МЕТОД НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОГО СЛОЯ НА ПОДЛОЖКУ Российский патент 2009 года по МПК H01L21/312 

Описание патента на изобретение RU2370853C1

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам нанесения фоторезиста на кремниевую подложку для проведения технологических процессов фотолитографии.

Известны способы нанесения фоторезиста на подложку, сущность которых состоит в нанесении фоторезиста на поверхность подложки: электростатическое, распыление и т.д. [1].

Недостатками этих способов являются неравномерность нанесения фоторезиста и включение различных загрязнений на поверхность подложки.

Целью изобретения является получение равномерности распределения фоторезиста по поверхности подложки и нанесение фоторезиста без включений различных загрязнений.

Поставленная цель достигается использованием метода нанесения фоторезиста центрифугированием, состоящим из трех этапов: 1 - растекание фоторезиста, 2 - сбрасывание излишков фоторезиста, 3 - формирование профиля слоя фоторезиста.

Сущность способа заключается в том, что на поверхности подложки формируют резистивный слой толщиной, равной 1,3±0,1 мкм. Подложки предварительно подвергают обработке в инфракрасной (ИК) сушке в печи при температурах 75±5°С, 85±5°С, 105±5°С и времени 4±1 минуты. Затем нанесение фоторезистивного слоя осуществляется методом центрифугирования в три этапа: 1 - растекание фоторезистивного слоя 10±5; 2 - сбрасывание излишков фоторезиста при скорости вращения столика VI=950±50 об/мин, VII=2800±200 об/мин; 3 - формирование профиля слоя фоторезиста.

Предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что нанесение фоторезистивного слоя на подложку осуществляется с помощью изменения скорости вращения столика. Изменение скорости вращения столика от 900 до 3000 об/мин методом центрифугирования влияет на равномерность толщины формируемых фоторезистивных слоев, причем толстый слой у края подложки уменьшается при более высоких скоростях вращения. Это связано с различной вязкостью фоторезистивного слоя, что вызвано неодинаковыми условиями формирования слоя, поскольку скорость растекания резиста растет в квадрате по отношению к радиусу при удалении от центра подложки.

Контроль качества нанесения фоторезистивного слоя определяется с помощью микроскопа МИИ-4. Разброс по толщине пленки слоя фоторезиста на подложках составляет 3,0±0,5%.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке «08ФН-125/200-004». Подложки предварительно подвергают обработке в ИК-сушке при температурах, равных 85±5°С, 95±5°С, 105±5°С и времени 4±1 минуты. Затем нанесение фоторезистивного слоя осуществляется методом центрифугирования в три этапа:

1 - растекание фоторезистивного слоя 10±5;

2 - сбрасывание излишков фоторезиста при частоте вращения VI=850±50 об/мин, VII=2200±200 об/мин;

3 - формирование профиля слоя фоторезиста.

Контроль качества нанесения фоторезистивного слоя определяется с помощью микроскопа МИИ-4.

Толщина фоторезистивного слоя δФ/С=1,6±0,1 мкм.

Разброс по толщине пленки фоторезистивного слоя на подложках составляет 5,5±0,5%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при скорости вращения столика:

VI=850±50 об/мин, VII=2200±200 об/мин.

Толщина фоторезистивного слоя δФ/С=1,5±0,1 мкм.

Разброс по толщине пленки слоя фоторезиста на подложках составляет 4,5+0,5%.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при скорости вращения столика:

VI=950±50 об/мин, VII=2600±200 об/мин.

Толщина фоторезистивного слоя δФ/С=1,5±0,1 мкм.

Разброс по толщине пленки слоя фоторезиста на подложках составляет 3,5±0,5%.

ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при скорости вращения столика:

VI=950±50 об/мин, VII=2800±200 об/мин.

Толщина фоторезистивного слоя δФ/С=1,3±0,1 мкм.

Разброс по толщине пленки слоя фоторезиста на подложках составляет 2,5±0,5%.

Как следует из результатов опытов, одним из самых эффективных технологических режимов нанесения фоторезистивного слоя, является процесс, который проводят при скорости вращения стола, равной:

VI=950±50 об/мин, VII=2800±200 об/мин.

Таким образом, нанесение фоторезистивного слоя на поверхность подложки методом центрифугирования позволяет получить качественный и равномерный фоторезистивный слой для дальнейших фотолитографических операций.

Литература

1. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. / Под редакцией Л.А.Коледов. - М.: «Радио и связь», 1989, - с.400.

Похожие патенты RU2370853C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ ПЛЕНКИ ИЗ РАСТВОРА НА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ С ПРИМЕНЕНИЕМ РАСТВОРИТЕЛЕЙ С ВЫСОКОЙ ТЕМПЕРАТУРОЙ КИПЕНИЯ 2017
  • Левин Денис Дмитриевич
  • Ромашкин Алексей Валентинович
RU2688495C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА ВРАЩЕНИЕМ 1992
  • Иванов А.С.
  • Валентинов М.М.
  • Недоспасов В.Г.
  • Панов В.Д.
RU2012093C1
Способ формирования контактных окон в слое защитного основания высоковольтного прибора 2016
  • Домашевская Эвелина Павловна
  • Коновалов Александр Васильевич
  • Скиданов Алексей Александрович
  • Фоменко Юрий Леонидович
  • Терехов Владимир Андреевич
  • Турищев Сергей Юрьевич
  • Харин Алексей Николаевич
RU2645920C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОГО ДИАПАЗОНА 2005
  • Курбанова Татьяна Николаевна
  • Гвоздаева Вера Сергеевна
  • Павлов Анатолий Юрьевич
RU2293400C1
СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ 2015
  • Ильин Евгений Юрьевич
  • Жуков Андрей Александрович
  • Попова Елена Викторовна
  • Павлов Александр Александрович
RU2586400C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА МЕТОДОМ ЦЕНТРИФУГИРОВАНИЯ 2012
  • Нетесин Николай Николаевич
  • Короткова Галина Петровна
  • Корзенев Геннадий Николаевич
  • Поволоцкий Сергей Николаевич
  • Карпова Маргарита Валерьевна
  • Аксенова Ольга Владимировна
  • Цыганов Александр Борисович
  • Русских Галина Владимировна
RU2509390C1
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ПЛЕНКИ В ПРОЦЕССЕ ЕЕ НАНЕСЕНИЯ 1999
  • Абрамов Г.В.
  • Битюков В.К.
  • Ерыгин Д.В.
  • Попов Г.В.
RU2157509C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ ПЛЕНКИ ИЗ РАСТВОРА НА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ 2017
  • Ромашкин Алексей Валентинович
  • Левин Денис Дмитриевич
  • Петухов Владимир Александрович
  • Розанов Роман Юрьевич
RU2666175C1
СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ 1996
  • Смолин В.К.
  • Донина М.М.
RU2096935C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ Z-СРЕЗА 2012
  • Нетесин Николай Николаевич
  • Короткова Галина Петровна
  • Корзенев Геннадий Николаевич
  • Поволоцкий Сергей Николаевич
  • Карпова Маргарита Валерьевна
  • Аксенова Ольга Владимировна
  • Королев Олег Валентинович
  • Аладышева Наталья Николаевна
  • Шильников Антон Александрович
RU2475950C1

Реферат патента 2009 года МЕТОД НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОГО СЛОЯ НА ПОДЛОЖКУ

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам нанесения фоторезиста на кремниевую подложку для проведения технологических процессов фотолитографии. Техническим результатом изобретения является получение равномерного распределения фоторезиста по поверхности подложки и нанесение фоторезиста без включений различных загрязнений. Сущность изобретения: в способе нанесения фоторезистивного слоя на подложку проводят предварительную обработку подложек в ИК - сушке в печи при температурах 75±5°С, 85±5°С, 105±5°С и времени, равном 4±1 минуты, нанесение фоторезистивного слоя осуществляют методом центрифугирования в три этапа: 1 - растекание фоторезистивного слоя 10±5 мкм; 2 - сбрасывание излишков фоторезиста при скорости вращения столика VI=950±50 об/мин, VII=2800±200 об/мин; 3 - формирование профиля слоя фоторезиста толщиной - δФ/С=1,3±0,1 мкм, при этом разброс по толщине пленки слоя фоторезиста на подложках составляет 2,5±0,5%.

Формула изобретения RU 2 370 853 C1

Метод нанесения фоторезистивного слоя на подложку, включающий предварительную обработку подложек в ИК-сушке в печи при температурах 75±5°С, 85±5°С, 105±5°С и времени, равном 4±1 мин, отличающийся тем, что нанесение фоторезистивного слоя осуществляется методом центрифугирования в три этапа: 1 - растекание фоторезистивного слоя - 10±5 мкм; 2 - сбрасывание излишков фоторезиста при скорости вращения столика VI=950±50 об./мин, VII=2800±200 об./мин; 3 - формирование профиля слоя фоторезиста, толщина фоторезистивного слоя - δФ/C=1,3±0,1 мкм, разброс по толщине пленки слоя фоторезиста на подложках составляет 2,5±0,5%.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2009 года RU2370853C1

Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок
Под редакцией Л.А.Коледова
- М.: Радио и связь, 1989, с.400
Способ нанесения фоторезиста и устройство для его осуществления 1980
  • Алексейчук Николай Александрович
  • Трущелев Анатолий Павлович
  • Беспалова Нина Ивановна
  • Третьяков Анатолий Дмитриевич
SU937028A1
Способ нанесения фоторезиста на подложку печатной схемы с отверстиями 1978
  • Эвальд Лозерт
  • Хайнц Рембольд
SU890997A3
Способ нанесения фоторезиста на подложку 1972
  • Старожилова Антонина Ивановна
  • Городилов Борис Михайлович
SU451217A1
US 5773082 А, 30.06.1998
JP 8194316 А, 30.07.1996
JP 61111382 А, 22.04.1994
JP 5021330 А, 29.01.1993.

RU 2 370 853 C1

Авторы

Исмаилов Тагир Абдурашидович

Шахмаева Айшат Расуловна

Шангереева Бийке Алиевна

Даты

2009-10-20Публикация

2008-07-17Подача