Способ травления монокристалла смешанного галогенида цезия Советский патент 1983 года по МПК C09K13/00 C30B33/00 

(54) СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА СМЕШАННОГО ГАЛаГ1ЕНИДА ЦЕЗИЯ

Изобретешге относится к хнмико-меха(шческой обработке монокристаллов и может быть 1фименено для получения монокристаллов аккустооптических устройств. Известен способ травления кристалла иодида цеаига в системе 96% С2Н5ОН2Н О Ci -СиСРд На1йолее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является способ трешлейия моно кристалла смешанного галогенида цезия, например СВлСиСВ Путем обработки его этиловым спиртом fS. . Недостатком способа является невозможность травления монокристалла Цель изобретения - обеспечение воаможности травления и полирования монокристалла CSfjHqjBr. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу травления монсжристалла смешанного галогенвда цезия . путем обработки его спиртом, в качестве последнего используют этиленгликоль. Причем травление ведут в течение 1-3 мин при расходе этиленгликоля 1-2 мл на 2О г монокристалла. П р и м е р 1. Шлифованный абразивным псфсником М-5 образец (всследуэ.мая поверхность 15 цы, вес 20,1839 г) вносят в бокс и добавляют 2 мг безводного этиленглнколя. Бокс плотно закрывают крышкой с притертой пробкой и периодически перемешивают. Температура растворителя . Через 2О-30 с матовая шпяфовальная пов хность щ еврашается в зе; кальную. Эффект химической полировка сопровождается незначительной потерей вещества (ск фость растворения О,ОС 19 г в минуту). Для снятия с отшлифованной поверхности монокристалла слоя н ушенной структуры толщиной 1ООО15ООО А(1,0-1,5 мк) необходимо не бо-, лее 1 мин.. В таблице 1федставлеиы результаты определения времени травления и качества о аботанной поверхности.

О1-2О,01-ОДПолирующий эффект

-0,5-15-8 Слабый полирую-1-20,5-1Полирующий эффект

---1-3Проявлен полирующий

2-а1-3То же

-- -3-5То же

Пример 2. Шлифовальный образец CS2HcgBr4 (рабочая поверхность 1О мм, вес 10,1248 г) помещают в проб1фку с 30 притертой пробкоЙ заливают 1О мл этилового спирта, температура , Каждые Ю мин вынимают образец, подсушивают до постоянного веса и взвешивают. Растворения нет. Поверхность матовая, молоч- 35 ного цвета.. .

Приведенные примеры и результаты таблицы свидетельствуют о возможности одновременного травления и полирования монокристалла С32Н(Г4 этиленгликолем, 40 1фичем для качественной полировки обеих плоскопараллельных поверхностей монсжристалла достаточно 1-2 мл этиленгликоля на 2О г при времени обработки 1-3 мин.

отсутствует

ОД1О,5То же

.щий эффект

,проявляется слабо,

есть следы щлифовки

эффект (полное отсутствие следов шлифовки)

5-10 То же

Формула изобретения

течение 1-3 мин при расходе этиленгликоля 1-2 Мл на 20 г монокристалла.

Источники информации, принятые во внимание гфи экспертизе

2.aCrv5t Gro«/4;h , 1977, 41, № 2, 216-224 (прототип).