Изобретение относится к криминалистике.
Известен способ ш явления латентных следов пальцев человека путем последовательного напыления в вакууме на следовоспринимающую поверхность двуслойнотх) проявлякнцего покрытия, першлм из которых является золото, а вторым - кадмий 1 .
Недостатком способа является то, что использование пленки кадмия не обеспечивает достаточную надежность выявления отпечатка вследствие малой его контрастности, и нево:.можности сохранения объекта исследования из-за трудности удаления пленки кадмия без повреждения следа, в случв е необходимости его сохранения.
Целью изобретения является сохранение объекта в первоначальном виде и четкое выявление следов.
Поставленная цель достигается тем, что согласно способу выявления латентных следов пальцев человека путем последовательного напыления .в вакууме на следовоспринимаквдую поверхность двуслойного проявляющего покрытия, первым из которых является золото, в качестве второго проявляющего слоя наносят цинк, а напыление
ведется со скоростью 3 А/с в вакууме Па до толщины,слоя золота 300 А, а слоя цинка 1500 Д.
П р и м е р 1 Проявление латентных следов пальцев проводят путем последовательного напыления на объект подслоя золота толщиной 300 В и слоя циука толщиной 1500 А со скоростью 4 А/с в вакууме 10 Па. Значитель10ная скорость осаждения пленки цинка приводит к повышению вероятности некачественного выявления латентного следа вследствие возможности запыления отдельных фрастюнтов следа.
15
П р и м е р 2. Проявление латентных следов пальцев проводят путем последовательного напыления на объект подслоя золота толщиной 300 А и слпя Щ1нка толщиной 1500 А со скоростью
20 2 А/с. Мёлые величины скоростей осаждения пленки цинка приводят к необходимости длительного контроля за объектом со стороны оператора и не обеспечивают с точки зрения затрэчи25 ваемого времени высокую эффективность выявления следа.
Примерз . Проявление латентных следов пальцев проводят путем последовательного напыления на объект 30 оодслоя золота толщиной 300 А и слоя цинка толщиной 1500 & со скоростью 3 А/с а вакууме 10 Па. Установлено что данный режим является оптимальны с точки зрения качественного проявления латентных и затрачиваемого на процедуру проявления времени. . При тол14инах менее 1500 А,тол1цины пленки не достаточно для четкого и контрастного выявления всех деталей уаора кожи, отобразившегося в следе. При толщинах более 1500 А, начинается кондвнссщия цинка не только на свободных от следа поверхностях объекта, но и непосредственно на самом следе (на отпечатках гребней кож ного узора), приводящая к ухудшению ш явленного изображения. Высокие скорости осаждения, более чем 3-4 А/с, приводят к значительному запылению деталей следа, поэтому данная скорость напыления является оптимальной. Изобретение обеспечивает надежность выявления латентных следов Псшьцев человека. Формула изобретения Способ выявления латентных следов пальцев человека путем последовательного напыления в вакууме на следовоспринимеиощую поверхность двуслойного проявляющего покрытия, первым из которых является золото, о т л и ч аю щ и и с я тем, что, с цепью сохранения объекта в первоначальном виде и четкого выявления следов, в качестве второго проявляющего слоя наносят цинк, а напыление ведется со скоростью 3 А/с в вакууме 10 Па до толщины слоя золота 300 Я, а слоя цинка 1500 А. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Thomas G.L. Physics of Finger- : prints. - Criminoeogist, 1973, v 8, No 30, p. 21-38..
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ СЛЕДОВ ПАЛЬЦЕВ РУК | 1997 |
|
RU2120233C1 |
Способ изготовления фотодиэлектрического чувствительного элемента для регистрации ультрафиолетового излучения | 2018 |
|
RU2690369C1 |
СПОСОБ МНОГОЦВЕТНОГО ОКРАШИВАНИЯ ИЗДЕЛИЙ ИЗ АЛЮМИНИЯ И ЕГО СПЛАВОВ | 1990 |
|
RU2061106C1 |
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОКОПРОВОДЯЩИХ ДОРОЖЕК | 2012 |
|
RU2494492C1 |
Способ определения энантиоморфных кристаллов | 1985 |
|
SU1330524A1 |
Способ изготовления многослойного цветного экрана | 1980 |
|
SU940252A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 1992 |
|
RU2046419C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ | 2007 |
|
RU2329622C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К МОНОСУЛЬФИДУ САМАРИЯ | 1991 |
|
SU1829769A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПЛАНАРНОЙ СТОРОНЕ СТРУКТУРЫ С ЛОКАЛЬНЫМИ ОБЛАСТЯМИ НИЗКОЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ГРУППЫ АВ | 1993 |
|
RU2084988C1 |
Авторы
Даты
1982-11-23—Публикация
1980-12-08—Подача