Показать метаданные Скрыть метаданные

(19)

(11)

2 313 623

(13)

(51)

МПК

C30B29/16(2006-01-01)

C30B23/02(2006-01-01)

H01L33/00(2006-01-01)

H01S5/32(2006-01-01)

(21) (22)

Заявка

2005126721/15, 2004-02-16

(24)

Дата начала отсчета патента

2004-02-16

(22)

дата подачи заявки

2004-02-16

(45)

опубликовано

2007-12-27

(72)

авторы

Итиносе НоборуСимамура КиесиАоки КазуоГарсия Виллора Энкарнасьон Антониа

(73)

патентообладатели

Васеда Юниверсити

(56)

Документы, цитированные в отчете о поиске

VILLORA E.Get alCathodoluminescence of undoped β-GaO single crystals"Solid State Communications", 120, 2001, p.455-458ВИЛЬКЕ К.-ТМетоды выращивания кристаллов.- Л., Ленинградотд.: Изд-во "Недра", 1968, с.270, 271, рис.270DUNESCU Met alZnO thin film deposition by laser ablation of Zn target in oxygen

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ТОНКОЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ, СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ GaO И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ Российский патент 2007 года по МПК C30B29/16 C30B23/02 H01L33/00 H01S5/32

Описание патента на изобретение RU2313623C2

Текст описания приведен в факсимильном виде.

Иллюстрации к изобретению RU 2 313 623 C2

Реферат патента 2007 года СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ТОНКОЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ, СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ GaO И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к технологии производства тонких оксидных монокристаллических пленок и может быть использовано в оптике. Сущность изобретения: тонкую монокристаллическую пленку β-Ga₂O₃ формируют путем выращивания из газовой фазы на подложке, изготовленной из монокристалла β-Ga₂O₃. Лазерный луч направляют на мишень для возбуждения атомов, составляющих мишень. Атомы Ga высвобождаются из мишени в результате термического и фотохимического воздействия. Свободные атомы Ga связываются с радикалами одного или более газов в атмосфере камеры с образованием тонкой пленки β-Ga₂O₃ на подложке. Описано также светоизлучающее устройство, включающее подложку n-типа, изготовленную легированием монокристалла β-Ga₂O₃ донорами, слой p-типа, изготовленный легированием монокристалла β-Ga₂O₃ акцептором, и представленное в виде перехода на верхней поверхности подложки n-типа. Изобретение позволяет получать тонкие монокристаллические пленки β-Ga₂O₃ и GaN, а также монокристаллы ZnO высокого качества, светоизлучающее устройство способно излучать свет в ультрафиолетовой области. 7 н. и 17 з.п. ф-лы, 27 ил.

Формула изобретения RU 2 313 623 C2

1. Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, характеризующийся

получением подложки, изготовленной из монокристалла β-Ga₂O₃;

облучением возбуждающим лучом металлической мишени, изготовленной из Ga или сплава, содержащего Ga, в атмосфере, состоящей из одного, двух или более газов, выбранных из газообразного кислорода, газообразного кислорода, содержащего озон, чистого озонсодержащего газа, газообразного N₂O, газообразного NO₂, газообразного кислорода, содержащего радикалы кислорода, и радикалов кислорода; и

комбинированием химических частиц, таких как атомы, молекулы и ионы, высвобождаемых из металлической мишени под действием облучения возбуждающим лучом, с одним или более газами с образованием на подложке тонкой монокристаллической пленки, изготовленной из β-Ga₂O₃.

2. Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, характеризующийся

получением подложки, изготовленной из монокристалла β-Ga₂O₃;

облучением возбуждающим лучом металлической мишени, изготовленной из Zn или сплава, содержащего Zn, в атмосфере, состоящей из одного, двух или более газов, выбранных из газообразного кислорода, газообразного кислорода, содержащего озон, чистого озонсодержащего газа, газообразного N₂O, газообразного NO₂, газообразного кислорода, содержащего радикалы кислорода и радикалов кислорода; и

комбинированием химических частиц, таких как атомы, молекулы и ионы, высвобождаемых из металлической мишени под действием облучения возбуждающим лучом, с одним или более газами с образованием на подложке монокристалла, изготовленного из ZnO.

3. Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки по п.2, характеризующийся тем, что

выращивание тонкой монокристаллической пленки из ZnO выполняют путем формирования буферного слоя, изготовленного из тонкой кристаллической пленки ZnO, и выращивания тонкой монокристаллической пленки на буферном слое.

4. Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, характеризующийся

получением подложки, изготовленной из монокристалла β-Ga₂O₃;

облучением возбуждающим лучом металлической мишени, изготовленной из Ga или сплава, содержащего Ga, в атмосфере, состоящей из одного, двух или более газов, выбранных из радикалов азота, газообразного NH₃, газообразного NH₃, содержащего радикалы азота; и

5. Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки по п.4, характеризующийся тем, что

выращивание тонкой монокристаллической пленки из GaN выполняют путем формирования буферного слоя, изготовленного из тонкой кристаллической пленки GaN, и выращивания тонкой монокристаллической пленки на буферном слое.

6. Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки по любому из пп.1, 2 и 4, характеризующийся тем, что получение подложки осуществляют путем формирования по способу плавающей зоны - FZ.

7. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃, характеризующееся наличием

первого слоя, изготовленного из монокристалла Ga₂O₃ и обладающего проводимостью n-типа; и

второго слоя, изготовленного из монокристалла Ga₂O₃ и обладающего проводимостью p-типа и сформированного на первом слое.

8. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃ по п.7, характеризующееся наличием

активного слоя между первым слоем и вторым слоем.

9. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃ по п.7, характеризующееся тем, что

один из первого и второго слоев является подложкой, а другой является тонкой пленкой, которую выращивают на подложке.

10. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃ по п.9, характеризующееся тем, что поверхность подложки, на которой выращивают тонкую пленку, является плоскостью (100).

11. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃ по п.9, характеризующееся тем, что поверхность подложки, на которой выращивают тонкую пленку, является плоскостью (001).

12. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃ по п.9, характеризующееся тем, что

поверхность подложки, на которой выращивают тонкую пленку, является плоскостью (010).

13. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃ по п.9, характеризующееся тем, что

поверхность подложки, на которой выращивают тонкую пленку, является плоскостью (101).

14. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃ по п.7, характеризующееся тем, что

первый слой является подложкой или тонкой пленкой и

подложка или тонкая пленка обладает проводимостью n-типа вследствие дефектов по кислороду в монокристалле Ga₂O₃.

15. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃ по п.7, характеризующееся тем, что

первый слой является подложкой или тонкой пленкой; и

подложка или тонкая пленка обладает проводимостью n-типа вследствие добавления донорной примеси в подложку или тонкую пленку.

16. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃ по п.7, характеризующееся тем, что

второй слой является подложкой или тонкой пленкой и

подложка или тонкая пленка обладает проводимостью p-типа вследствие дефектов по кислороду в монокристалле Ga₂O₃.

17. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃ по п.7, характеризующееся тем, что

второй слой является подложкой или тонкой пленкой и

подложка или тонкая пленка обладает проводимостью p-типа вследствие добавления акцепторной примеси в подложку или тонкую пленку.

18. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃, характеризующееся наличием

подложки, изготовленной из монокристалла Ga₂O₃, обладающей проводимостью n-типа; и

тонкой пленки, изготовленной из монокристалла Ga₂O₃, обладающей проводимостью p-типа и сформированной на подложке.

19. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃ по п.18, характеризующееся тем, что

тонкую пленку, изготовленную из монокристалла Ga₂O₃, имеющую концентрацию носителя, отличную от концентрации носителя подложки, и обладающую проводимостью n-типа, формируют между подложкой и тонкой пленкой, обладающей проводимостью p-типа.

20. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃ по п.19, характеризующееся тем, что

буферный слой, изготовленный из монокристалла Ga₂O₃, формируют между подложкой и тонкой пленкой, обладающей проводимостью n-типа.

21. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃, характеризующееся наличием

подложки, изготовленной из монокристалла Ga₂O₃ и обладающей проводимостью p-типа; и

тонкой пленки, изготовленной из монокристалла Ga₂O₃, обладающей проводимостью n-типа и сформированной на подложке.

22. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃ по п.21, характеризующееся тем, что

тонкую пленку, изготовленную из монокристалла Ga₂O₃, имеющую концентрацию носителя, отличную от концентрации носителя подложки и обладающую проводимостью p-типа, формируют между подложкой и тонкой пленкой, обладающей проводимостью n-типа.

23. Светоизлучающее устройство на основе Ga₂O₃ по п.22, характеризующееся тем, что

буферный слой, изготовленный из монокристалла Ga₂O₃, формируют между подложкой и тонкой пленкой, обладающей проводимостью p-типа.

24. Способ изготовления светоизлучающего устройства на основе β-Ga₂O₃, характеризующийся

формированием подложки, изготовленной из монокристалла Ga₂O₃ и обладающей проводимостью n-типа;

отжигом подложки с образованием изолирующей подложки;

добавлением донорской примеси на изолирующую подложку с образованием тонкой пленки, обладающей проводимостью n-типа; и

добавлением акцепторной примеси в тонкую пленку с образованием на ней дополнительной тонкой пленки, обладающей проводимостью p-типа.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2007 года RU2313623C2

VILLORA E.G
et al
Cathodoluminescence of undoped β-GaO single crystals
"Solid State Communications", 120, 2001, p.455-458
ВИЛЬКЕ К.-Т
Методы выращивания кристаллов.- Л., Ленинград
отд.: Изд-во "Недра", 1968, с.270, 271, рис.270
DUNESCU M
et al
ZnO thin film deposition by laser ablation of Zn target in oxygen

RU 2 313 623 C2

Авторы

Итиносе Нобору

Симамура Киеси

Аоки Казуо

Гарсия Виллора Энкарнасьон Антониа

Даты

2007-12-27—Публикация

2004-02-16—Подача

название	год	авторы	номер документа
УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛА ОКСИДА ГАЛЛИЯ	2017	Хосикава Кейго Кобаяси Такуми Оба Ецуко Янагисава Дзун	RU2729682C2
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА НИТРИДА НА КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЕ, НИТРИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ С ЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ, И СПОСОБ ТАКОГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ	2006	Парк Хее Сеок Жиляев Юрий Васильевич Бессолов Василий Николаевич	RU2326993C2
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПЛЕНКИ НИТРИДА ГАЛЛИЯ	2014	Томашпольский Юрий Яковлевич Матюк Владимир Михайлович Садовская Наталия Владимировна	RU2578870C2
МОНОКРИСТАЛЛ НИТРИДА, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ИСПОЛЬЗУЕМАЯ В НЕМ ПОДЛОЖКА	2008	Бомон Бернард Фори Жан-Пьер	RU2485221C2
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТЕМПЛЕЙТА НИТРИДА ГАЛЛИЯ ПОЛУПОЛЯРНОЙ (20-23) ОРИЕНТАЦИИ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, ИЗГОТОВЛЕНИЕ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СПОСОБА	2013	Бессолов Василий Николаевич Кукушкин Сергей Арсеньевич Лукьянов Андрей Витальевич Осипов Андрей Викторович Коненкова Елена Васильевна	RU2540446C1
СПОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИТРИДОВ МЕТАЛЛОВ 3А ГРУППЫ ХИМИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ	1996	Водаков Юрий Александрович Мохов Евгений Николаевич Рамм Марк Григорьевич Роенков Александр Дмитриевич Макаров Юрий Николаевич Карпов Сергей Юрьевич Рамм Марк Спиридонович	RU2097452C1
Способ магнетронного распыления оксида галлия в постоянном токе путем его легирования атомами кремния	2022	Амашаев Рустам Русланович Умаханов Магомед Алимагомедович Исубгаджиев Шамиль Магомедшарипович Исмаилов Абубакар Магомедович	RU2799989C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ОКСИДА ЦИНКА С БЫСТРЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ В УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА	2001	Рабаданов М.Р. Рабаданов Р.А.	RU2202010C1
БУЛЯ НИТРИДА ЭЛЕМЕНТА III-V ГРУПП ДЛЯ ПОДЛОЖЕК И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ	2001	Водоу Роберт П. Флинн Джеффри С. Брандз Джордж Р. Редуинг Джоан М. Тишлер Майкл А.	RU2272090C2
Способ получения пластины монокристалла нитрида галлия	2018	Буравлев Алексей Дмитриевич Кукушкин Сергей Арсеньевич Осипов Андрей Викторович Лукьянов Андрей Витальевич Мизеров Андрей Михайлович Святец Генадий Викторович Соболев Максим Сергеевич Тимошнев Сергей Николаевич Шарофидинов Шукрилло Шамсидинович	RU2683103C1

Описание патента на изобретение RU2313623C2

Похожие патенты RU2313623C2

Иллюстрации к изобретению RU 2 313 623 C2

Реферат патента 2007 года СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ТОНКОЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ, СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ GaO И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Формула изобретения RU 2 313 623 C2

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2007 года RU2313623C2

RU 2 313 623 C2