Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано для напыления вакуумно-плазменных покрытий в электронной, оптической и других отраслях промышленности.
Известен способ магнетронного напыления, включающий распыление углеродной мишени в скрещенных электрических и магнитных полях и осаждение потока распыленного материала на подложку, при котором с целью повышения качества пленок путем увеличения содержания алмазной фазы осаждение проводят потоком с плотностью частиц, превышающей плотность остаточной атмосферы инертного газа, и их энергией, не превышающей 7-10 эВ (авт. св. N 1772217, кл. C 23 C 14/33, 1992).
Известен способ, реализуемый магнетронно-распылительным устройством, содержащим дисковый катод-мишень, анод и незамкнутую, выполненную с возможностью вращения магнитную систему, состоящую из плоского магнитопровода, расположенного параллельно распыляемой поверхности мишени, и прямоугольных магнитов противоположной полярности, закрепленных на магнитопроводе симметрично относительно центра мишени, в котором для увеличения скорости распыления анод выполнен в форме прямоугольного бруска с шириной, равной ширине межлопастного зазора, и высотой, большей или равной высоте мишени, и установлен на магнитопроводе изолировано от него, причем оси симметрии магнитной системы и анода лежат в одной плоскости, а левый относительно анода полюса магнитной системы, обращенной к мишени, имеет полярность N, при этом первый имеет полярность S (авт. св. N 1818358, кл. C 23 C 14/35, 1993).
Известен способ, реализуемый устройством (источником ионов), содержащим анод, катод и извлекающий электрод, разделенные изолятором и помещенные между полюсами магнита, для снижения затрат энергии на образование ионов катод выполнен в виде сетки и расположен между анодом и извлекающим электродом, с размерами полюсов магнита больше или равными расстоянию между катодом и анодом (авт. св. N 519066, кл. H 05 H 1/00, 1981).
Общими недостатками аналогов является сложность оборудования, использование дорогостоящих магнитов, сложность изготовления.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту является способ катодного распыления, включающий распыление материала катода, выполненного из сплошной и перфорированной пластин, образующих полый катод с плазмой повышенной плотности, и осаждение материала катода на деталь (патент России N 2000354, кл. C 23 C 8/36, 1993).
Недостатком известного способа является неэффективное осаждение материала катода на деталь из-за недостаточной скорости распыления.
Задачей изобретения является увеличение скорости распыления за счет повышения плотности тока, увеличения степени ионизации и создания области плазмы высокой плотности.
Задача решается тем, что предлагаемый способ обработки в отличие от прототипа предполагает подачу отрицательного потенциала на систему, состоящую из специального экрана в виде сетки и катода. Образуется структура из плазмы и слоя пространственного заряда между границей плазмы (эффект полого катода).
При размере ячейки сетки а <aкр прикатодные области перекрывают расстояние между ячейками и отражают быстрые осциллирующие электроны, что увеличивает концентрацию заряженных частиц вблизи обрабатываемой поверхности и приводит к возрастанию количества ионов, бомбардирующих поверхность.
Сущность способа поясняется чертежом.
Источник питания 1 имеет отрицательную клемму, которая подключена к охлаждаемому катоду 2 и экрану 3, установленному на определенном расстоянии, а положительная клемма источника питания 1 подсоединена к аноду 4. В вакуумной камере 5 установлены детали 6, на которые конденсируются ионы распыленные с катода 1.
Способ осуществляется следующим образом. В вакуумной камере создаются давление P 10-1 Па, напряжение, подаваемое на электроды, U 600-800 В. Отрицательный потенциал подается на катод и оптически прозрачный экран, положительный потенциал на анод. Зажигается тлеющий разряд. Обработка осуществляется в среде инертного газа (аргона)
Размеры экрана, его конфигурация, расстояние между экраном и катодом является "ноу-хау".
Изобретение позволяет значительно снизить себестоимость обработки за счет применения экранов вместо дорогостоящих магнитов, а также значительно упростить сам процесс и интенсифицировать процесс напыления.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННЫХ ПОКРЫТИЙ | 1993 |
|
RU2075538C1 |
СПОСОБ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ | 1994 |
|
RU2087586C1 |
СПОСОБ АЗОТИРОВАНИЯ ИЗДЕЛИЙ В ТЛЕЮЩЕМ РАЗРЯДЕ | 1994 |
|
RU2095462C1 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ДЕТАЛИ | 1994 |
|
RU2096493C1 |
СПОСОБ ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ | 1997 |
|
RU2145362C1 |
СПОСОБ ВАКУУМНОГО ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ КОМПОЗИТОВ, СОДЕРЖАЩИХ СЛОЖНЫЕ КАРБИДЫ | 2004 |
|
RU2272088C1 |
СПОСОБ ФИЛЬТРАЦИИ КАПЕЛЬНОЙ ФАЗЫ ПРИ ОСАЖДЕНИИ ИЗ ПЛАЗМЫ ВАКУУМНО-ДУГОВОГО РАЗРЯДА | 2017 |
|
RU2657273C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗНОСОСТОЙКОГО ПОКРЫТИЯ НА ОСНОВЕ ИНТЕРМЕТАЛЛИДА СИСТЕМЫ Ti-Al | 2012 |
|
RU2489514C1 |
СПОСОБ АЗОТИРОВАНИЯ В ПЛАЗМЕ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА | 2009 |
|
RU2409700C1 |
ЦИЛИНДРИЧЕСКАЯ МАГНЕТРОННАЯ РАСПЫЛИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА | 1999 |
|
RU2174160C2 |
Изобретение относится к машиностроению. Способ катодного распыления осуществляется с помощью плазмы повышенной плотности, создаваемой между оптически прозрачным экраном, выполненным в виде сетки, и распыляемым материалом, образующими полый катод с плазмой повышенной плотности. 1 ил.
Способ катодного распыления, включающий распыление материала катода, выполненного из сплошной и перфорированной пластин, образующих полый катод с плазмой повышенной плотности, и осаждение материала катода на деталь, отличающийся тем, что в качестве перфорированной пластины используют сетку.
RU, патент, 2000354, кл | |||
Прибор для равномерного смешения зерна и одновременного отбирания нескольких одинаковых по объему проб | 1921 |
|
SU23A1 |
Авторы
Даты
1998-01-10—Публикация
1995-02-21—Подача