СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТЕРЖНЕЙ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ Российский патент 2008 года по МПК C30B29/48 B82B3/00 

Описание патента на изобретение RU2334836C1

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковых нанотехнологиях.

Развитие нанотехнологий требует получения наноматериалов из полупроводниковых соединений, ранее использовавшихся только в виде макрокристаллов и/или микрокристаллов. Одним из таких материалов является селенид кадмия (CdSe), широко применяемый в инфракрасной технике.

Известен способ получения наностержней из селенида кадмия [N.Wei, L.Xiaobo, С.Yanming. Manufacturing method of cadmium selenide and cadmium telluride nanometer rod. Патент CN 1524782] (прототип) реакцией соединений кадмия и селена в растворе. Основной недостаток такого способа - наличие примесей компонентов раствора в наностержнях, что приводит к получению материала с содержанием селенида кадмия не выше 99,95%.

Задачей данного изобретения является получение наностержней селенида кадмия с содержанием CdSe не менее 99,999%.

Эта задача решается в предлагаемом способе получения наностержней селенида кадмия путем испарения расплава CdSe и осаждения паров на холодной подложке, причем процесс проводится под давлением аргона 7-9 МПа в течение 5-20 минут.

Проведение процесса по предлагаемому способу позволяет получать наностержни из селенида кадмия с содержанием CdSe не ниже 99,999% даже при содержании CdSe в испаряемой навеске на уровне 99,95%. Это объясняется очисткой материала в ходе процесса: нелетучие примеси остаются в зоне испарения, а большая часть летучих примесей осаждается раздельно.

Параметры процесса выбраны экспериментально.

При давлениях аргона ниже 7 МПа, из-за большой скорости испарения источника селенида кадмия, в зоне осаждения растут преимущественно микрокристаллы CdSe. Увеличение давления выше 9 МПа не приводит к росту выхода наностержней.

При временах проведения процесса менее 5 минут снижается выход наностержней, а при продолжительности процесса свыше 20 минут в зоне осаждения наблюдается значительное количество микрокристаллов в виде стержней с диаметром 10 мкм и более.

Выбор инертного газа в качестве рабочей среды обусловлен высокой реакционной способностью паров селенида кадмия. Выбор аргона обусловлен экономическими соображениями: стоимость аргона ниже стоимости других инертных газов.

Пример 1

Навеска CdSe, из обрезков (отходов механической обработки) кристаллов, с содержанием селенида кадмия 99,994% помещается в зону испарения реактора. В зоне осаждения располагается графитовая подложка. Реактор заполняется аргоном так, чтобы в рабочем режиме давление в камере составляло 9 МПа. Зона испарения реактора разогревается до температуры плавления CdSe (1250°С). Процесс проводится в течение 20 минут, после чего нагрев отключается. Реактор охлаждается, подложка извлекается из зоны осаждения. На подложке образовались наностержни CdSe диаметром 5-10 нм. Содержание CdSe в наностержнях 99,9993%.

Пример 2

Навеска CdSe, приготовленная синтезом из элементов, с содержанием селенида кадмия 99,95% помещается в зону испарения реактора. В зоне осаждения располагается графитовая подложка. Реактор заполняется аргоном так, чтобы в рабочем режиме давление в камере составляло 7 МПа. Зона испарения реактора разогревается до температуры плавления CdSe (1250°С). Процесс проводится в течение 5 минут, после чего нагрев отключается. Реактор охлаждается, подложка извлекается из зоны осаждения. На подложке образовались наностержни CdSe диаметром 10-15 нм. Содержание CdSe в наностержнях 99,9991%.

Пример 3

Навеска CdSe, приготовленная синтезом из элементов, с содержанием селенида кадмия 99,95% помещается в зону испарения реактора. В зоне осаждения располагается графитовая подложка. Реактор заполняется аргоном так, чтобы в рабочем режиме давление в камере составляло 8 МПа. Зона испарения реактора разогревается до температуры плавления CdSe (1250°С). Процесс проводится в течение 15 минут, после чего нагрев отключается. Реактор охлаждается, подложка извлекается из зоны осаждения. На подложке образовались наностержни CdSe диаметром 8-12 нм. Содержание CdSe в наностержнях 99,9992%.

Похожие патенты RU2334836C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОПОРОШКА ТУЛЛУРИДА ЦИНКА-КАДМИЯ С СОСТАВОМ CdZnTe 2006
  • Колесников Николай Николаевич
  • Кведер Виталий Владимирович
  • Борисенко Дмитрий Николаевич
  • Борисенко Елена Борисовна
  • Гартман Валентина Кирилловна
  • Тимонина Анна Владимировна
RU2307785C1
Способ получения нанопорошка триоксида молибдена MoО в реакторе 2023
  • Редькин Борис Сергеевич
  • Колесников Николай Николаевич
  • Борисенко Дмитрий Николаевич
  • Борисенко Елена Борисовна
RU2808903C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОПОРОШКА СЕЛЕНОТЕЛЛУРИДА ЦИНКА 2010
  • Колесников Николай Николаевич
  • Кведер Виталий Владимирович
  • Борисенко Дмитрий Николаевич
  • Борисенко Елена Борисовна
  • Гартман Валентина Кирилловна
  • Орлов Валерий Иванович
  • Тимонина Анна Владимировна
RU2415805C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ РЕЗИСТИВНЫХ И ОПТИЧЕСКИ НЕЛИНЕЙНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ 1993
  • Гончарова Ольга Викторовна[By]
  • Демин Андрей Васильевич[Ru]
RU2089656C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОБЪЕМНОГО ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ ПРЕССОВАНИЕМ 2004
  • Колесников Николай Николаевич
  • Кведер Виталий Владимирович
  • Борисенко Елена Борисовна
  • Борисенко Дмитрий Николаевич
  • Гартман Валентина Кирилловна
RU2278186C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОБЪЕМНОГО ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА-КАДМИЯ ХОЛОДНЫМ ПРЕССОВАНИЕМ 2006
  • Колесников Николай Николаевич
  • Кведер Виталий Владимирович
  • Борисенко Елена Борисовна
  • Борисенко Дмитрий Николаевич
  • Гартман Валентина Кирилловна
  • Тимонина Анна Владимировна
RU2318928C1
Способ получения коллоидных квантовых точек селенида кадмия в оболочке хитозана 2018
  • Безносюк Сергей Александрович
  • Штоббе Ирина Андреевна
RU2695130C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОКОМПОЗИТА НА ОСНОВЕ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОЛИМЕРНОЙ МАТРИЦЫ И НЕОРГАНИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКА 2009
  • Шандрюк Георгий Александрович
  • Тальрозе Раиса Викторовна
  • Шаталова Алина Михайловна
  • Мерекалов Алексей Сократович
RU2414491C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ОПТИЧЕСКОГО СЕЛЕНИДА ЦИНКА 2010
  • Гарибин Евгений Андреевич
  • Гусев Павел Евгеньевич
  • Демиденко Алексей Александрович
  • Дунаев Анатолий Алексеевич
  • Миронов Игорь Алексеевич
  • Цзи Ицинь
  • Го Цзявуй
  • Хун Вэй
  • Чжан Жунши
RU2490376C2
ЛАЗЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПРОЕКТОР 2008
  • Грузинцев Александр Николаевич
  • Редькин Аркадий Николаевич
RU2366050C1

Реферат патента 2008 года СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТЕРЖНЕЙ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковых нанотехнологиях. Сущность изобретения: в способе получения наностержней из селенида кадмия путем испарения расплава и осаждения паров на холодной подложке процесс проводится под давлением аргона 7-9 МПа в течение 5-20 минут. Способ позволяет получать наностержни CdSe диаметром 5-15 нм с чистотой 99,999%.

Формула изобретения RU 2 334 836 C1

Способ получения наностержней селенида кадмия, отличающийся тем, что наностержни получают путем испарения расплава селенида кадмия и осаждения паров на холодной подложке, причем процесс проводится под давлением аргона 7-9 МПа в течение 5-20 мин.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2008 года RU2334836C1

CN 1524782 A, 01.09.2004
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ И ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ И УСТРОЙСТВ, СОДЕРЖАЩИХ НАНОЧАСТИЦЫ 2002
  • Губин С.П.
  • Хомутов Г.Б.
RU2233791C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ТИПА AB Использование: в приборостроении, квантовой электронике, лазерной спектроскопии и т 1991
  • Кобзарь-Зленко В.А.
  • Иванов Н.П.
  • Файнер М.Ш.
  • Комарь В.К.
RU2031983C1
SU 1279277 A1, 27.09.1996
Способ обработки целлюлозных материалов, с целью тонкого измельчения или переведения в коллоидальный раствор 1923
  • Петров Г.С.
SU2005A1
Способ обработки целлюлозных материалов, с целью тонкого измельчения или переведения в коллоидальный раствор 1923
  • Петров Г.С.
SU2005A1

RU 2 334 836 C1

Авторы

Колесников Николай Николаевич

Кведер Виталий Владимирович

Борисенко Дмитрий Николаевич

Борисенко Елена Борисовна

Тимонина Анна Владимировна

Даты

2008-09-27Публикация

2007-02-22Подача