Стекло для толстопленочных резисторов Советский патент 1983 года по МПК C03C3/10 

стабильности сопротивления в процессе эксплуатации резисторов при воздействии электрических и климатических, факторов. Наличие в составе стекол крупных ионов сочетании с малыми с сильным кулоновеким полем в обеспечивает необходимую Ьлотность упаковки ионов и затрудняет ионную проводимость стекла, что и позволяет уменьшить ТКС резисторов. Взвешенные.исходные компоненты стекла загружают в тигель, который помещают в электрическую силитовую печь. Стекло варят в печи в течение 1 ч при 1200-1300°С. В табл. 1 приведены предлагаемые составы стекла. Таблица 1 Содержание исходных компонентов, вес.% РЬО jSiOj 1в202,| А12..0з1СиО|Нп02 141,0 30,0 10,0 7,0 7,0 1,0 4,0 238,0 27,5 9,0 6,0 7,5 3,0 9,0 3 36,0 24,0 8,0 5,0 8,0 5,0 14,07о , .

Таблица 3 В табл. 2 приведены свойства стекла предлагаемых составов. Таблииа2 На основе указанных стекол изготовлены толстопленочные рутениевые резисторы.. Для этого получают резистивные пасты, которые готовят тщательным перемешиванием порошка стекла, двуокиси рутения и органического связующего. Затем пасту наносят на керамические подложки методом трафаретной печати, подсушивают и подвергают термообработке при максимальной температуре 870°С. Характеристики полученных резисторов указаны в табл. 3.

Из табл. 3 видно, что резисторы с удельным сопротивлением десятки Ом имеют низкий температурный коэффициент сопротивления, составляющий менее.10010-Ь1/град, что обеспечивает повышенную стабильность резисторов. При испытаниях на устойчивость к климатическим воздействиям изменение сопротивления резисторов не превышает 0,3%. Формула изобретения Стекло для толстопленочных резисторов, включающее РЬО, Si 02, ,8(2 ,r отличающееся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления резисторов с низким удельным сопротивлением, оно дополнительно содержит СиО и МпО2 при следующем соотношении ингредиентов , мае.%: 36, ,0 24,0-30,0 8,0-10 ,0 7,0-8,0 5,0-7,0 CuO МпОт принятые 59963566 1,0-5,01. Патент Японии 49-2167, ,0-lt,0 .кл. 21 А 29, опублик. 1974. 2. Авторское свидетельство СССР Источники информации, 804584, кл. С 03 С 3/10, 1979 во внимание при экспертизе(прототип .