Способ определения скорости роста кристаллов из раствора Советский патент 1982 года по МПК C30B9/00 

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов, в частности к технике определения параметров кинетики процесса выращивания кристаллов из .растворов.

Известны методы определения скорости роста кристаллов из растворов путем измерения тем или иным способом количества твердой фазы, кристаллизирующейся из раст вора за данное время 1.

Однако все эти методы при массовой кристаллизации в больщих объемах отличаются низкой точностью, так как весьма трудно следить за изменением размеров всех кристаллов.

Эти недостатки устраняются в способах определения скорости роста кристаллов в малых объемах, например капиллярах.

Наиболее близким к предложенному является способ определения кинетики кристаллизащ1и из раствора-расплава в капиллярах с регистрацией процесса при noMoiim оптических и рентгеновских методов, а также измерение скорости роста по изменению обьема

раствора при кристаллизации, которое фиксируется по изменению уровня раствора в каппилляре 2.

Однако применение зтих способов для определения скорости роста кристаллов из высокотемпературных (выще 1000° С) растворов невозможно.

Растворы для выращивания монокристаллов важного класса феррогранатов и ферроцшинеtoлей включают соединения свинца (РЬО, PbFj) и являются непрозрачными как в оптическом, так и в рентгеновском диапазоне частот.

Изменение объёма раствора при кристалли15зации мало, так как для выращивания используются растворы с концентрацией кристаллообразующих компонентов 8-10 мол.%.

При выращивании кристаллов из таких растворов в капиллярах рост происходит не вдоль

20 оси капилляра,:,как в известных способах выращивания из расплавов, а в радиальном на-.правлении, что не может бьггь зафиксировано

известными методами.