СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ BISrCaCuO Российский патент 1997 года по МПК C30B9/06 C30B29/22 

Описание патента на изобретение RU2090665C1

Изобретение относится к области получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), в частности Bi2Sr2CaCu2O8-2212, для использования в СВЧ-технике.

Использование ВТСП-материалов в качестве активных элементов СВЧ- приборов, например усилителей, генераторов, может быть основано на когерентном взаимодействии отдельных джозефсоновских переходов. Экспериментально это взаимодействие может проявляться в виде сужения линии СВЧ-излучения при нестационарном эффекте Джозефсона, наблюдавшемся на монокристаллах 2212 очень маленького размера 30х30 мкм [1] а также в виде периодических модуляций добротности резонатора при внесении в него ВТСП образца в нулевом магнитном поле в области СВЧ-частот. Экспериментально наблюдаемое на кристаллах Bi2Sr2CaCu2O8 проявление когерентного взаимодействия отдельных Джозефсоновских переходов связывают с возможностью образования в этих кристаллах сверхструктуры [2]
Известен способ получения монокристаллов Bi2Sr2CaCu2O8, включающий выращивание кристаллов спонтанной кристаллизацией, механическое извлечение кристаллов из затвердевшей массы и послеростовую термообработку [3] Для выращивания кристаллов шихта, представляющая собой смесь соединений Bi2O3, SrCO3, CaCO3 и CuO, взятых в количествах, соответствующих стехиометрии 2212, помещалась в корундовый тигель, выдерживалась при температуре 1010 - 1045oC и охлаждалась со скоростью 2 5 град/час. Кристаллы, извлеченные из затвердевшей массы, достигали размера 3х4 мм в плоскости (ab) и имели значения температуры перехода в сверхпроводящее состояние Tendc

40 60К. При помещении извлеченных кристаллов в резонатор периодического изменения добротности резонатора на частоте 10 ГГц не наблюдалось. Это можно объяснить тем, что выросшие кристаллы оказались недостаточно совершенными, например, вследствие дефицита кислорода в решетке, что подтверждается низкими значениями Tendc
После термообработки на воздухе температура перехода кристалла в сверхпроводящее состояние возрастала и достигала температур 94 87К, однако возникающие в процессе выращивания структурные несовершенства устранить термической обработкой в достаточной степени, видимо, не удавалось, так как периодического изменения добротности резонатора в нулевом магнитном поле при внесении в него термообработанного образца по-прежнему не наблюдалось. Данный способ выбран в качестве прототипа.

Задача изобретения состоит в том, чтобы получить монокристаллы типа Bi2Sr2CaCu2O8, обладающие размерами и сверхпроводящими свойствами, близкими к прототипу ( Tendc

>80К, размеры в плоскости (ab) 2.3х2.3 мм), но при перемещении которых в резонатор наблюдалось бы периодическое изменение добротности резонатора в СВЧ-диапазоне длин волн и нулевом магнитном поле.

Задача решена путем выращивания монокристаллов Bi2Sr2CaCu2O8 как в способе [3] но из шихты, содержащей помимо карбонатов кальция, стронция и оксидов висмута и меди карбонат марганца в пересчете на соединение Bi2Sr2CaCu2-xMnxO8 при x= 0,1 0,3. Так как марганец имеет переменную валентность, то, как полагают авторы, его присутствие в исходной шихте в количестве 0,1 0,3 формульных единиц обуславливает уменьшение, по данным химического анализа, содержания ионов Cu1+ в затвердевших массах, что приводит, по-видимому, к росту более совершенных, чем в прототипе, кристаллов. Это подтверждается тем, что сразу после роста кристаллы имели Tendc

84 85К вместо 40 60К по прототипу и демонстрировали эффект периодических модуляций добротности резонатора на f=10 ГГц. Таким образом, введение в шихту MnCO3 дает еще и дополнительное преимущество перед прототипом исключается послеростовая термообработка кристаллов. Добавление в шихту MnCO3 менее 0,1 формульной единицы не приводит к достижению желаемого эффекта.

Добавление в шихту MnCO3 более 0,3 формульных единиц приводит к прекращению роста кристаллов в выбранных условиях.

Пример.

Исходные компоненты Bi2O3, SrCO3, CaCO3, CuO, MnCO3, взятые в количестве 100 г и в соотношениях, необходимых для получения соединения Bi2Sr2CaCu2-xMnxO8, где x= 0,1 0,3, помещались в корундовый высокоплотный тигель. Смесь нагревалась до температуры 1010 1045oC, выдерживалась при этой температуре 8 16 часов и охлаждалась со скоростью 2 град/час.

Результаты экспериментов сведены в таблицу.

Из таблицы видно, что предложенный состав шихты является оптимальным.

Похожие патенты RU2090665C1

название год авторы номер документа
ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ БАРИЕВОГО ГЕКСАФЕРРИТА 1990
  • Зверева Р.И.
  • Захарюгина Г.Ф.
  • Петров В.В.
  • Линев Ю.А.
SU1707999A1
Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей керамики BiSrCaCuO 2018
  • Чурин Сергей Александрович
  • Яблоков Антон Андреевич
RU2701752C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ПЕРЕХОДА ДЖОЗЕФСОНА 1997
  • Алаудинов Багомед Магомедович
  • Ковьев Эрнст Константинович
  • Куприянов Михаил Юрьевич
  • Поляков Сергей Николаевич
RU2107358C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОЛСТЫХ ПЛЕНОК, ОБЛАДАЮЩИХ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ СВЕРХПРОВОДИМОСТЬЮ 1989
  • Блаут-Блачев А.Н.
  • Чубаров Е.П.
SU1736312A1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРИОДИЧЕСКИХ МИКРОСТРУКТУР НА ВТСП ПЛЕНКАХ С ДЖОЗЕФСОНОВСКИМИ СВОЙСТВАМИ 2004
  • Югай Климентий Николаевич
  • Серопян Геннадий Михайлович
  • Сычев Сергей Александрович
  • Муравьев Александр Борисович
  • Скутин Анатолий Александрович
  • Пашкевич Дмитрий Сергеевич
  • Семочкин Виктор Владимирович
RU2275714C1
ПОЛОСКОВЫЙ РЕЗОНАТОР СВЧ 1993
  • Азизов А.В.
  • Балыко А.К.
  • Гусельников Н.А.
  • Каплун З.Ф.
  • Тагер А.С.
  • Малов В.В.
  • Гусев А.П.
RU2126194C1
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ СВЕРХПРОВОДЯЩАЯ ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА 1992
  • Кривц Б.Л.
  • Лимитовский Е.П.
RU2038655C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ 1990
  • Бабийчук И.П.
  • Космына М.Б.
  • Некрасов В.В.
SU1723847A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА BiSnCaCuO 1991
  • Шнейдер А.Г.
  • Селявко А.И.
  • Булышев Ю.С.
  • Серых С.В.
RU2017274C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ 2001
  • Горина Ю.И.
  • Калюжная Г.А.
  • Сентюрина Н.Н.
RU2182194C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 090 665 C1

Реферат патента 1997 года СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ BISrCaCuO

Изобретение относится к области получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников, в частности Bi2Sr2CaCu2O8 для использования в качестве активных элементов СВЧ- техники, работающих на основе эффекта Джозефсона. Способ получения сверхпроводящих монокристаллов на основе соединения Bi2Sr2CaCu2O8 включает расплавление шихты, состоящей из оксидов и карбонатов, с последующей кристаллизацией расплава и отличается тем, что кристаллизацию проводят из шихты, рассчитанной на состав Bi2Sr2CaCu2-xMnxO8, где 0,1≅x≅0,3. Кристаллы размером в плоскости (ab) 2...3 x 2...4 мм имели сразу после выращивания Tendc

84. . .85 К и демонстрировали эффект периодических модуляций добротности резонатора в нулевом магнитном поле на частоте 10 ГГц. 1 табл.

Формула изобретения RU 2 090 665 C1

Способ получения сверхпроводящих монокристаллов на основе соединения Bi2Si2CaCu2O8, включающий расплавление шихты, содержащей оксид висмута и меди и карбонаты стронция и кальция, с последующей кристаллизацией расплава, отличающийся тем, что кристаллизацию проводят из шихты, содержащей дополнительно карбонат марганца в пересчете на соединение Bi2Sr2CaСu2-хMnхO8, где 0,1≅х≅ 0,3.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1997 года RU2090665C1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
R Kleiner at al
Sutrinsie Josephson Effect us BiSiCaCuO Single Crystals
- Physical Reveu Letter, - 1992, 68, p
АППАРАТ ДЛЯ МЕТАЛЛИЗИРОВАНИЯ ПРЕДМЕТОВ ПОСРЕДСТВОМ РАСПЫЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕКТРОДОВ ВОЛЬТОВОЙ ДУГИ 1925
  • Плотников В.В.
SU2394A1
Viar-quo Zhena, Qihi, Duan Feng, Feng Y
et al
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗБИРАТЕЛЬНОГО ВЫЗОВА СЕМИ ТЕЛЕФОННЫХ АППАРАТОВ 1922
  • Навяжский Г.Л.
SU1001A1
Устройство для сортировки каменного угля 1921
  • Фоняков А.П.
SU61A1
Приспособление для гашения паровозных искр 1919
  • Курныгин П.С.
SU1721A1
Шибанова Н.М., Потапов В.В., Баранова И.М
и др
Выращивание, структурные особенности и микроволновые свойства ВТСП-кристаллов в системе B-Sr-Ca-Cu-O
Сверхпроводимость: физика, химия, техника
Способ изготовления фанеры-переклейки 1921
  • Писарев С.Е.
SU1993A1

RU 2 090 665 C1

Авторы

Шибанова Н.М.

Потапов В.В.

Амосова Н.Л.

Мастеров В.Ф.

Яковлев Ю.М.

Даты

1997-09-20Публикация

1993-07-19Подача