СПОСОБ ЛОКАЛЬНОЙ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛА ЧЕРЕЗ МАСКУ Российский патент 2012 года по МПК H01L21/3065 

Описание патента на изобретение RU2439740C1

Изобретение относится к средствам общего назначения для обработки материалов с помощью электрической энергии и может быть использовано в технологии полупроводниковых приборов.

Известен способ локальной плазмохимической обработки материала - травление, предусматривающий размещение над материалом торцом к нему диэлектрического стержня и возбуждение электрического разряда в газе подачей напряжения на два электрода, между которыми находятся материал и стержень. При выполнении определенных условий на расположение и размеры стержня скорость травления под его торцом увеличивается в 2-10 раз по сравнению со скоростью травления остальной поверхности материала, что и обеспечивает локальность обработки [1].

Ограничения на размеры и форму торца стержня обуславливают ограниченность получаемых фигур травления - они представляют собой круги диаметром до нескольких миллиметров. Невозможность получения фигуры травления произвольной формы и размеров является существенным недостатком этого способа.

В ближайшем по технической сущности аналоге изобретения локальность плазмохимической обработки достигается наложением на рабочую поверхность материала тонкой металлической маски, защищающей часть этой поверхности от контакта с электрическим разрядом и тем самым от обработки - она идет только на незащищенных маской местах после размещения материала с маской между двумя электродами рабочей поверхностью к одному из них и возбуждения электрического разряда в плазмообразующем газе подачей на электроды напряжения [2].

Недостатком этого способа является низкая эффективность использования электроэнергии и плазмообразующего газа, поскольку электрический разряд в газе происходит не только у мест обработки материала, но и над поверхностью маски.

Техническим результатом от реализации изобретения является повышение эффективности использования электроэнергии и плазмообразующего газа. Этот результат достигается тем, что в способе локальной плазмохимической обработки материала через маску, включающем размещение материала между двумя электродами рабочей поверхностью к первому их них, защиту части рабочей поверхности материала маской и возбуждение электрического разряда в газе между электродами подачей на них напряжения, согласно изобретению, толщина используемой маски больше всех тех ее возможных при данном режиме возбуждения электрического разряда значений, при которых у той поверхности маски, которая обращена к первому электроду, загорается электрический разряд.

На фиг.1-2 схематически изображены варианты реализации предложенного способа. Здесь 1 и 2 - электроды, между которыми расположен обрабатываемый материал 3 рабочей поверхностью к первому электроду 1, 4 - маска. Чем больше толщина маски 4 при неизменном расстоянии между электродами 1 и 2, тем меньше расстояние между электродом 1 и обращенной к нему поверхностью маски 4, показанное на фиг.1. Когда это расстояние соизмеримо или меньше длины свободного пробега частиц используемого плазмообразующего газа, то в зазоре между маской 4 и электродом 1 электрический разряд возникнуть не может. Поэтому при таких расстояниях электрический разряд происходит только в пространстве между открытыми участками материала 3 и электродом 1, что и обеспечивает повышение эффективности использования электроэнергии и плазмообразующего газа.

На фиг.2 показан один из возможных вариантов реализации изобретения, предусматривающий выполнение маски и сегментов электрода 1 в виде единого блока, позволяющего упростить процедуру подготовки материала 3 к локальной обработке электрическим разрядом - достаточно подвести блок к обрабатываемой поверхности и подать напряжение на электроды. Продукты плазмохимических реакций могут отводиться через специальные отверстия 5 в блоке и/или через зазор между маской 4 и материалом 3, ширина которого L должна быть порядка или меньше длины свободного пробега частицы газа, чтобы предотвратить возникновение в зазоре электрического разряда.

Литература

1. RU 2091904 С1, Воронежский государственный университет, 27.09.1997.

2. Черный Б.И., Новоженюк Л.И. Свободные маски в технологии электронной техники. Зарубежная электронная техника, №2,1981 г., с.20 - прототип.

Похожие патенты RU2439740C1

название год авторы номер документа
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛОКАЛЬНОГО ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОДЛОЖЕК 2010
  • Абрамов Владимир Александрович
  • Аксенова Лидия Александровна
  • Климов Андрей Владимирович
  • Рубинштейн Владимир Михайлович
  • Сергиенко Анатолий Иванович
  • Цукерман Александр Аронович
  • Черных Владимир Кириллович
RU2451114C2
СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ 2010
  • Абрамов Александр Владимирович
  • Панкратова Елена Александровна
  • Суровцев Игорь Степанович
RU2436185C1
СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА 1995
  • Абрамов А.В.
  • Дикарев Ю.И.
  • Суровцев И.С.
RU2091904C1
СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ InP 2019
  • Аврамчук Александр Васильевич
  • Давлятшина Асия Радифовна
  • Каргин Николай Иванович
RU2734845C1
СПОСОБ ИОННО-ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИ И НИТРИДА КРЕМНИЯ 1978
  • Булгаков С.С.
  • Косоплеткин А.Р.
  • Красножон А.И.
  • Толстых Б.Л.
SU749293A1
РЕАКТОР ДЛЯ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР 2017
  • Павлов Георгий Яковлевич
  • Сологуб Вадим Александрович
  • Айрапетов Александр Арменакович
  • Бирюков Михаил Георгиевич
  • Одиноков Вадим Васильевич
  • Карпенкова Елена Владимировна
  • Гусева Наталья Борисовна
  • Павлов Владимир Борисович
  • Неклюдова Полина Алексеевна
  • Никонов Александр Михайлович
  • Петров Александр Кириллович
  • Вавилин Константин Викторович
  • Кралькина Елена Александровна
RU2670249C1
КОМБИНИРОВАННЫЙ ИНДУКЦИОННО-ДУГОВОЙ ПЛАЗМОТРОН И СПОСОБ ПОДЖИГА ИНДУКЦИОННОГО РАЗРЯДА 2014
  • Уланов Игорь Максимович
  • Исупов Михаил Витальевич
  • Литвинцев Артем Юрьевич
  • Мищенко Павел Александрович
RU2558728C1
Способ селективного травления кремний-металлосодержащего слоя в многослойных структурах 1990
  • Стасюк Игорь Олегович
  • Куницин Анатолий Викторович
  • Фоминых Николай Аркадьевич
  • Иванковский Максим Максимович
  • Меерталь Игорь Олегович
  • Остапчук Сергей Александрович
SU1819356A3
СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ 2006
  • Шустин Евгений Германович
  • Исаев Николай Васильевич
  • Федоров Юрий Владимирович
RU2316845C1
Способ плазмохимической обработки полупроводниковых пластин 1982
  • Сологуб В.А.
  • Долгополов В.М.
  • Иванов В.И.
  • Гущин О.П.
  • Хоббихожин Ш.А.
  • Медведев А.П.
SU1088589A1

Иллюстрации к изобретению RU 2 439 740 C1

Реферат патента 2012 года СПОСОБ ЛОКАЛЬНОЙ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛА ЧЕРЕЗ МАСКУ

Изобретение относится к способам общего назначения для обработки материалов с помощью электрической энергии и может быть использовано в технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ локальной плазмохимической обработки материала через маску включает размещение материала между двумя электродами рабочей поверхностью к первому из них, защиту части рабочей поверхности материала маской и возбуждение электрического разряда в газе между электродами подачей на них напряжения. Толщину используемой маски выбирают больше всех тех ее возможных при данном режиме возбуждения электрического разряда значений, при которых у той поверхности маски, которая обращена к первому электроду, происходит электрический разряд. Новым в способе является использование маски такой достаточно большой толщины, при которой электрический разряд у поверхности маски, обращенной к первому электроду, не загорается. Поэтому электрический разряд горит только в пространстве между открытыми участками материала и первым электродом, что повышает эффективность использования электроэнергии и плазмообразующего газа, а также увеличивает скорость травления. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Формула изобретения RU 2 439 740 C1

1. Способ локальной плазмохимической обработки материала через маску, включающий размещение материала между двумя электродами рабочей поверхностью к первому из них, защиту части рабочей поверхности материала маской и возбуждение электрического разряда в газе между электродами подачей на них напряжения, отличающийся тем, что толщина используемой маски больше всех тех ее возможных при данном режиме возбуждения электрического разряда значений, при которых у той поверхности маски, которая обращена к первому электроду, происходит электрический разряд.

2. Способ локальной плазмохимической обработки материала через маску по п.1, отличающийся тем, что первый электрод выполнен в виде отдельных сегментов, расположение которых обеспечивает возбуждение каждым из них электрического разряда у соответствующего ему участка материала.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2012 года RU2439740C1

Черный Б.И., Новоженюк Л.И
Свободные маски в технологии электронной техники
Зарубежная электронная техника
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА 1995
  • Абрамов А.В.
  • Дикарев Ю.И.
  • Суровцев И.С.
RU2091904C1
SU 1814451 А1, 10.03.1996
US 5536364 А, 16.07.1996
US 4741799 А, 03.05.1988
Способ управления процессом разделения оптически активных антиподов 1981
  • Юркевич Валерий Дмитриевич
SU1030353A1

RU 2 439 740 C1

Авторы

Абрамов Александр Владимирович

Панкратова Елена Александровна

Суровцев Игорь Степанович

Даты

2012-01-10Публикация

2010-06-25Подача