаточно просто рассчитать сколько надо отбирать растворителя, чтобы кристалл рос с необходимой скоростью. Также преимуществом способа является возможность его реализации практически при использовании любого кристаллизатора. При этом нет необходимости в специальном устройстве для подпитки кристаллизатора раствором извне.

Проведенные эксперименты по выращиванию кристаллов подтвердили технологическую целесообразность его использование в промышленности.

Похожие патенты RU2717799C1

название год авторы номер документа
Устройство для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре 2021
  • Волошин Алексей Эдуардович
  • Крамаренко Владимир Анатольевич
  • Маноменова Вера Львовна
  • Руднева Елена Борисовна
RU2765557C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ В ДОМАШНИХ УСЛОВИЯХ 1998
  • Вайнтруб Б.И.
RU2130978C1
Устройство для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре 2020
  • Крамаренко Владимир Анатольевич
RU2745770C1
КРИСТАЛЛИЗАТОР ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ПЕРЕСЫЩЕННОГО РАСТВОРА 1999
  • Крамаренко В.А.
RU2165486C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ВОДОРАСТВОРИМЫХ КРИСТАЛЛОВ 1997
  • Крамаренко Владимир Анатольевич
RU2114220C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2013
  • Крамаренко Владимир Анатольевич
RU2531186C1
Способ и устройство для выращивания кристаллов 1947
  • Штернберг А.А.
SU72182A1
СПОСОБ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ОЧИЩЕННЫХ АРОМАТИЧЕСКИХ ДИКАРБОНОВЫХ КИСЛОТ 2002
  • О`Меадхра Руаири Сеосамх
  • Лин Роберт
  • Кирк Шэйн Кипли
  • Макмюррей Брайан Дэвид
RU2288216C2
РОТОРНЫЙ ОСЕВОЙ НАСОС ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО В КРИСТАЛЛИЗАЦИОННЫХ УСТАНОВКАХ 2006
  • Бредихин Владимир Иосифович
  • Хрулёв Вадим Павлович
RU2323280C1
Способ кристаллизационного выделения и очистки гексагидрата нитрата уранила и устройство для его осуществления 2020
  • Волк Владимир Иванович
  • Кащеев Владимир Александрович
  • Бойцова Татьяна Александровна
RU2755474C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 717 799 C1

Реферат патента 2020 года Способ выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре

Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. Для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа во вторую часть производят вручную или автоматически. В качестве газа возможно применение воздуха. Технический результат – повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Формула изобретения RU 2 717 799 C1

1. Способ выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающий отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, отличающийся тем, что общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую, при этом для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подачу газа во вторую часть производят вручную.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что подачу газа во вторую часть производят автоматически.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве газа используют воздух.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2020 года RU2717799C1

Способ выращивания кристаллов дигидрофосфата калия 1971
  • Гаврилова И.В.
  • Козин В.Б.
SU425420A1
МНОГОРОЛИКОВАЯ РАСКАТКА 0
SU185230A1
Множительное устройство, основанное на использовании эффекта Холла 1961
  • Мазуров М.Е.
  • Прудников И.Н.
SU147799A1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2013
  • Крамаренко Владимир Анатольевич
RU2531186C1
Кристаллизатор для выращивания кристаллов из раствора 1960
  • Беляев Л.М.
  • Витовский Б.В.
  • Добржанский Г.Ф.
  • Карпенко А.Г.
SU132615A1

RU 2 717 799 C1

Авторы

Крамаренко Владимир Анатольевич

Даты

2020-03-25Публикация

2019-10-16Подача