Изобретение относится к газовому анализу, в частности к резистивным газовым датчикам для контроля токсичных газов и, может быть использовано на предприятиях нефтегазовой, химической промышленности и других для контроля сероводорода в воздухе рабочих зон.
Известен также датчик сероводорода на основе полупроводника с неравномерно нанесенной на него инертной пленкой (патент US 4387165 от 04.12.82, опублик. 06.07.83, G 01 N 27/12, G 01 N 27/16), в качестве которой может использоваться оксид индия или оксид олова. При адсорбции определяемого газового компонента изменяется проводимость слоя. К недостаткам данного устройства относится относительно высокая температура (150-300oС), при которой проводится измерение содержания сероводорода, что повышает потребляемую датчиком мощность, усложняет прибор и ухудшает его экономические характеристики.
Известен датчик сероводорода (заявка GB 2192459 от 07.07.86, опублик. 13.01.88, МКИ G 01 N 27/12) на основе пластины Аl2О3. Недостатком такого устройства является необходимость использования высокой температуры (200-300oС) для создания оптимальных условий определения сероводорода.
В качестве прототипа предлагаемого изобретения выбран датчик сероводорода (а. с. SU 1797028 А1 от 30.01.91), способ изготовления которого заключается в последовательном формировании на диэлектрической подложке чувствительного слоя на основе легированной SnO2, формируемого путем чередующегося вакуумного напыления из двух испарителей с последующим отжигом полученной пленки сначала в токе увлажненного воздуха в течение 4 часов, а затем в токе осушенного воздуха с добавлением паров HF в течение 0,5 ч для снижения зависимости сигнала датчика от влажности анализируемой среды. Рабочая температура датчика при определении сероводорода в воздухе 155oС. Датчику, изготовленному по описанному способу, присущ ряд недостатков: относительно высокая рабочая температура (155oС) определения сероводорода, что повышает потребляемую датчиком мощность и уменьшает ресурс работы датчика; необходимость дополнительных операций для устранения влияния влажности анализируемой газовой смеси на показания датчика при определении Н2S, что увеличивает время и усложняет процесс изготовления датчика; использование фтороводорода - высокотоксичного и опасного соединения.
Целью данного изобретения является повышение чувствительности и селективности определения сероводорода в воздушных средах в широкой области концентраций, снижение температуры, при которой производится определение содержания газа, устранение влияния влажности на показания датчика.
Поставленная цель достигается тем, что в датчике газообразного сероводорода (фиг. 1), состоящего из диэлектрической подложки (1), газочувствительного слоя (2) и электродов (3), в качестве чувствительного слоя используют гетероструктуру на основе висмутсодержащего гетерополисосдинсния, получаемого на подложке боратновисмутатного стекла в результате травления его поверхности в ортофосфорной кислоте и последующей модификации полученного осадка фосфата висмута 12-молибдофосфатом аммония.
Датчик газообразного сероводорода изготовлен путем последовательного формирования на диэлектрической подложке газочувствительного слоя с последующей сушкой и отжигом. Газочувствительный слой формируется в результате травления поверхности подложки в ортофосфорной кислоте в течение 10-15 мин при t= 90-105oC с последующей модификацией полученного осадка фосфата висмута насыщенными растворами парамолибдата аммония и 12-молибденфосфорной кислоты.
Слой газочувствительного вещества представляет собой гетероструктуру, полученную в результате травления висмутсодержащего стекла в ортофосфорной кислоте с получением осадка Bi PO4 и дальнейшей его модификации с помощью 12-молибдофосфата аммония (NН4)3[РМо12О40]. Полученную структуру сушат при 100-120oС в течение 2 ч, а затем отжигают при 400-500oС в течение 1 ч. Снятие аналитического сигнала производится через токоотводы (4).
Пример 1.
Датчик по данному способу изготавливают на подложке висмутсодержащего стекла (30% В2O3, 70% Bi2О3) путем травления его поверхности в Н3РO4 при t= 100oC в течение 10 мин. Полученный осадок, представляющий собой фосфат висмута, обладающий высокой адгезией к поверхности матричного слоя (стекла), последовательно обрабатывают растворами парамолибдата аммония (NH4)6Mo7O24 и 12-молибденфосфорной кислоты Н3[РМо12О40]. Образующийся осадок 12-молибдофосфата аммония равномерно распределяется в объеме слоя. Поверх сформированной гeтeроструктуры наносится электродная структура.
Необходимый уровень концентрации сероводорода в газовой фазе создают путем дозирования точного объема раствора Na2S в раствор серной кислоты с известной концентрацией.
Измерение характеристик датчика проводят на переменном токе частотой 1 кГц с помощью иммитансометра. Аналитическим сигналом служит изменение проводимости Δσ газочувствительной гетероструктуры под действием различного содержания H2S в газовой фазе. Сигнал, достаточный для регистрации, получен при комнатной температуре.
Характер полученной градуировочной зависимости датчика приведен на фиг. 2, в соответствии с которой диапазон линейной зависимости Δσ от концентрации H2S составляет 0-60 мг/м3 с Sr=0,03-0,07. Время отклика датчика - 15 сек, время релаксации - 10 сек (фиг.2) при ступенчатом периодическом воздействии импульса сероводорода (фиг.3,4).
Результаты исследования показали практическую независимость сигнала датчика при определении H2S от влажности анализируемой среды.
Таким образом, заявляемый способ позволяет изготавливать датчики сероводорода, обладающие высокой чувствительностью определения H2S, более низкой, чем у прототипа, рабочей температурой измерения содержания Н2S и независимостью показаний датчика от влажности анализируемой среды.
Достоверность достижения цели видна из приведенных результатов экспериментальных исследований (фиг.1-4) датчиков, изготовленных по данному способу.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2008 |
|
RU2365908C1 |
ДАТЧИК ДЛЯ СОВМЕСТНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРОВ ВОДЫ И СЕРОВОДОРОДА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2009 |
|
RU2418295C1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РЕЦЕПТОРНОГО СЛОЯ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СЕРОВОДОРОДА | 2013 |
|
RU2537726C1 |
ДАТЧИК ГАЗООБРАЗНОГО АММИАКА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТАЛЛОКОМПЛЕКСОВ ПОРФИРИНОВ | 1996 |
|
RU2172486C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ СЕНСОРА АММИАКА | 2006 |
|
RU2310833C1 |
ДАТЧИК ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ГИДРИДОВ АЗОТА И ИХ ПРОИЗВОДНЫХ В ГАЗОВЫХ СРЕДАХ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ГАЛОГЕНИРОВАННЫХ МЕТАЛЛОКОМПЛЕКСОВ ПОРФИРИНОВ | 1998 |
|
RU2172487C2 |
ДАТЧИК СОДЕРЖАНИЯ СЕРНИСТОГО ГАЗА В ВОЗДУХЕ | 2010 |
|
RU2440567C1 |
СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ОБРАЗЦОВ ДЛЯ ЛЮМИНЕСЦЕНТНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ d-ЭЛЕМЕНТОВ В СОСТАВЕ ОКСИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | 2001 |
|
RU2194268C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИЗШИХ ОЛЕФИНОВ | 1999 |
|
RU2144055C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР | 1995 |
|
RU2102815C1 |
Использование: для контроля токсичных газов на предприятиях нефтегазовой, химической промышленности и в других отраслях для контроля сероводорода в воздухе рабочих зон. Технический результат изобретения заключается в повышении чувствительности и селективности определения сероводорода в воздушных средах в широкой области концентраций, снижении температуры, при которой производится определение, устранении влияния влажности на показания датчика. Сущность: датчик содержит диэлектрическую подложку из боратно-висмутатного стекла, газочувствительный слой, которым является гетероструктура на основе висмутсодержащего гетерополисоединения. Также предложен способ изготовления этого датчика. 2 с.п. ф-лы, 4 ил.
Способ изготовления газового датчика | 1991 |
|
SU1797028A1 |
СЕНСОР ДЛЯ АНАЛИЗА ГАЗООБРАЗНЫХ ВЕЩЕСТВ | 1995 |
|
RU2088914C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ГАЗОВОГО ДАТЧИКА | 1994 |
|
RU2073853C1 |
US 4822465 А, 18.04.1989 | |||
US 4387165 А, 07.06.1983 | |||
Mizei J.Lannto U., Air pollution monitoring with a semiconductor gas sensor array system | |||
- Sensors and Actuators B, 19 92, v | |||
Приспособление для точного наложения листов бумаги при снятии оттисков | 1922 |
|
SU6A1 |
Способ исправления пайкой сломанных алюминиевых предметов | 1921 |
|
SU223A1 |
Авторы
Даты
2002-07-10—Публикация
2001-05-25—Подача