Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам нанесения фоторезиста на кремниевую подложку для проведения технологических процессов фотолитографии.
Известны способы нанесения фоторезиста на подложку, сущность которых состоит в нанесении фоторезиста на поверхность подложки: электростатическое, распыление и т.д. [1].
Недостатками этих способов являются неравномерность нанесения фоторезиста и включение различных загрязнений на поверхность подложки.
Целью изобретения является получение равномерности распределения фоторезиста по поверхности подложки и нанесение фоторезиста без включений различных загрязнений.
Поставленная цель достигается использованием метода нанесения фоторезиста центрифугированием, состоящим из трех этапов: 1 - растекание фоторезиста, 2 - сбрасывание излишков фоторезиста, 3 - формирование профиля слоя фоторезиста.
Сущность способа заключается в том, что на поверхности подложки формируют резистивный слой толщиной, равной 1,3±0,1 мкм. Подложки предварительно подвергают обработке в инфракрасной (ИК) сушке в печи при температурах 75±5°С, 85±5°С, 105±5°С и времени 4±1 минуты. Затем нанесение фоторезистивного слоя осуществляется методом центрифугирования в три этапа: 1 - растекание фоторезистивного слоя 10±5; 2 - сбрасывание излишков фоторезиста при скорости вращения столика VI=950±50 об/мин, VII=2800±200 об/мин; 3 - формирование профиля слоя фоторезиста.
Предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что нанесение фоторезистивного слоя на подложку осуществляется с помощью изменения скорости вращения столика. Изменение скорости вращения столика от 900 до 3000 об/мин методом центрифугирования влияет на равномерность толщины формируемых фоторезистивных слоев, причем толстый слой у края подложки уменьшается при более высоких скоростях вращения. Это связано с различной вязкостью фоторезистивного слоя, что вызвано неодинаковыми условиями формирования слоя, поскольку скорость растекания резиста растет в квадрате по отношению к радиусу при удалении от центра подложки.
Контроль качества нанесения фоторезистивного слоя определяется с помощью микроскопа МИИ-4. Разброс по толщине пленки слоя фоторезиста на подложках составляет 3,0±0,5%.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке «08ФН-125/200-004». Подложки предварительно подвергают обработке в ИК-сушке при температурах, равных 85±5°С, 95±5°С, 105±5°С и времени 4±1 минуты. Затем нанесение фоторезистивного слоя осуществляется методом центрифугирования в три этапа:
1 - растекание фоторезистивного слоя 10±5;
2 - сбрасывание излишков фоторезиста при частоте вращения VI=850±50 об/мин, VII=2200±200 об/мин;
3 - формирование профиля слоя фоторезиста.
Контроль качества нанесения фоторезистивного слоя определяется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина фоторезистивного слоя δФ/С=1,6±0,1 мкм.
Разброс по толщине пленки фоторезистивного слоя на подложках составляет 5,5±0,5%.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при скорости вращения столика:
VI=850±50 об/мин, VII=2200±200 об/мин.
Толщина фоторезистивного слоя δФ/С=1,5±0,1 мкм.
Разброс по толщине пленки слоя фоторезиста на подложках составляет 4,5+0,5%.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при скорости вращения столика:
VI=950±50 об/мин, VII=2600±200 об/мин.
Толщина фоторезистивного слоя δФ/С=1,5±0,1 мкм.
Разброс по толщине пленки слоя фоторезиста на подложках составляет 3,5±0,5%.
ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при скорости вращения столика:
VI=950±50 об/мин, VII=2800±200 об/мин.
Толщина фоторезистивного слоя δФ/С=1,3±0,1 мкм.
Разброс по толщине пленки слоя фоторезиста на подложках составляет 2,5±0,5%.
Как следует из результатов опытов, одним из самых эффективных технологических режимов нанесения фоторезистивного слоя, является процесс, который проводят при скорости вращения стола, равной:
VI=950±50 об/мин, VII=2800±200 об/мин.
Таким образом, нанесение фоторезистивного слоя на поверхность подложки методом центрифугирования позволяет получить качественный и равномерный фоторезистивный слой для дальнейших фотолитографических операций.
Литература
1. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. / Под редакцией Л.А.Коледов. - М.: «Радио и связь», 1989, - с.400.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ ПЛЕНКИ ИЗ РАСТВОРА НА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ С ПРИМЕНЕНИЕМ РАСТВОРИТЕЛЕЙ С ВЫСОКОЙ ТЕМПЕРАТУРОЙ КИПЕНИЯ | 2017 |
|
RU2688495C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА ВРАЩЕНИЕМ | 1992 |
|
RU2012093C1 |
Способ формирования контактных окон в слое защитного основания высоковольтного прибора | 2016 |
|
RU2645920C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОГО ДИАПАЗОНА | 2005 |
|
RU2293400C1 |
СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ | 2015 |
|
RU2586400C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА МЕТОДОМ ЦЕНТРИФУГИРОВАНИЯ | 2012 |
|
RU2509390C1 |
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ПЛЕНКИ В ПРОЦЕССЕ ЕЕ НАНЕСЕНИЯ | 1999 |
|
RU2157509C1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ ПЛЕНКИ ИЗ РАСТВОРА НА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ | 2017 |
|
RU2666175C1 |
СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ | 1996 |
|
RU2096935C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ Z-СРЕЗА | 2012 |
|
RU2475950C1 |
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам нанесения фоторезиста на кремниевую подложку для проведения технологических процессов фотолитографии. Техническим результатом изобретения является получение равномерного распределения фоторезиста по поверхности подложки и нанесение фоторезиста без включений различных загрязнений. Сущность изобретения: в способе нанесения фоторезистивного слоя на подложку проводят предварительную обработку подложек в ИК - сушке в печи при температурах 75±5°С, 85±5°С, 105±5°С и времени, равном 4±1 минуты, нанесение фоторезистивного слоя осуществляют методом центрифугирования в три этапа: 1 - растекание фоторезистивного слоя 10±5 мкм; 2 - сбрасывание излишков фоторезиста при скорости вращения столика VI=950±50 об/мин, VII=2800±200 об/мин; 3 - формирование профиля слоя фоторезиста толщиной - δФ/С=1,3±0,1 мкм, при этом разброс по толщине пленки слоя фоторезиста на подложках составляет 2,5±0,5%.
Метод нанесения фоторезистивного слоя на подложку, включающий предварительную обработку подложек в ИК-сушке в печи при температурах 75±5°С, 85±5°С, 105±5°С и времени, равном 4±1 мин, отличающийся тем, что нанесение фоторезистивного слоя осуществляется методом центрифугирования в три этапа: 1 - растекание фоторезистивного слоя - 10±5 мкм; 2 - сбрасывание излишков фоторезиста при скорости вращения столика VI=950±50 об./мин, VII=2800±200 об./мин; 3 - формирование профиля слоя фоторезиста, толщина фоторезистивного слоя - δФ/C=1,3±0,1 мкм, разброс по толщине пленки слоя фоторезиста на подложках составляет 2,5±0,5%.
Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок | |||
Под редакцией Л.А.Коледова | |||
- М.: Радио и связь, 1989, с.400 | |||
Способ нанесения фоторезиста и устройство для его осуществления | 1980 |
|
SU937028A1 |
Способ нанесения фоторезиста на подложку печатной схемы с отверстиями | 1978 |
|
SU890997A3 |
Способ нанесения фоторезиста на подложку | 1972 |
|
SU451217A1 |
US 5773082 А, 30.06.1998 | |||
JP 8194316 А, 30.07.1996 | |||
JP 61111382 А, 22.04.1994 | |||
JP 5021330 А, 29.01.1993. |
Авторы
Даты
2009-10-20—Публикация
2008-07-17—Подача