СХЕМА ГЕНЕРИРОВАНИЯ ВНУТРЕННЕГО ПИТАЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ Российский патент 2000 года по МПК G05F1/56 H03F1/30 

Настоящее изобретение относится к схеме генерирования внутреннего питающего напряжения для полупроводникового запоминающего устройства большой емкости. В частности, оно относится к схеме генерирования внутреннего питающего напряжения, при которой создаваемое на выходе напряжение повышается в зависимости от повышения температуры.

Уровень техники
В настоящее время имеющийся в известном полупроводниковом запоминающем устройстве большой емкости МОП-транзистор размером ниже микронного уровня необходимо питать низким питающим напряжением, которое ниже внешнего питающего напряжения 5 В, как правило, подаваемого в вычислительные системы. Поэтому для получения низкого питающего внутреннего напряжения наряду с запоминающей схемой использовали генератор внутреннего питающего напряжения на полупроводниковых кристалликах. Например, полупроводниковое динамическое быстродействующее запоминающее устройство емкостью свыше 16 Мбит обязательно включает в себя генератор внутреннего питающего напряжения с целью обеспечения высокой надежности запоминающего устройства.

Ниже дается достаточно подробное описание известного генератора внутреннего питающего напряжения с указанием его характеристик и с ссылкой на фиг. 1-3. На фиг. 1 показан обычный генератор внутреннего питающего напряжения 100, состоящий из генератора опорного напряжения 50, блока сравнения 60 и выходной схемы 70. На фиг. 2 представлены характеристики генератора внутреннего питающего напряжения на фиг. 1 в сравнении с внешним питающим напряжением. Наряду с этим на фиг. 3 показано еще одно исполнение генератора опорного напряжения 50, представленного на фиг. 1.

Обращаясь к фиг. 1, видим, что генератор внутреннего питающего напряжения 100 имеет генератор опорного напряжения 60 и выходную схему 70, состоящую из МОП-транзистора 10 с каналом p-типа, выполняющего функцию переменного резистора. Сравнение напряжений на выходе генератора опорного напряжения 50 и выходной схемы 70 осуществляется, следовательно, в блоке сравнения 60, представляющем собой дифференциальный усилитель для контроля напряжения, подаваемого на затвор МОП-транзистора 10 с каналом p-типа. Генератор опорного напряжения 50 имеет первый и второй резисторы R₁, R₂, последовательно включенные в схему между источником внешнего питающего напряжения и уровнем заземления и служащие для создания опорного напряжения V_оп через соединительный узел 3. Блок сравнения 60 имеет первый и второй МОП-транзисторы 6, 7 с каналом n-типа, образующие дифференциальный усилитель, третий МОП- транзистор 8 с каналом n-типа, служащий источником постоянного тока, а также первый и второй МОП-транзистор 4, 5 с каналом p- типа, образующие каскад токовой отражающей нагрузки. Вместе с тем исток МОП-транзистора 10 с каналом p-типа соединен со схемой внешнего питающего напряжения V_{ссвнеш.}, а его сток - с выходом внутреннего питающего напряжения V_{ссвнеш.} выходного узла 11. Как видно на чертеже, на затвор при первом МОП-транзисторе 6 с каналом n-типа компаратора 60 подают опорное напряжение V_оп. В случае, когда нагрузочный ток подается от выходного узла 11 в схему памяти (не показана), на МОП-транзисторе 10 с каналом p-типа выходной схемы 70 происходит падение напряжения. В результате этого внутреннее питающее напряжение устанавливается на уровне, который ниже уровня внешнего питающего напряжения. В то же время компаратор 60 осуществляет регулирование напряжения затвор МОП- транзистора 10 с каналом p-типа с целью поддержания внутреннего питающего напряжения на уровне, идентичном уровню опорного напряжения V_оп.

Генератор внутреннего питающего напряжения должен поддерживать постоянное внутреннее питающее напряжение независимо от изменений внешнего питающего напряжения, обеспечивая тем самым высокую надежность работы полупроводникового запоминающего устройства. Однако, к сожалению, обычный генератор внутреннего питающего напряжения 100, представленный на фиг. 1, имеет разность напряжений Δ V, как показано на фиг. 2, возникающую вследствие повышения внешнего питающего напряжения. Вышеуказанная проблема порождается тем, что опорное напряжение на выходе генератора опорного напряжения 50 определяется формулой

Следовательно, опорное напряжение V_оп увеличивается по мере увеличения внешнего питающего напряжения, что ведет к увеличению напряжения и внутреннего питающего напряжения. В связи с этим уменьшается надежность полупроводника.

На фиг. 3 представлен генератор опорного напряжения 50, состоящий из первого, второго и третьего МОП-транзисторов 12, 13 и 14 с каналом p-типа, соединенных между собой последовательно, а также четвертого и пятого МОП-транзисторов 15 и 16 с каналом p-типа, соединенных друг с другом тоже последовательно, причем первый, второй и третий МОП-транзисторы с каналом p-типа подсоединены параллельно к четвертому и пятому МОП-транзисторам с каналом p-типа. Затворы и стоки первого-пятого МОП-транзисторов 12-16 с каналами p-типа, каждый, соединены так, что образуют диод, и, кроме того, затвор четвертого МОП-транзистора с каналом p-типа 15 соединен с истоком третьего МОП-транзистора 14 с каналом p-типа. Исток третьего МОП-транзистора 14 с каналом p-типа подсоединен так, что устанавливается напряжение затвора четвертого МОП-транзистора 15 с каналом p-типа на уровне, равном величине причем исток четвертого МОП-транзистора 15 с каналом p-типа становится выходным узлом 17, через который генератор опорного напряжения 50 генерирует опорное напряжение V_оп. Однако с увеличением температуры пороговое напряжение V_пор соответствующих МОП-транзисторов с каналом p-типа в генераторе опорного напряжения 50 на фиг. 3 падает. Следовательно, падает и опорное напряжение V_оп. Если уменьшается опорное напряжение, то будет уменьшаться и внутреннее питающее напряжение, что вызывает медленное действие полупроводникового запоминающего устройства.

Сущность изобретения
Объектом настоящего изобретения является схема генерирования внутреннего питающего напряжения, прилагаемого к запоминающему устройству, которая из внешнего питающего напряжения вырабатывает пониженное внутреннее питающее напряжение, включающая
выходную схему, генерирующую внутреннее питающее напряжение,
схему делителя напряжения, принимающую выходной сигнал выходной схемы, соединенную с уровнем заземления, имеющую первый и второй резисторы и выходной узел,
генератор опорного напряжения, принимающий внешнее питающее напряжение, служащее для генерирования опорного напряжения и имеющий выходной узел генератора опорного напряжения,
блок сравнения, сопоставляющий первое входное напряжение с выходного узла генератора опорного напряжения и второе входное напряжение с выходного узла схемы делителя напряжения, выходной узел блока сравнения соединен с входом выходной схемы.

Схема генерирования внутреннего питающего напряжения по настоящему изобретению отличается тем, что генератор опорного напряжения содержит
первый резистор, один вывод которого соединен с выходным узлом генератора опорного напряжения, а второй вывод соединен с коллектором и базой первого биполярного транзистора, эмиттер которого соединен с уровнем заземления,
второй резистор, один вывод которого соединен с выходным узлом генератора опорного напряжения, а другой вывод соединен с коллектором второго биполярного транзистора, база которого соединена с коллектором первого биполярного транзистора, третий резистор, один вывод которого соединен с эмиттером второго биполярного транзистора, а другой вывод - с уровнем заземления,
третий биполярный транзистор, коллектор которого соединен с выходным узлом генератора опорного напряжения, база соединена с коллектором второго биполярного транзистора, а эмиттер соединен с уровнем заземления,
первый и второй резисторы схемы делителя напряжения имеют сопротивления, увеличивающиеся при повышении температуры, причем отношение увеличения сопротивления к повышению температуры у первого резистора выше, чем у второго резистора.

В заявленной схеме генерирования внутреннего питающего напряжения первый и второй резисторы схемы делителя напряжения выполнены на первом МОП-транзисторе с каналом p-типа, исток которого соединен с выходом выходной схемы, генерирующей внутреннее питающее напряжение, затвор и сток, образуя диод, соединены между собой, а также с выходным узлом схемы делителя напряжения и с истоком второго МОП-транзистора с каналом p-типа, у которого затвор и сток, образуя диод, соединены с уровнем заземления, причем сопротивление канала первого МОП-транзистора с каналом p-типа выше, чем у второго МОП-транзистора с каналом p-типа.

При этом в схеме генерирования внутреннего питающего напряжения по настоящему изобретению блок сравнения содержит
первый МОП-транзистор с каналом p-типа, исток которого соединен с выходом внешнего питающего напряжения,
второй МОП-транзистор с каналом p-типа, исток которого соединен с выходом внешнего питающего напряжения, затвор и сток которого соединены с затвором первого МОП-транзистора с каналом p-типа,
первый МОП-транзистор с каналом n-типа, затвор которого соединен с входом, подсоединенным к выходному узлу генератора опорного напряжения, а сток соединен со стоком первого МОП-транзистора с каналом p-типа,
второй МОП-транзистор с каналом n-типа, затвор которого соединен с входом, подключенным к выходному узлу схемы делителя напряжения, а сток соединен со стоком второго МОП-транзистора с каналом p-типа и выполняет функцию выходного узла блока сравнения,
истоки первого и второго МОП-транзисторов с каналом n-типа соединены со стоком третьего МОП-транзистора с каналом n-типа, исток которого соединен с уровнем заземления.

В заявленной схеме генерирования внутреннего питающего напряжения выходная схема, генерирующая внутреннее питающее напряжение, содержит
МОП-транзистор с каналом p-типа, исток которого соединен с выходом внешнего питающего напряжения, затвор - с выходным узлом блока сравнения, сток является выходным узлом, генерирующим внутреннее питающее напряжение.

Для разъяснения изобретения и того, каким образом оно может быть осуществлено, оно поясняется примерами со ссылкой на прилагаемые схематические чертежи, на которых:
фиг. 1 показывает обычный генератор внутреннего питающего напряжения;
фиг. 2 показывает выходные характеристики генератора внутреннего питающего напряжения на фиг. 1;
фиг. 3 показывает другое исполнение генератора опорного напряжения на фиг. 1;
фиг. 4 показывает генератор внутреннего питающего напряжения согласно настоящему изобретению;
фиг. 5 показывает выходные характеристики генератора внутреннего питающего напряжения, представленного на фиг. 4;
фиг. 6 иллюстрирует вариант исполнения генератора внутреннего питающего напряжения, показанного на фиг. 4; и
фиг. 7 - таблица, иллюстрирующая зависимость мощности возбуждения тока в МОП-транзисторах от изменения температуры.

Подробное описание изобретения
На фиг. 4 видно, как схема делителя напряжения 80 соединена с блоком сравнения 60 и выходной схемой 70. Генератор опорного напряжения 50, к которому прилагают внешнее питающее напряжение, генерирует опорное напряжение V_оп. Блок сравнения 60, подсоединенный к выходу генератора опорного напряжения 50, сопоставляет первое входное напряжение, связанное с опорным напряжением V_оп, с вторым входным напряжением. Выход блока сравнения 60 соединен с входным зажимом 5 выходной схемы 70 для генерирования внутреннего питающего напряжения. Схема делителя напряжения 80, соединенная с выходной схемой 70, генерирует второе входное напряжение на выходном узле последнего, обеспечивая тем самым возможность повышения уровня выходного напряжения выходной схемы 70 в зависимости от повышения температуры. Следует также отметить, что схема делителя напряжения 80 имеет первый и второй переменные резисторы R₁', R₂', сопротивления которых увеличиваются при повышении температуры, причем сопротивление первого переменного резистора R₁' выше, чем второго R₂'. Кроме того, у первого переменного резистора R₁' отношение увеличения сопротивления к повышению температуры будет выше, чем у второго переменного резистора R₂'.

Выходное напряжение V_{ссвнут.} генератора внутреннего питающего напряжения 100, показанного на фиг. 4, может быть записано в виде формулы
,
где отношение изменения сопротивления к изменению температуры - R₁'>R₂'.

Следовательно, с повышением температуры отношение повышения сопротивления у первого переменного резистора R₁' становится выше, чем у второго переменного резистора R₂', чем вызывается увеличение внутреннего питающего напряжения.

С помощью фиг. 5 можно также понять, что внутреннее питающее напряжение V_{ссвнут.} повышается устойчиво и постоянно по мере увеличения температуры. В связи с этим разрешаются как проблема, присущая обычным схемам, при которых при повышении температуры происходит падение опорного напряжения V_оп генератора опорного напряжения, что ведет к нежелательному снижению внутреннего питающего напряжения, так и проблема, связанная с тем, что при повышении внешнего питающего напряжения происходит увеличение опорного напряжения, что вызывает неустойчивость внутреннего питающего напряжения.

Ниже, со ссылкой на фиг. 6, дается подробное описание варианта исполнения генератора внутреннего питающего напряжения 50 на фиг. 4. Данный генератор опорного напряжения 50 имеет источник постоянного тока 31, вход которого соединен с выходом внешнего питающего напряжения V_{ссвнеш.}, причем выходной узел 38 соединен с выходом источника постоянного тока 31, а также со схемой, соединенной между выходным узлом и уровнем заземления, для понижения уровня напряжения на выходном узле 38 до заданного.

Схема понижения напряжения имеет первый резистор 35, соединенный с выходным узлом 38; другой же конец первого резистора 35 соединен с общими коллектором и базой первого двухполярного транзистора 32, эмиттер которого соединен с уровнем заземления. Второй резистор 36, один конец которого связан с выходным узлом 38, соединен с коллектором второго двухполярного транзистора 33, база которого связана с коллектором первого двухполярного транзистора 32 и эмиттером, соединенным с уровнем заземления через третий резистор 37. Выходной узел 38, кроме того, соединен с коллектором третьего двухполярного транзистора 34, база которого подсоединена к коллектору второго двухполярного транзистора 3, и эмиттер связан с уровнем заземления.

Блок сравнения 60 имеет первый МОП-транзистор 39 с каналом p-типа, исток которого соединен с выходом внешнего питающего напряжения, и второй МОП-транзистор 40 с каналом p-типа, исток которого соединен также с выходом внешнего питающего напряжения. Затвор первого МОП-транзистора 39 с каналом p-типа соединен с общими затвором и стоком второго МОП-транзистора с каналом p-типа 40. Далее, затвор первого МОП-транзистора 41 n-типа связан с выходом первого входного напряжения, то есть опорного напряжения V_оп. Причем первый МОП-транзистор 41 с каналом n-типа своим стоком соединен со стоком первого МОП-транзистора 39 с каналом p-типа и истоком - с истоком второго МОП-транзистора 43 с каналом n-типа, сток которого связан со стоком второго МОП-транзистора с каналом p-типа 40, а затвор соединен с выходом второго входного напряжения. Истоки первого и второго МОП-транзисторов 41, 43 с каналом n-типа соединены со стоком третьего МОП-транзистора 42 с каналом n-типа, исток которого связан с уровнем заземления, и затвор соединен с выходом первого входного напряжения. Узел 44 соединения стоков первого МОП-транзистора с каналом p-типа 39 и первого МОП- транзистора 41 с каналом n-типа выполняет функцию выходного узла компаратора 60.

Выходная схема 70 содержит МОП-транзистор с каналом p-типа, исток которого соединен с выходом внешнего питающего напряжения V_{ссвнеш.}, а затвор - с выходным узлом 44 компаратора 60. Сток МОП-транзистора 45 с каналом p-типа соединен с выходным узлом 48, через который генерируется внутреннее питающее напряжение V_{ссвнут.}.

Схема делителя напряжения 80 содержит первый МОП-транзистор 46 с каналом p-типа, исток которого соединен с выходным узлом 49 выходной схемы 70, а затвор и сток соединены так, что образуют диод. Второй МОП-транзистор 47 с каналом p-типа своим истоком соединен со стоком первого МОП-транзистора 46 с каналом p-типа, а образующие диод затвор и сток связаны с уровнем заземления. Кроме того, выходной узел 48, с которым соответственно связаны сток и исток первого и второго МОП-транзисторов с каналом p-типа, соединен с выходом второго входного напряжения.

Для генерирования постоянного опорного напряжения независимо от изменений температуры генератор опорного напряжения 50 снабжен двухполярными транзисторами. Например, выходное напряжение предлагаемого нового генератора опорного напряжения 50 определяется по формуле:

где V_BE - напряжение база-эмиттер третьего двухполярного транзистора 34; V_t - термоэлектрическое напряжение; R_b и R_c - соответственно второй и третий резисторы 36, 37; и I_s1 и I_s2 - ток насыщения коллекторов соответственно у первого и второго двухполярных транзисторов 32, 33.

Генератор опорного напряжения 50 выполняют таким образом, чтобы можно было комбинировать напряжение база-эмиттер V_BE с отрицательным коэффициентом температуры 2.2 мВ/^oC с термоэлектрическим напряжением V_t, имеющим положительный коэффициент температуры - 0.085 мВ/^oC с целью получения нулевого температурного коэффициента. Следовательно, в отличие от обычного генератора опорного напряжения, использующего МОП-транзисторы с каналом p-типа, имеющие отрицательный температурный коэффициент - 3 мВ/^oC, предлагаемый генератор опорного напряжения 50 может генерировать устойчивое постоянное опорное напряжение независимо от изменений температуры.

Далее, схема делителя напряжения 80 подсоединена так, что обеспечивает повышение опорного напряжения V_оп, а тем самым и повышение внутреннего питающего напряжения V_{ссвнут.} в соответствии с повышением температуры. Для этой цели проводимость канала первого МОП-транзистора 46 с каналом p-типа предусмотрена меньшей, чем проводимость канала g₂ у второго МОП-транзистора 47 с каналом p-типа; следовательно, сопротивление канала первого МОП-транзистора 46 с каналом p-типа будет выше, чем у второго МОП-транзистора 47 с каналом p-типа. Известно, что проводимость - величина, обратная по отношению к величине сопротивления. Из вышесказанного следует, что возбуждающая сила тока уменьшается для МОП-транзистора с высоким сопротивлением канала. Вообще МОП-транзистор с большой протяженностью канала подвержен большему влиянию температуры, чем МОП-транзистор с каналом малой протяженности; следовательно, у МОП-транзистора с каналом большой протяженности изменения сопротивления канала в зависимости от температуры будут сравнительно значительными.

Ниже рассматривается генератор внутреннего питающего напряжения (фиг. 6), работающий при нормальной температуре 25^oC. Опорное напряжение V_оп. от генератора опорного напряжения 50 прилагают к затворам первого и третьего МОП-транзистора 41, 42 с каналом n-типа. В этот момент, если указанное напряжение будет выше, чем напряжение, приложенное к затвору второго МОП-транзистора с каналом n-типа 43 компаратора 60, то данное напряжение будет на выходном узле 49 выходной схемы 70. В то же время в случае, если опорное напряжение V_оп будет таким же, как и выходное напряжение схемы делителя напряжения 80, то посредством вышеуказанной схемы 80 внутреннее питающее напряжение поддерживается постоянным. Через некоторое время, если температура повышается до уровня выше 83^oC, то ток в первом МОП-транзисторе 46 с каналом p-типа в схеме разделения напряжения 80 уменьшается, следовательно, к затвору второго МОП-транзистора с каналом n-типа 43 блока сравнения 60 прилагается напряжение меньшее, чем при нормальной температуре. Таким образом, напряжение на выходном узле 44 блока сравнения 60 будет ниже, чем при нормальной температуре и в результате этого происходит повышение напряжения на выходном узле 49, то есть, внутреннее питающее напряжение выходной схемы 70. Далее, по мере все большего повышения температуры, ток, полученный в канале первого МОП-транзистора 46 схемы делителя напряжения 80, все больше уменьшается, в результате чего с повышением температуры возрастает внутреннее питающее напряжение выходного узла 49 выходной схемы 70. Вследствие этого ввиду того, что предотвращают износ МОП-транзистора из-за изменений температуры, представляется возможным получить полупроводниковое запоминающее устройство, работающее устойчиво.

Для обеспечения понимания схемы делителя напряжения 80 согласно настоящему изобретению ниже на фиг. 7 приводится таблица, подробно иллюстрирующая степень снижения возбуждающей силы тока для МОП-транзистора с затвором, имеющим оксидный слой толщиной в 160 . Ниже для удобства разъяснения дано пояснение, общее для МОП-транзистора с каналом p-типа и МОП-транзистора с каналом n-типа, причем то, что относится МОП-транзистору с каналом p-типа, заключено в скобки. Возбуждающую силу тока, представленную на таблице для МОП-транзистора с каналом n-типа (МОП-транзистора с каналом p-типа), измеряют при режиме, когда приложенные к затвору и стоку напряжения составляют +4,0 В (-4,0 В), а напряжение подложка-исток - 2,0 В (0 В). Степень снижения возбуждающей силы тока при температуре 85^oC показана в сравнении со степенью снижения возбуждающей силы тока при температуре 25^oC. Для специалиста данной области техники понятно, высокая степень снижения возбуждающей силы тока означает высокую степень повышения сопротивления канала в ответ на повышение температуры для МОП-транзистора. Следовательно, при поддержании проводимости канала МОП-транзистора на низком уровне сопротивление этого канала будет высоким, а поэтому будет высоким и показатель увеличения сопротивления.

Из приведенного описания следует, что предлагаемый генератор внутреннего питающего напряжения может компенсировать уменьшение возбуждающей силы тока, возникающее вследствие повышения температуры, а также снижение быстродействия этого генератора, происходящее из-за уменьшения возбуждающей силы тока. Следовательно, полупроводниковое запоминающее устройство, использующее новую схему, может работать устойчиво независимо от изменений температуры.

Хотя на чертежах и в описании представлены конкретные конструкции и способы, обеспечивающие осуществление настоящего изобретения, тем не менее это не означает, что изобретение ограничивается именно этими элементами и конструкциями. Специалист данной области техники может легко понять, что возможно использование особых элементов или подконструкций, если они не выходят за рамки объема и существа настоящего изобретения.

Схема генерирования внутреннего питающего напряжения, питающаяся внешним питающим напряжением, включает схему делителя напряжения (80), имеющую первый переменный резистор с более высоким сопротивлением в качестве нагрузочного элемента и второй переменный резистор с более низким сопротивлением в качестве возбуждающего элемента. При повышении температуры сопротивление первого переменного резистора увеличивается и тем самым уменьшается проходящий по нему ток. К выходу схемы делителя напряжения (80) подсоединен блок сравнения (60), который обеспечивает возможность повышения в выходной схеме (70) внутреннего питающего напряжения в ответ на повышение температуры. Технический результат: устройство генерирует устойчивое постоянное внутреннее питающее напряжение, прилагаемое к полупроводниковому запоминающему устройству, независимо от изменений температуры. 3 з.п.ф-лы. 7 ил.

1. Схема генерирования внутреннего питающего напряжения, прилагаемого к запоминающему устройству, которая из внешнего питающего напряжения вырабатывает пониженное внутреннее питающее напряжение, включающая выходную схему, генерирующую внутреннее питающее напряжение, схему делителя напряжения, принимающую выходной сигнал выходной схемы, соединенную с уровнем заземления, имеющую первый и второй резисторы и выходной узел, генератор опорного напряжения, принимающий внешнее питающее напряжение, служащее для генерирования опорного напряжения, и имеющий выходной узел генератора опорного напряжения, блок сравнения, сопоставляющий первое входное напряжение с выходного узла генератора опорного напряжения и второе входное напряжение с выходного узла схемы делителя напряжения, выходной узел блока сравнения соединен с входом выходной схемы, отличающаяся тем, что генератор опорного напряжения содержит первый резистор, один вывод которого соединен с выходным узлом генератора опорного напряжения, а второй вывод соединен с коллектором и базой первого биполярного транзистора, эмиттер которого соединен с уровнем заземления, второй резистор, один вывод которого соединен с выходным узлом генератора опорного напряжения, а другой вывод соединен с коллектором второго биполярного транзистора, база которого соединена с коллектором первого биполярного транзистора, третий резистор, один вывод которого соединен с эмиттером второго биполярного транзистора, а другой вывод - с уровнем заземления, третий биполярный транзистор, коллектор которого соединен с выходным узлом генератора опорного напряжения, база соединена с коллектором второго биполярного транзистора, а эмиттер соединен с уровнем заземления, первый и второй резисторы схемы делителя напряжения имеют сопротивления, увеличивающиеся при повышении температуры, причем отношение увеличения сопротивления к повышению температуры у первого резистора выше, чем у второго резистора. 2. Схема по п.1, отличающаяся тем, что первый и второй резисторы схемы делителя напряжения выполнены на первом МОП-транзисторе с каналом p-типа, исток которого соединен с выходом выходной схемы, генерирующей внутреннее питающее напряжение, затвор и сток, образуя диод, соединены между собой, а также с выходным узлом схемы делителя напряжения и с истоком второго МОП-транзистора с каналом p-типа, у которого затвор и сток, образуя диод, соединены с уровнем заземления, причем сопротивление канала первого МОП-транзистора с каналом p-типа выше, чем у второго МОП-транзистора с каналом p-типа. 3. Схема по п.1 или 2, отличающаяся тем, что блок сравнения содержит первый МОП-транзистор с каналом p-типа, исток которого соединен с выходом внешнего питающего напряжения, второй МОП-транзистор с каналом p-типа, исток которого соединен с выходом внешнего питающего напряжения, затвор и сток которого соединены с затвором первого МОП-транзистора с каналом p-типа, первый МОП-транзистор с каналом n-типа, затвор которого соединен с входом, подсоединенным к выходному узлу генератора опорного напряжения, а сток соединен со стоком первого МОП-транзистора с каналом p-типа, второй МОП-транзистор с каналом n-типа, затвор которого соединен с входом, подключенным к выходному узлу схемы делителя напряжения, а сток соединен со стоком второго МОП-транзистора с каналом p-типа и выполняет функцию выходного узла блока сравнения, истоки первого и второго МОП-транзисторов с каналом n-типа соединены со стоком третьего МОП-транзистора с каналом n-типа, исток которого соединен с уровнем заземления. 4. Схема по любому из пп.1 - 3, отличающаяся тем, что выходная схема, генерирующая внутреннее питающее напряжение, содержит МОП-транзистор с каналом p-типа, исток которого соединен с выходом внешнего питающего напряжения, затвор - с выходным узлом блока сравнения, сток является выходным узлом, генерирующим внутреннее питающее напряжение.