СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЭЛЕМЕНТА В ВЕЩЕСТВЕ СЛОЖНОГО ХИМИЧЕСКОГО СОСТАВА Российский патент 2003 года по МПК G01N23/223 

Таблицыр

Изобретение относится к аналитической химии. Способ включает облучение пробы анализируемого вещества гамма- или рентгеновским излучением, регистрацию интенсивностей характеристической линии определяемого элемента и рассеянного пробой первичного излучения. Затем, используя впервые полученное аналитическое выражение, связывающее оптимальную поверхностную плотность дополнительного поглотителя из анализируемого вещества и измеренные интенсивности, рассчитывают точное значение оптимальной поверхностной плотности поглотителя, при котором происходит наиболее полный учет матричного эффекта. Затем дополнительный поглотитель рассчитанной поверхностной плотности помещают между анализируемой пробой и детектором и регистрируют интенсивность характеристической линии определяемого элемента в прямом измерении и интенсивность рассеянного пробой первичного излучения, прошедшего через дополнительный поглотитель. Концентрацию определяемого элемента в анализируемой пробе рассчитывают по аналитическому сигналу, представляющему собой отношение вышеуказанных интенсивностей. Техническим результатом изобретения является повышенная точность измерений. 3 ил.

Способ определения концентрации элемента в веществе сложного химического состава, включающий облучение пробы анализируемого вещества гамма- или рентгеновским излучением, отличающийся тем, что предварительно регистрируют интенсивности характеристической линии определяемого элемента и интенсивности некогерентно рассеянного пробой первичного излучения в прямом измерении, затем по значениям измеренных интенсивностей определяют оптимальное значение поверхностной плотности дополнительного поглотителя из анализируемого вещества, при котором происходит максимальный учет матричного эффекта по выражению

где I_s - интенсивность некогерентно рассеянного пробой первичного излучения в прямом измерении;

I_i - интенсивность анализируемой линии определяемого элемента в прямом измерении;

К_i, К_s - коэффициенты пропорциональности, не зависящие от химического состава пробы;

М_0a - массовый коэффициент поглощения первичного излучения в анализируемом элементе;

Е₀ и Е_i - энергии первичного и характеристического излучения;

ϕ - угол между пучком первичного излучения и поверхностью пробы;

ψ - угол между поверхностью пробы и вторичным излучением (включающим характеристическое и рассеянное), испускаемым веществом пробы в направлении детектора;

S_k - скачок поглощения для анализируемой линии,

затем регистрируют интенсивности характеристической линии определяемого элемента в прямом измерении и некогерентно рассеянного пробой первичного излучения, прошедшего через поглотитель оптимальной поверхностной плотности, а содержание концентрации элемента устанавливают по отношению указанных интенсивностей.