СПОСОБ СНЯТИЯ ПЛАСТМАССОВЫХ ПОКРЫТИЙ Российский патент 1994 года по МПК H01L21/46 

Изобретение относится к электронной технике, к механической обработке полупроводниковых приборов в пластмассовых корпусах, где снятие покрытий с изделий производится путем обработки их сыпучими материалами, эжектируемыми воздухом через форсунки [1] .

Наиболее близким к предлагаемому является способ изготовления тонких структур для контактирования полупроводников [2] , где покрытие удаляется путем испарения под действием импульсного излучения эксимерным лазером, получаемого кратковременным включением излучения. Этот способ требует уникальности оборудования при низкой производительности ввиду малых зон обработки и экранирующего действия порошкообразных остатков облоя.

Целью изобретения является повышение эффективности и качества снятии покрытия, которая достигается тем, что при снятии покрытий полупроводниковых приборов, плазму создают путем пропускания тока в газовой среде над обрабатываемым покрытием, а воздействие на покрытие осуществляют сгустками плазмы длительностью 10-15 мкс, которые формируют с помощью импульсного магнитного поля.

Для обработки покрытия применяется электродуга постоянного тока косвенного действия. На чертеже 1 - внутренний цилиндрический электрод, 2 - наружный цилиндрический электрод, 3 - электрическая дуга, 4 - изделие, 5 - катушка, 6 - покрытие.

Расстояние электродов от обрабатываемой поверхности зависит от скорости вращения и длины перемещения дуги и от термостойкости покрытия.

Геометрические и электрические параметры дуги, необходимые для разогрева покрытия: напряжение дуги 30 В при токе 100 А, напряжение холостого хода 180 В, длина дуги 1,5-2 мм, ширина дуги 1-1,5 мм.

Например, для снятия пластмассового облоя полупроводниковых приборов, получаемого в виде пленки толщиной до 1 мм, расстояние между электродами и поверхностью равно 3-4 мм при скорости перемещения дуги 20 м/с. Для снятия автомобильной краски расстояние между электродами и поверхностью можно увеличить до 4-5 мм при скорости перемещения дуги 20 м/с. В обоих случаях расход инертного газа равен 1 л/с, а диаметр окружности перемещения дуги - 100 мм.

В сравнении с известным техническим решением в предлагаемом способе не только увеличивается производительность снятия покрытия, но обеспечивается снятие с изделий покрытий повышенной толщины, исключается ручная операция дозачистки. (56) 1. Электронная промышленность, 1982, N 1, с. 59-63.

2. Заявка ФРГ N 3608410, кл. Н 01 L 21/48, 1987.

Сущность изобретения: при удалении покрытий полупроводниковых приборов плазму создают путем пропускания тока в газовой среде над обрабатываемым покрытием, а воздействие на покрытие осуществляют сгустками плазмы длительностью 10 - 15 мкс, которые формируют с помощью импульсного магнитного поля. 1 ил.

СПОСОБ СНЯТИЯ ПЛАСТМАССОВЫХ ПОКРЫТИЙ , включающий воздействие на покpытие плазмой и механическое удаление покpытия, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности пpи снятии покpытий полупpоводниковых пpибоpов, плазму создают путем пpопускания тока в газовой сpеде над обpабатываемым покpытием, а воздействие на покpытие осуществляют сгустками плазмы длительностью 10 - 15 мкс, котоpые фоpмиpуют с помощью импульсного магнитного поля.