ОЧИЩАЮЩИЕ КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ ИНДИВИДУАЛЬНОГО ПРИМЕНЕНИЯ, СОДЕРЖАЩИЕ ГАЛОГЕНИД АМИНОКИСЛОТЫ/ТРИМЕТИЛГЛИЦИНА ЦИНКА Российский патент 2017 года по МПК A61K8/27 A61K8/44 A61Q19/10 A61Q17/04 A61Q15/00 

ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА НА РОДСТВЕННЫЕ ЗАЯВКИ

[0001] Настоящая заявка частично является продолжением заявки № PCT/US2012/70489, поданной 19 декабря 2012 года; PCT/US2012/70492, поданной 19 декабря 2012 года; PCT/US2012/70498, поданной 19 декабря 2012 года; PCT/US2012/70501, поданной 19 декабря 2012 года; PCT/US2012/70505, поданной 19 декабря 2012 года; PCT/US2012/70506, поданной 19 декабря 2012 года; PCT/US2012/70513, поданной 19 декабря 2012 года; PCT/US2012/70521, поданной 19 декабря 2012 года; PCT/US2012/70525, поданной 19 декабря 2012 года; PCT/US2012/70534, поданной 19 декабря 2012 года; PCT/US2012/70537, поданной 19 декабря 2012 года; PCT/US2013/46268, поданной 18 июня 2013 года; PCT/US2013/50845, поданной 17 июля 2013 года; PCT/US2013/68852, поданной 7 ноября 2013 года; PCT/US2013/68854, поданной 7 ноября 2013 года; PCT/US2013/68859, поданной 7 ноября 2013 года; PCT/US2013/68860, поданной 7 ноября 2013 года, содержание каждой из которых включено в настоящий документ посредством ссылки.

ПРЕДШЕСТВУЮЩИЙ УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

[0002] Необычайную сложность представляет собой обеспечение жидких композиций для личной гигиены с солнцезащитными компонентами или средствами, солнцезащитные компоненты которых могут легко депонироваться в коже или другой поверхности. Одна существенная трудность заключается в том, что, как правило, солнцезащитные средства солюбилизируются поверхностно-активным веществом и, несмотря на то, что они могут депонироваться во время пенообразования, они удаляются посредством смывания.

[0003] Существует необходимость в дополнительных очищающих композициях, обеспечивающих доставку солнцезащитных активных агентов на кожу для обеспечения улучшенной солнцезащитной эффективности.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ СУЩНОСТИ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[0004] Очищающая композиция для индивидуального применения содержит:

a) эффективное количество поверхностно-активного вещества для очищения кожи, и

b) галогенид X цинка, присутствующий в количестве для обеспечения, по меньшей мере, 0,36% по массе композиции цинка,

где X является аминокислотой или триметилглицином.

[0005] Кроме того, существует способ применения вышеуказанной композиции для очищения кожи.

[0006] Настоящее изобретение относится к очищающей композиции для индивидуального применения, например, гелю для душа, средству для мытья тела, шампуню, кондиционеру или кусковому мылу, доставляющей на кожу галогенид X цинка, т.е. комплекс ионов цинка, остаток X и галогенид-ион, такой как лизин хлорид цинка (ZnLys₂Cl₂ или ZnЛизин₃Cl₂). X относится к аминокислоте или триметилглицину. Триметилглицин при использовании на всем протяжении настоящего документа относится к N,N,N-триметилглицину.

[0007] Комплекс солюбилизирует соль цинка для обеспечения ее доставки на кожу или волосы из очищающей композиции для индивидуального применения.

[0008] Галогенид X цинка обеспечивает солнцезащитные свойства, также представлен способ снижения наносимого коже вреда от солнечных лучей или защиты кожи от солнечного ожога или вреда от солнечных лучей, включающий очищение кожи очищающей композицией и водой воздействием солнечных лучей.

[0009] Кроме того, представлены способы уничтожения бактерий, включающие взаимодействие бактерий с композицией.

[0010] Кроме того, представлен способ уменьшения потоотделения, включающий очищение кожи с помощью композиции.

[0011] Другие области применения настоящего изобретения станут очевидными из подробного описания, представленного далее в настоящем документе. Следует понимать, что подробное описание и конкретные примеры, несмотря на указание предпочтительного варианта осуществления изобретения, предназначены для иллюстративных целей и не предназначены для ограничения объема изобретения.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[0012] В соответствии с предпочтительными вариантами осуществления изобретения, композиция является жидкой, как правило, водной жидкой, и может быть представлена в форме шампуня, жидкого мыла или моющего средства, пены для ванны, геля для душа, средства для мытья тела или кондиционера.

[0013] Композиция выполняет функцию солнцезащитного фильтра и очищающей композиции.

[0014] Один из вариантов осуществления изобретения относится к композиции, содержащей галогенид X цинка и/или галогенидные материалы-предшественники X цинка, образующие галогенид X цинка in situ (например, источник ионов цинка вместе с гидрогалогенидом X, или галогенид цинка вместе с X, или источник ионов цинка вместе с галогенной кислотой, а также с X). Источником ионов цинка для получения галогенида X цинка является материал, способный высвобождать Zn²⁺ в водном растворе в присутствии X, например, оксида цинка, четырехосновного хлорида цинка, хлорида цинка, карбоната цинка, цитрата цинка, нитрата цинка или фосфата цинка.

[0015] В первом варианте осуществления изобретения представлена очищающая композиция для индивидуального применения для нанесения на кожу или волосы, содержащая галогенид Х цинка, одно или несколько поверхностно-активных веществ, (композиция 1), например,

1.1. Любая из вышеуказанных композиций, также содержащая косметически приемлемый носитель.

1.2. Любая из вышеуказанных композиций, где галогенид Х цинка образован из предшественников, где предшественниками являются источник ионов цинка, источник X и источник галогенида, где источник галогенида может входить в состав источника ионов цинка, источника X или галогенной кислоты.

1.3. Вышеуказанная композиция, где источником ионов цинка является, по меньшей мере, один из оксида цинка, хлорида цинка, четырехосновного хлорида цинка, карбоната цинка, цитрата цинка, нитрата цинка или фосфата цинка.

1.4. Композиции 1.2 или 1.3, где источником X является, по меньшей мере, один из основной аминокислоты, лизина, аргинина и глицина.

1.5. Любая из вышеуказанных композиций, где галогенид Х цинка получают посредством сочетания оксида цинка с гидрогалогенидом аминокислоты.

1.6. Любая из вышеуказанных композиций, где галогенид Х цинка получают посредством сочетания четырехосновного хлорида цинка с гидрогалогенидом аминокислоты, аминокислотой или триметилглицином, необязательно галогенид Х цинка получают посредством сочетания четырехосновного хлорида цинка с лизином, гидрохлоридом лизина или триметилглицином.

1.7. Любая из вышеуказанных композиций, где галогенид Х цинка имеет формулу ZnX₃Hal₂, где Zn является двухвалентным ионом цинка, X является аминокислотой или остатком триметилглицина, и Hal является галогенид-ионом.

1.8. Любая из вышеуказанных композиций, где общее количество цинка, присутствующего в композиции, составляет, по меньшей мере, 0,37%, от 0,36% до 10%, или от 0,37 до 10%, или от 0,36 до 5%, или от 0,37 до 5%, или от 0,4 до 5%, или от 0,4 до 2%, или от 0,4 до 1%, или от 0,5 до 5%, или от 0,5 до 4%, или от 0,5 до 3%, или от 0,5 до 2% по массе композиции.

1.9. Любая из вышеуказанных композиций, где аминокислотой является лизин.

1.10. Любая из вышеуказанных композиций, где галогенид Х цинка присутствует в количестве от 1,5 до 40% по массе композиции, необязательно от, по меньшей мере, 2, по меньшей мере, 3 или, по меньшей мере, 4 до 40% по массе композиции, или, необязательно от 1,5 до 30%, до 20%, до 10%, до 5%, до 4%, до 3%, до 2% или до по массе композиции.

1.11. Любая из вышеуказанных композиций, где молярное соотношение цинка к X составляет от 2:1 до 1:4, необязательно от 1:1 до 1:4, от 1:2 до 1:4, от 1:3 до 1:4, от 2:1 до 1:3, от 2:1 до 1:2, от 2:1 до 1:1 или 1:3.

1.12. Любая из вышеуказанных композиций, где галогенид выбран из группы, состоящей из хлорида, бромида и йодида, предпочтительно хлорида.

1.13. Любая из вышеуказанных композиций, где галогенидом аминокислоты цинка является лизин хлорид цинка.

1.14. Любая из вышеуказанных композиций в безводном носителе.

1.15. Любая из вышеуказанных композиций, содержащая галогенид аминокислоты цинка, образованный из оксида цинка и гидрогалогенида аминокислоты.

1.16. Любая из вышеуказанных композиций, где галогенидом аминокислоты цинка является лизин хлорид цинка (ZnЛизин₂Cl₂ или ZnЛизин₃Cl₂).

1.17. Любая из вышеуказанных композиций, где поверхностно-активное вещество является анионным, неионным, амфотерным/цвиттер-ионным, катионным или их смесью.

1.18. Любая из вышеуказанных композиций, где косметически приемлемый носитель содержит воду в количестве от 1 до 99%, или от 50 до 95%, или от 70 до 95%.

1.19. Любая из вышеуказанных композиций, где композиция обеспечивает солнцезащитный фактор, по меньшей мере, 2, или, по меньшей мере, 5, или, по меньшей мере, 4, или, по меньшей мере, 5 или, по меньшей мере, 6, или, по меньшей мере, 7, или, по меньшей мере, 8, или, по меньшей мере, 9, или, по меньшей мере, 10, или, по меньшей мере, 12, или, по меньшей мере 15, или по меньшей мере 20, или по меньшей мере, 25, или, по меньшей мере, 30 при нанесении на кожу и/или волосы в соответствии со способом.

1.20. Любая из вышеуказанных композиций, где композицией является средством для мытья тела, гель для душа, шампунь, кондиционер для волос или кусковое мыло.

[0016] Также представлен способ снижения наносимого коже вреда от солнечных лучей или защиты кожи от солнечного ожога или вреда от солнечных лучей, включающий очищение кожи очищающей композицией, например, любой из композиций 1 и последующих перед воздействием солнечных лучей.

[0017] Кроме того, представлены способы уменьшения потоотделения, включающие нанесение на кожу эффективного количества антиперспирантного действия любой из композиций 1 и последующих, способы снижения степени запаха пота, включающие нанесение на кожу эффективного количества дезодорирующего действия любой из композиций 1 и последующих, и способы уничтожения бактерий, включающие взаимодействие бактерий с эффективным количеством антибактериального действия композиции галогенида Х цинка, например, любой из композиций 1 и последующих.

[0018] Также представлен способ получения композиции, содержащей галогенид Х цинка, например, любой из композиций 1 и последующих.

[0019] Не намереваясь быть связанными теорией, авторы полагают, что образование галогенида Х цинка происходит посредством образования галогенида цинка, последующей взаимосвязи остатков X вокруг центрального цинка. Посредством использования оксида цинка с гидрохлоридом лизина в воде, в качестве примера, ZnO вступает в реакцию с лизин.HCl посредством диссоциации гидрохлорида для обеспечения реакции: ZnO + HCl → 7 ZnCl₂ + H₂O. Один моль ZnCl₂ вступает в реакцию с 3 моль лизина для образования прозрачного раствора комплекса лизин-хлорид-Zn (ZnЛизин₂Cl₂ или ZnЛизин₃Cl₂), который, как считается, имеет структуру, изображенную на формуле 1, где R обозначает боковую цепь X:

Формула 1

[0020] В этой конфигурации Zn расположен в октаэдрическом центре, взаимосвязанном с двумя атомами кислорода и двумя атомами азота в экваториальной плоскости, образованной двумя карбоновыми кислотами лизина и аминными группами, соответственно. Цинк также взаимосвязан с третьим лизином посредством его азота и карбоксильного углерода, в апикальном положении геометрической структуры металлов. Как представляется, это доминантный комплекс. Возможны другие комплексы цинка и лизина, например, при недостаточном количестве галогенида, например, ZnOLys₂, с пирамидальной структурой, с такой же экваториальной плоскостью, как у вышеуказанного соединения (Zn связан с двумя атомами кислорода и двумя атомами азота от различных лизинов), где вершина пирамиды занята атомом O. Также возможны дополнительные структуры комплексов, включающие множество ионов цинка, на основе структуры четырехосновного хлорида цинка. Цинк может также иметь структуру цинка, представленную в стеарате цинка.

[0021] Взаимодействие цинка и X преобразует нерастворимый ZnO или четырехосновной хлорид цинка в высокорастворимый комплекс при приблизительно нейтральном уровне pH. На коже, содержащей заряженные молекулы, такие как белки и жирные кислоты, происходит флокуляция комплекса с образованием осадка, депонирующегося в коже. В тех случаях, когда происходит разрушение комплекса с высвобождением ионов свободного цинка, ион цинка может гидролизироваться для образования аморфного осадка гидроксида цинка, с последующим депонированием в коже, и, кроме того, ион цинка может уничтожить бактерии на коже, таким образом, снижая степень запаха пота. По мере увеличения количества воды происходит гидролиз ZXH для распределения относительно нерастворимого осадка, содержащего цинк. Осадок, как правило, содержит один или несколько из оксида цинка, цистеина цинка, гидроксида цинка или других соединений, содержащих цинк. Уникальность этого осадка заключается в том, что он обеспечит депонирование в коже. Кроме того, эта реакция атипична в том смысле, что в большинстве случаев разбавление повысит растворимость ионного комплекса.

[0022] Следует понимать, что в вышеуказанной схеме можно использовать другие X вместо лизина. Также следует понимать, что, несмотря на то, что цинк, X и галогенид могут быть преимущественно в форме материалов-предшественников или в форме комплекса, может присутствовать некоторая степень равновесия так, чтобы доля материала, фактически присутствующего в комплексе, по сравнению с долей формы предшественника, могла варьироваться в зависимости от точных условий состава, концентрации материалов, уровня pH, присутствия или отсутствия воды, присутствия или отсутствия других заряженных молекул и т.д.

[0023] В результате комбинации цинка, X и галогенида образуется катионный комплекс-галоидная соль. Галогенид Х цинка является водорастворимым комплексом, образованным из соли присоединения галогенной кислоты цинка (например, хлорида цинка) и X, или из соли присоединения галогенной кислоты цинка X (например, гидрохлорида лизина) и источника ионов цинка, например, оксида цинка или четырехосновного хлорида цинка, и/или из комбинации всех трех из галогенной кислоты, X и источника ионов цинка.

[0024] Источником ионов цинка для сочетания с гидрогалогенидом аминокислоты или X вместе с галогенной кислотой может быть любой источник, эффективно обеспечивающий ионы Zn²⁺, например, оксид цинка, хлорид цинка, четырехосновной хлорид цинка, карбонат цинка, нитрат цинка, цитрат цинка и фосфат цинка. Оксидом цинка является порошок белового цвета, нерастворимый в воде. Четырехосновной хлорид цинка (TBZC) или моногидрат гидроксида хлорида цинка является оксисоединением цинка с формулой Zn₅(OH)₈Cl₂·H₂O, также обозначаемым как основной хлорид цинка, гидроксихлорид цинка или оксихлорид цинка. Он является бесцветным кристаллическим твердым веществом, нерастворимым в воде. Обнаружено, что оба этих материала растворимы в воде в присутствии X и являются источником ионов цинка с одновременным ограничением доступных анионов, так как избыток анионов может препятствовать образованию комплекса.

[0025] Источником аминокислоты может быть любая аминокислота. Примеры аминокислот в качестве неограничивающих примеров включают общеизвестные природные аминокислоты, например: лизин, аргинин, гистидин, глицин, серин, треонин, аспарагин, глутамин, цистеин, селеноцистеин, пролин, аланин, валин, изолейцин, лейцин, метионин, фенилаланин, тирозин, триптофан, аспарагиновую кислоту и глутаминовую кислоту.

[0026] В некоторых вариантах осуществления изобретения аминокислотой является основная аминокислота. Под «основной аминокислотой» подразумевают природные основные аминокислоты, такие как аргинин, лизин и гистидин, а также любую основную аминокислоту с карбоксильной группой и аминогруппой в молекуле, которая является водорастворимой и обеспечивает водный раствор с уровнем pH, составляющим приблизительно 7 или выше. Таким образом, основные аминокислоты в качестве неограничивающих примеров включают аргинин, лизин, цитруллин, орнитин, креатин, гистидин, диаминобутановую кислоту, диаминопропионовую кислоту, их соли или их сочетания. В определенных вариантах осуществления изобретения аминокислотой является лизин. В других вариантах осуществления изобретения аминокислотой является аргинин. Нейтральные аминокислоты, такие как глицин, и даже кислые аминокислоты, такие как аспарагиновая кислота, однако, также способны образовывать соли с сильными кислотами, такими как галогенные кислоты. В некоторых вариантах осуществления изобретения аминокислотой является нейтральная или кислая аминокислота, например, глицин.

[0027] Источник галогенида может входить в состав источника цинка, такого как хлорид цинка или четырехосновной цинк. Источник галогенида может входить в состав аминокислоты, такой как гидрогалогенид аминокислоты. Кроме того, источником галогенида может быть галогенная кислота. Галогенидом может быть хлор, бром или йод, в большинстве случаев хлор. В настоящем документе к соли присоединения кислоты аминокислоты и галогенной кислоты (например, HCl, HBr, или HI) иногда относится гидрогалогенид аминокислоты. Таким образом, одним примером гидрогалогенида аминокислоты является гидрохлорид лизина.

[0028] Количество галогенида Х цинка в композициях является количеством, защищающим от ультрафиолетовых лучей спектра А. В одном из вариантов осуществления изобретения оно также обеспечивает защиту от ультрафиолетовых лучей спектра B. Такое количество является достаточным для обеспечения солнцезащитного фильтра, по меньшей мере, 2 при нанесении на кожу и смывании водой, например, очищении с помощью композиции в течение 30 секунд и смывании водой в течение 30 секунд. В определенных вариантах осуществления изобретения количество галогенида Х цинка в композиции обеспечивает, по меньшей мере, 0,36% цинка по массе композиции. В некоторых вариантах осуществления количество цинка в композиции составляет, по меньшей мере, 0,37%, в другом варианте осуществления изобретения от 0,36 до 10%, в другом варианте осуществления изобретения от 0,37 до 10%, в другом варианте осуществления изобретения от 0,36 до 5%, в другом варианте осуществления изобретения от 0,37 до 5%, в другом варианте осуществления изобретения от 0,4 до 5%, в другом варианте осуществления изобретения от 0,4 до 2%, в другом варианте осуществления от 0,4 до 1%. Для обеспечения необходимого уровня цинка, при использовании порошка галогенида Х цинка количество порошка, составляет, по меньшей мере, 1,5%, в другом варианте осуществления изобретения от 1,5 до 10%, в другом варианте осуществления изобретения от 1,5 до 5%. При использовании раствора галогенида Х цинка количество раствора составляет, по меньшей мере, 5%, в одном из вариантов осуществления изобретения от 5 до 20%, в другом варианте осуществления изобретения от 5 до 15%. В определенных вариантах осуществления изобретения предшественники, например, оксид цинка и гидрогалогенид аминокислоты, присутствуют в таком количестве, чтобы при сочетании с галогенидом Х цинка, галогенид Х цинка присутствовал бы в количестве от 1,5 до 10% по массе композиции. В любом из этих вариантов осуществления изобретения количество галогенида Х цинка может варьироваться для достижения необходимой цели, такой как антибактериальное средство или защита от солнечных лучей. В других вариантах осуществления изобретения количество галогенида Х цинка составляет от, по меньшей мере, 0,5, по меньшей мере, 1, по меньшей мере, 2, по меньшей мере, 3 или, по меньшей мере, 4 до 10% по массе композиции. В других вариантах осуществления изобретения количество галогенида Х цинка составляет менее чем 9, менее чем 8, менее чем 7, менее чем 6, менее чем 5, менее чем 4, менее чем 3, менее чем 2 или менее чем 1% по массе композиции. В других вариантах осуществления изобретения количество цинка в композиции составляет от 0,5 до 5%, от 0,5 до 4%, от 0,5 до 3% или от 0,5 до 2% по массе композиции.

[0029] При образовании галогенида Х цинка из материалов-предшественников материалы-предшественники предпочтительно используют в приблизительном молярном соотношении, требующемся для получения необходимого галогенида Х цинка, несмотря на то, что в определенных составах может быть необходим избыток одного или другого материала, например, для уравновешивания уровня pH по отношению к другим составляющим состава с целью обеспечения дополнительного антибактериального цинка или для обеспечения буфера X. Предпочтительно, однако, количество галогенида является ограниченным, так как ограничение уровня галогенида некоторым образом способствует взаимодействию цинка с X. Например, в одном из вариантов осуществления изобретения для получения лизин хлорид цинка (ZnЛизин₂Cl₂ или ZnЛизин₃Cl₂) молярное соотношение элементов в материалах-предшественниках включает 1 эквивалент Zn²⁺: 3 эквивалента Lys: 2 эквивалента Cl^-.

[0030] В определенных вариантах осуществления изобретения молярное соотношение цинка к X составляет, по меньшей мере, 2:1. В других вариантах осуществления молярное соотношение составляет, по меньшей мере, 1:1, по меньшей мере, 1:2, по меньшей мере, 1:3, по меньшей мере, 1:4, от 2:1 до 1:4, от 1:1 до 1:4, от 1:2 до 1:4, от 1:3 до 1:4, от 2:1 до 1:3, от 2:1 до 1:2, от 2:1 до 1:1 или 1:3. Предполагается, что соотношение выше 1:4 приведет к полному растворению цинка.

[0031] В определенных вариантах осуществления изобретения электропроводность галогенида Х цинка может составлять более 8000, необязательно более 9000, более 10000 или более чем 12000 мкСм/см, предпочтительно при уровне pH, составляющем, по меньшей мере, 4.

[0032] В одном из вариантов осуществления изобретения композиция обеспечивает очищающую функцию, в таком варианте осуществления изобретения, как правило, в композиции присутствует эффективное количество для очищения кожи поверхностно-активного вещества.

[0033] Как правило, содержание поверхностно-активных(ого) веществ(а) должно составлять, по меньшей мере, 0,1% по массе композиции. Предпочтительное минимальное количество поверхностно-активных(ого) веществ(а), присутствующее в композиции, составляет, по меньшей мере, 1, 3, 5, 7, 10, 20 и 30% по массе. Максимальное количество поверхностно-активных(ого) веществ(а) зависит от используемой физической смеси композиции, а также от количества дополнительных компонентов. Как правило, присутствует не более 95-97% по массе поверхностно-активных(ого) веществ(а), в частности, не более 90% по массе поверхностно-активных(ого) веществ(а). Легко можно также использовать максимальное количество 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80 или 85% по массе поверхностно-активных(ого) веществ(а). В определенных вариантах осуществления изобретения поверхностно-активное вещество присутствует в количестве от 0,1 до 45, от 1 до 15, от 15 до 45 или 15-35 % по массе композиции в зависимости от вида композиции. Очищающая композиция представлена в жидкой форме, и ее можно составлять в виде средства для мытья тела/ геля для душа, шампуня или кондиционера. Поверхностно-активным веществом может быть поверхностно-активное вещество или сочетание поверхностно-активных веществ. Подходящие поверхностно-активные вещества включают анионные, неионные, катионные, амфотерные или цвиттер-ионные поверхностно-активные вещества. Термин «поверхностно-активное вещество» включает соли жирных кислот, которые, как правило, обозначают как мыла.

[0034] Подходящие анионные поверхностно-активные вещества в качестве неограничивающих примеров включают те поверхностно-активные соединения или соединения-детергенты, содержащие органическую гидрофобную группу содержащую, как правило, от 8 до 26 атомов углерода или, как правило, от 10 до 18 атомов углерода в молекулярной структуре и, по меньшей мере, одну водорастворимую группу, выбранную из сульфоната, сульфата и карбоксилата для образования водорастворимого моющего вещества. Как правило, гидрофобная группа содержит C₈-C₂₂ алкил или ацильную группу. Такие поверхностно-активные вещества используют в форме водорастворимых солей, и солеобразующий катион, как правило, выбран из натрия, калия, аммония, магния и моно-, ди- или три-C₂-C₃ алканоламмония, из числа которых обычно используют катионы натрия, магния и аммония.

[0035] Подходящие анионные поверхностно-активные вещества в качестве неограничивающих примеров включают натриевые, калиевые, аммониевые и этаноламмонийные соли сульфонатов линейного C₈-C₁₆ алкилбензола, карбоксилатов алкилового простого эфира, сульфонатов C₁₀-C₂₀ парафина, сульфонатов C₈-C₂₅ альфа-олефина, сульфатов C₈-C₁₈ алкила, сульфатов C₈-C₁₈ алкилого простого эфира и их смеси.

[0036] Другие подходящие анионные поверхностно-активные вещества включают сульфонаты парафина, которыми могут быть моносульфонаты или ди-сульфонаты и, как правило, являются их смесами, полученными посредством сульфирования парафинов с 10-20 атомами углерода. Широко используемыми сульфонатами парафина являются C₁₂-C₁₈ цепи, и более часто ими являются C₁₄-C₁₇ цепи. Сульфонаты парафина с сульфонатной(ыми) группой(ами), распределенными по парафиновой цепи, описаны в патентах США № 2503280; 2507088; 3260744 и 3372188; и также в патенте Германии 735096. Такие соединения можно получать согласно описанию, и, желательно, чтобы содержание сульфонатов парафина за пределами диапазона C₁₄-C₁₇ было незначительным и сведено к минимуму, как любое содержание ди- или поли- сульфонатов. Примеры сульфонатов парафина в качестве неограничивающих примеров включают HOSTAPUR™ SAS30, SAS 60, сульфонаты вторичных алканов SAS 93 от Clariant и поверхностно-активные вещества BIO-TERGE™ от Stepan и CAS-номер 68037-49-0.

[0037] Примеры других подходящих сульфированных анионных поверхностно-активных веществ включают высшие алкил-(одноядерные ароматические)сульфонаты, такие как высшие алкилбензол сульфонаты, содержащие от 9 до 18 или от 9 до 16 атомов углерода в высшей алкильной группе в неразветвленной или разветвленной цепи, или C₈-C₁₅-алкилтолуолсульфонаты. В одном из вариантов осуществления изобретения алкилбензол-сульфонат является линейным алкилбензол-сульфонатом с высоким содержанием 3-фенил(или выше) изомеров и, соответственно, низким содержанием (намного ниже 50%) 2-фенил(или ниже) изомеров, таким как те сульфонаты, где бензольное кольцо большей частью присоединено в положении 3 или выше (например, 4, 5, 6 или 7) алкильной группы, и причем, когда бензольное кольцо присоединено в положении 2 или 1, содержание изомеров относительно низко. Материалы, которые можно использовать, описаны в патенте США 3320174, в особенности те, в которых алкилы содержат от 10 до 13 атомов углерода.

[0038] Другие подходящие анионные поверхностно-активные вещества включают олефин-сульфонаты, включая длинноцепочечные алкенсульфонаты, длинноцепочечные гидроксиалкансульфонаты или смеси алкенсульфонатов и гидроксиалкансульфонатов. Эти олефинсульфонатные моющие вещества можно получать известным образом путем проведения реакции триоксида серы (SO₃) с длинноцепочечными олефинами, содержащими от 8 до 25 или от 12 до 21 атомов углерода и имеющими формулу RCH=CHR₁, где R является высшей алкильной группой с 6-23 атомами углерода, и R₁ является алкильной группой с 1-17 атомами углерода или водорода для образования смеси сультонов и алкенсульфоновых кислот, которую затем обрабатывают для преобразования сультонов в сульфонаты. В одном из вариантов осуществления изобретения олефин-сульфонаты содержат от 14 до 16 атомов углерода в алкильной группе R, и их получают посредством сульфирования a-олефина.

[0039] Примеры подходящих анионных сульфатных поверхностно-активных веществ включают алкилсульфатные соли и соли сульфатного простого эфира. Подходящий анионный сульфат простого эфира имеет формулу R(OC₂H₄)_n OSO₃M, где n представляет собой от 1 до 12 или от 1 до 5, и R является алкильной, алкиларильной, ацильной или алкенильной группой с 8-18 атомами углерода, например, алкильная группа с C₁₂-C₁₄ или C₁₂-C₁₆, и M является солюбилизирующим катионом, выбранным из натрия, калия, аммония, магний и ионов моно-, ди- и триэтаноламмония. Иллюстративные сульфаты алкилового простого эфира содержат от 12 до 15 атомов углерода в их алкильных группах, например, миристил (3 ОЭ) сульфат натрия. Подходящие сульфаты алкилального простого эфира включают сульфаты C₈-C₁₈-алкилфенильного простого эфира, содержащие от 2 до 6 моль этиленоксид в молекуле. Другие подходящие анионные моющие вещества включают полиэтиленоксилкарбоксилаты C₉-C₁₅-алкилового простого эфира. Подходящие полиэтоксилкарбоксилаты алкилового простого эфира можно получать посредством конденсации этиленоксида с соответствующим алканолом и вступления в реакцию этого продукта с хлоруксусной кислотой для получения простого эфира карбоновой кислоты, как показано в патенте США № 3741911, или с янтарным ангидридом или фталевым ангидридом.

[0040] Подходящие используемые неионные поверхностно-активные вещества включают этоксилаты первичного алифатического спирта, этоксилаты вторичного алифатического спирта, алкилфенолэтоксилаты и этиленоксид-пропиленоксидные конденсаты первичных алканолов, такие как поверхностно-активные вещества PLURAFAC™ (BASF), и конденсаты оксида этилена с сорбитановыми эфирами жирных кислот, такие как поверхностно-активные вещества TWEEN™ (ICI). Неионные синтетические органические моющие вещества являются, как правило, продуктами конденсации органического алифатического или алкилароматического гидрофобного соединения и гидрофильных этиленоксидных групп. Практически любое гидрофобное соединение, имеющее карбоксильную, гидроксильную, амидную или аминную группу со свободным водородом, присоединенным к азоту, может быть сконденсировано с оксидом этилена или с продуктом его полигидратации, полиэтиленгликолем, для образования водорастворимого неионного моющего вещества. Кроме того, длина полиэтеноксильной цепи может быть отрегулирована для достижения необходимого равновесия между гидрофобными и гидрофильными элементами.

[0041] Класс неионных поверхностно-активных веществ включает продукты конденсации высшего спирта (например, алканола, содержащего от 8 до 18 атомов углерода в неразветвленной или разветвленной цепной конфигурации), сконденсированные приблизительно с 5-30 моль оксида этилена, например лаурилмиристиловый спирт, сконденсированный с приблизительно 16 моль оксида этилена (ОЭ), тридеканол, сконденсированный с приблизительно 6 моль ОЭ, миристиловый спирт, сконденсированный с приблизительно 10 моль ОЭ на моль миристилового спирта, продукт конденсации ОЭ со средней фракцией кокосового жирного спирта, содержащего смесь жирных спиртов с алкильными цепями, длина которых варьируется от 10 до 14 атомов углерода, и где конденсат содержит либо около 6 молей ОЭ на моль всего спирта, или 6 моль ОЭ на моль общего содержания спирта или 9 моль на моль спирта и этоксилаты сального спирта, содержащие от 6 до 11 моль ОЭ на моль спирта.

[0042] Предпочтительные подходящие неионные поверхностно-активные вещества включают этоксилаты NEODOL™ (Shell Co.), которые представляют собой высший алифатический, первичный спирт, содержащий 9-15 атомов углерода, такой как C₉-C₁₁-алканол, сконденсированный с 2-10 моль оксида этилена (NEODOL™ 91-2,5 или -5 или -6 или -8), C₁₂-C₁₃-алканол, сконденсированный с 6-7 моль оксида этилена (NEODOL™ 23-6,5), C₁₂-C₁₅-алканол, сконденсированный с 12 моль оксида этилена (NEODOL™ 25-12), C₁₄-C₁₅-алканол, сконденсированный с 13 моль оксида этилена (NEODOL™ 45-13) и т.п.

[0043] Дополнительные подходящие водорастворимые конденсатами оксида этилена со спиртом представляют собой продукты конденсации вторичного алифатического спирта, содержащего от 8 до 18 атомов углерода в неразветвленной или разветвленной цепной конфигурации, сконденсированные с 5-30 моль оксида этилена. Примерами коммерчески доступных неионных моющих веществ вышеуказанного типа являются C₁₁-C₁₅ вторичный алканол, сконденсированный или с 9 ОЭ (TERGITOL™ 15-S-9), или с 12 ОЭ (TERGITOL™ 15-S-12), представленный в продаже Union Carbide.

[0044] Другие подходящие неионные поверхностно-активные вещества включают конденсаты полиэтиленоксида одного моль алкилфенола, содержащего от 8 до 18 атомов углерода в алкильной группе неразветвленной или разветвленной цепи с 5-30 моль оксида этилена. Конкретные примеры этоксилатов алкилфенола в качестве неограничивающих примеров включают нонилфенол, сконденсированный с 9,5 моль ОЭ на моль нонилфенола, динонилфенол, сконденсированный с 12 моль ОЭ на моль фенола, динонилфенол, сконденсированный с 15 моль ОЭ на моль фенола, и ди-изоктилфенол, сконденсированный с 15 моль ОЭ на моль фенола. Коммерчески доступные неионные поверхностно-активные вещества этого типа включают IGEPAL™ CO-630 (этоксилат нонилфенола), представленный в продаже GAF Corporation.

[0045] Также в числе подходящих неионных поверхностно-активных веществ представлены водорастворимые продукты конденсации C₈-C₂₀ алканола с гетерогенной смесью оксида этилена и оксида пропилена, где массовое соотношение оксида этилена к оксиду пропилена составляет от 2,5:1 до 4:1 или от 2,8:1 до 3,3:1, с общим содержанием оксида этилена и оксида пропилена (включая концевую этанольную или пропанольную группу) составляет от 60-85% или 70-80% по массе. Такие моющие вещества коммерчески доступны от BASF и особенно предпочтительным поверхностно-активным веществом является C₁₀-C₁₆-алкональный конденсат с оксидом этилена и оксидом пропилена, с массовым соотношением оксида этилена к оксиду пропилена, составляющим 3:1, и общим содержанием алкокси, составляющим 75% по массе.

[0046] Конденсаты от 2 до 30 моль оксида этилена с сорбитановыми моно- и триэфирами C₁₀-C₂₀-алкановой кислоты, имеющие ГЛБ от 8 до 15, также можно использовать в качестве неионного моющего ингредиента в описываемой композиции. Эти поверхностно-активные вещества хорошо известны и доступны от Imperial Chemical Industries под торговым наименованием TWEEN™. Подходящие поверхностно-активные вещества в качестве неограничивающих примеров включают полиоксиэтилен (4) сорбитан монолаурат, полиоксиэтилен (4) сорбитан моностеарат, полиоксиэтилен (20) сорбитан триолеат и полиоксиэтилен (20) сорбитан тристеарат.

[0047] Другие подходящие водорастворимые неионные поверхностно-активные вещества представлены в продаже под торговым наименованием PLURONIC™. Соединения образованы посредством конденсации оксида этилена с гидрофобным основанием, образованным посредством конденсации оксида пропилена с пропиленгликолем. Молекулярная масса гидрофобной части молекулы составляет порядка от 950 до 4000 или от 200 до 2500. Добавление полиоксиэтиленовых радикалов к гидрофобной части имеет тенденцию повышать растворимость молекулы в целом и таким образом делать ПАВ водорастворимым. Молекулярная масса блок-полимеров варьируется от 1000 до 15000 и содержание оксида полиэтилена может составлять от 20% до 80% по массе. В одном из вариантов осуществления изобретения эти поверхностно-активные вещества представлены в жидкой форме, и подходящие поверхностно-активные вещества доступны в виде сортов L 62 и L 64.

[0048] Алкилполисахаридные поверхностно-активные вещества, которые можно использовать в композиции по настоящему изобретению, имеют гидрофобную группу, содержащую от 8 до 20 атомов углерода или от 10 до 16 атомов углерода, или от 12 до 14 атомов углерода, и полисахаридную гидрофильную группу, содержащую от 1,5 до 10 или от 1,5 до 4, или от 1,6 до 2,7 сахаридных единиц (например, галактозид, глюкозид, фруктозид, глюкозил, фруктозил; и/или галактозил-единиц). Смеси сахаридных молекул можно использовать в алкилполисахаридных поверхностно-активных веществах. Число x указывает на количество сахаридных единиц в конкретном алкилполисахаридном поверхностно-активном веществе. Для конкретной алкилполисахаридной молекулы x может только предполагать целочисленные значения. В любом физическом образце алкилполисахаридных поверхностно-активных веществ there в основном молекулы имеют различные значения x. Физический образец можно охарактеризовать с помощью среднего значения x, и это среднее значение может допустить нецелочисленные значения. В настоящем описании под значениями x следует понимать средние значения. Гидрофобная группа (R) может быть присоединена в положениях 2, 3 или 4, нежели в положении 1 (что, таким образом, обеспечивает, например, глюкозу или галактозу в противоположность глюкозиду или галактозиду). Однако предпочтительным является присоединение посредством положения 1, т.е. глюкозидов, галактозидов, фруктозидов и т.д. В одном из вариантов осуществления изобретения дополнительные сахаридные единицы преимущественно присоединены в положении 2 предыдущих сахаридных единиц. Возможно также присоединение в положениях 3, 4 и 6. Необязательно и менее целесообразным является возможность присоединения цепи полимера оксиалкильного соединения с гидрофобной молекулой (R) и цепью полисахарида. Предпочтительной алкоксидной молекулой является этоксид.

[0049] Типичные гидрофобные группы включают алкильные группы, насыщенные или ненасыщенные, разветвленные или неразветвленные, содержащие от 8 до 20 или от 10 до 18 атомов углерода. В одном из вариантов осуществления изобретения алкильная группа является насыщенной алкильной группой с неразветвленной цепью. Алкильная группа может содержать до 3 гидроксигрупп и/или цепь полимера оксиалкильного соединения может содержать до 30 или менее чем 10 алкоксидных молекул.

[0050] Подходящие алкильные полисахариды в качестве неограничивающих примеров включают децил, додецил, тетрадецил, пентaдецил, гексадецил и октадецил, ди-, три-, тетра-, пента- и гексаглюкозиды, галактозиды, лактозиды, фруктозиды, фруктозилы, лактозилы, глюкозилы и/или галактозилы и их смеси.

[0051] Алкильные моносахариды обладают относительно меньшей растворимостью в воде, чем высшие алкильные полисахариды. При использовании в смеси с алкильными полисахаридами алкильные моносахариды растворимы до определенной степени. Подходящие смеси включают кокосовый алкил, ди-, три-, тетра- и пентаглюкозиды и сальный алкил тетра-, пента- и гексаглюкозиды.

[0052] Под термином «алкилполисахаридное поверхностно-активное вещество» подразумевают поверхностно-активные вещества, полученные как из глюкозы, так и галактозы, и алкилполисахаридные поверхностно-активные вещества. На всем протяжении настоящего описания используемый термин «алкилполиглюкозид» включает алкилполигликозиды, ввиду изменения стереохимии сахаридной молекулы по время реакции получения.

[0053] Подходящие алкилполиглюкозиды включают гликозид APG 625 от Henkel Corporation of Ambler, PA. APG 625 является неионным алкилполигликозидом, характеризующимся формулой:

C_nH_2n+1O(C₆H₁₀O₅)_xH,

где n=10 (2%); n=122 (65%); n=14 (21-28%); n=16 (4-8%) и n=18 (0,5%) и x (степень полимеризации) = 1,6. APG 625 имеет: уровень pH от 6 до 10 (10% APG 625 в дистиллированной воде); удельную плотность при 25°C - 1,1 г/мл; плотность при 25°C - 9,1 фунтов/галлон; расчетное HLB 12,1 и вязкость по Брукфилду при 35°C, шпиндель 21, 5-10 об/мин - от 3000 до 7000 сП.

[0054] Подходящие цвиттер-ионные поверхностно-активные вещества включают бетаины и сультаны. Типичные алкилдиметильные бетаины в качестве неограничивающих примеров включают децилдиметилбетаины или 2-(N-децил-N, N-диметил-аммиак) ацетат, кокосовый диметилбетаин или 2-(N-коко-N,N-диметиламмоний) ацетат, миристилдиметилбетаин, пальмитилдиметилбетаин, лаурилдиметилбетаин, цетилдиметилбетаин, стеарилдиметилбетаин и т.д. Аналогично, амидобетаины в качестве неограничивающих примеров включают кокоамидоэтилбетаин, кокоамидопропил бетаин и т.п. Амидосульфобетаины в качестве неограничивающих примеров включают кокоамидоэтилсульфобетаин, кокоамидопропилсульфобетаин и т.п. В одном из вариантов осуществления изобретения бетаином является коко(C₈-C₁₈) амидопропилдиметилбетаин. Тремя примерами бетаиновых поверхностно-активных веществ, которые можно использовать, являются EMPIGEN™ BS/CA от Albright и Wilson, REWOTERIC™ AMB 13 и бетаин L7 от Goldschmidt.

[0055] Другие подходящие цвиттер-ионные поверхностно-активные вещества включают аминоксиды.

Вышеуказанные конденсаты оксида этилена, амиды и оксиды аминов более подробно описаны в патенте США № 4316824. Предпочтительным аминоксидом является оксид кокоамидопропил-диметиламина.

[0056] Одним пригодным поверхностно-активным веществом для очищающей композиции является алкилбензолсульфонатное поверхностно-активное вещество. Другим пригодным поверхностно-активным вещество является система поверхностно-активного вещества, состоящая из комбинации сульфоната алкилового простого эфира и цвиттер-ионного поверхностно-активного вещества. Еще одним пригодным поверхностно-активным веществом является система поверхностно-активного вещества, состоящая из комбинации алкилбензосульфоната, сульфоната алкилового простого эфира и цвиттер-ионного поверхностно-активного вещества. Может быть целесообразным включение катионных(ого) поверхностно-активных(ого) веществ(а) в количестве до 25% по массе, или до 10% по массе, или до 3% по массе от общей композиции. Может быть целесообразным включение неионных(ого) поверхностно-активных(ого) веществ(а) в количестве до 20% по массе, или целесообразным включение 10% по массе, или целесообразным включение 5% по массе от общей композиции. В одном из вариантов осуществления изобретения может быть целесообразным включение алкилбензолсульфонатной соли поверхностно-активных(ого) веществ(а) в количестве от 1% до 40% по массе, или от 3% по массе до 30% по массе, или от 5% до 20% по массе от общей композиции, с учетом относительного соотношения различных солей (из применимых), например, солей от натрия до магния, как описано выше. В одном из вариантов осуществления изобретения может быть целесообразным включение поверхностно-активных(ого) веществ(а) сульфата алкилового простого эфира в количестве от 5% до 40% по массе, или от 10% до 25% по массе, или от 7% до 19% по массе. В одном из вариантов осуществления изобретения может быть целесообразным включение поверхностно-активных(ого) веществ(а)аминоксида в количестве до 25% по массе, или от 5% до 20% по массе, или от 2% до 10% по массе. В одном из вариантов осуществления изобретения может быть целесообразным включение амфотерных(ого) поверхностно-активных(ого) веществ(а) в количестве до 30% по массе, или до 20% по массе, или до 10% по массе.

[0057] Носитель представляет собой все другие материалы в композиции, за исключением галогенида Х цинка и поверхностно-активного вещества. Следовательно, количество носителя является количеством для достижения 100% посредством добавления к массе галогенида Х цинка, а также поверхностно-активного вещества.

[0058] Носитель, как правило, включает воду. Вода, как правило, является чистой и деионизированной. Количество воды составляет от 1 до 99%, или от 50 до 95%, или от 70 до 95% по массе композиции. В альтернативных вариантах осуществления изобретения композиция является безводной. Термин «безводная» означает содержание менее 5% по массе воды, необязательно от менее чем 4, менее чем 3, менее чем 2, менее чем 1, менее чем 0,5, менее чем 0,1 до 0% по массе воды.

[0059] Композиции могут содержать другие ингредиенты, такие как ингредиенты для отбеливания кожи; предотвращения загара; лечения гиперпигментации; профилактики или уменьшения акне, морщин, складок, атрофии и/или воспаления; хелатирующие средства и/или секвестранты; антицеллюлитные средства и средства для похудения (например, фитановая кислота), упругости, увлажнения и повышения тонуса, автозагара, смягчения, а также средства для повышения эластичности и кожного барьера и/или дополнительные вещества с УФ-фильтрами и носители и/или эксципиенты или разбавители, которые общепринято используются в композициях для местного применения.

[0060] Композиции могут также содержать обычные косметические или очищающие адъюванты и добавки, такие как водорастворимые спирты; гликоли; глицериды; средне-длинноцепочечные органические кислоты, спирты и сложные эфиры; дополнительные аминокислоты; структуранты; смягчающие средства; консерванты/ антиоксиданты; жировые вещества/ масла; органические растворители, силиконы; загустители; смягчители; эмульгаторы; другие активные солнцезащитные вещества; увлажняющие средства; эстетические компоненты, такие как отдушки; наполнители; комплексообразующие вещества; анионные, катионные, неионные или амфотерные полимеры; пропелленты; средства, повышающие кислотность или основность; красящие вещества; красители; абразивы; абсорбенты; эфирные масла; сенсаты; вяжущие вещества; пигменты или нанопигменты; например те, которые подходят для обеспечения фотозащитного эффекта посредством физической блокировки ультрафиолетового излучения; растения, травы, или их части, или экстракты, например, морские водоросли; или любые другие ингредиенты, как правило, входящие в состав косметических или очищающих композиций. Такие ингредиенты, которые широко используют в производстве средств по уходу за кожей, пригодны для использования в композициях, и описаны, например, но не ограничиваясь ими, в CTFA Cosmetic Ingredient Handbook, второе издание (1992). Необходимое количество косметические и дерматологических адъювантов может быть легко выбрано специалистом в данной области с учетом необходимого продукта.

[0061] Например, композиция может включать один или несколько ароматизирующих соединений. Ароматизирующим соединением может быть ароматизирующий материал-предшественник, который при изменении уровня pH может высвобождать аромат. Кроме того, отдушка может быть инкапсулирована. В пленкообразующую композицию можно включать широкой спектр душистых химических соединений. Ароматизирующие соединения включают соединения, используемые в качестве отдушек и ароматизаторов, такие как альдегиды, например, C₆-C₁₄-алифатические альдегиды и C₆-C₁₄-ациклические терпен-альдегиды, кетоны, спирты и сложные эфиры. Подходящие ароматизирующие соединения включают цитраль; нераль; изо-цитраль; дигидроцитраль; цитронеллаль; октаналь; нонаналь; деканаль; ундеканаль; додеканаль; тридеканаль; 2-метилдеканаль; метилнонилацетальдегид; 2-нонен-1-аль; деканаль; ундеканаль; недециленовый альдегид; 2, 6-диметилоктатналь; 2, 6, 10-триметил-9-ундецен-1-наль; триметилундеканаль; додеканаль; мелональ; 2-метилокатаналь; 3, 5, 5, триметилгексаналь и их смеси. Отдушки также могут включать соединения, высвобождающие ароматизатор, такие как соединения, высвобождающие ацеталь, соединения, высвобождающие кеталь, соединения, высвобождающие сложный эфир (например, дигеранил-сукцинат), гидролизуемые соединения, высвобождающие неорганический-органический ароматизатор и их смеси. Эти соединения, высвобождающие ароматизатор, могут высвобождать ароматизирующий материал в результате простого гидролиза. Композиция может включать от 0,01% до 5% ароматизирующего соединения исходя из общей массы твердой композиции.

[0062] Другие конкретные примеры необязательных ингредиентов включают органические растворители, такие как этанол; загустители, такие как карбоксиметилцеллюлоза, магниево-алюминиевый силикат, гидроксиэтилцеллюлоза, метилцеллюлоза, карбополы, глюкамиды или Antil(R) от Rhone Poulenc; комплексообразующие средства, такие как этилендиаминтетраацетат натрия (ЭДТА), этан-1-гидрокси-1,1-дифосфонат (EHDP) или смеси в количестве от 0,01 до 1%, предпочтительно от 0,01 до 0,05%; и красители, замутняющие агенты и перламутровые добавки, такие как стеарат цинка, стеарат магния, TiO₂, EGMS (моностеарат этиленгликоля) или Lytron 621 (сополимер стирола/акрилата); каждый из которых пригоден для улучшения внешнего вида или косметических свойств продукта.

[0063] Примером дополнительного противомикробного средства является простой эфир 2-гидрокси-4,2′4′ трихлордифенила (DP300), молочная кислота, соединения четвертичного аммония, такие как триклозан и т.п.; примеры консервантов включают диметилолдиметилгидантоин (Glydant XL1000), парабены, сорбиновую кислоту и т.п.

[0064] Композиции могут также содержать кокосовые ацил моно- или диэтаноловые амиды в качестве усилителей мыльной пены, и также наилучшим образом можно использовать сильно ионизирующие соли, такие как хлорид натрия и сульфат натрия.

[0065] Антиоксиданты, такие как, например, бутилированный гидрокситолуол (BHT) и витамин A, C и E или их производные, можно использовать преимущественно в количестве 0,01% или выше при необходимости.

[0066] Полиэтиленгликоли, которые можно использовать, включают:

Polyox WSR-205 PEG 14M,

Polyox WSR-N-60K PEG 45M или

Polyox WSR-N-750 PEG 7M.

[0067] Загустители, которые можно использовать, включают Amerchol Polymer HM 1500 (ноноксинил-гидроэтилцеллюлоза); Glucam DOE 120 (PEG 120 метил глюкозы диолеат); Rewoderm(R) (ПЭГ- модифицированный глицерил кокоат, пальмат или талловат) от Rewo Chemicals; Antil(R) 141 (от Goldschmidt).

[0068] Другим ингредиентом, который можно включать, являются эксфолианты, такие как полиоксиэтиленовые гранулы, скорлупа грецкого ореха и абрикосовые косточки.

[0069] Специалист легко может определить количество необязательных ингредиентов носителя с учетом необходимого продукта.

[0070] Необязательные ингредиенты носителя, подходящие для настоящего изобретения, могут в некоторых случаях обеспечить дополнительное преимущество или функцию посредством более чем одного механизма действия.

[0071] Композиции в основном имеют уровень pH в диапазоне от 3 до 10, в одном из вариантов осуществления изобретения - уровень pH в диапазоне от 4 до 8 и в другом варианте осуществления изобретения - уровень pH в диапазоне от 4 до 7. Уровень pH можно легко корректировать при необходимости с помощью подходящих кислот, таких как, например, лимонная кислота, или оснований, таких как NaOH, в соответствии со стандартными способами в данной области.

[0072] Композиции можно использовать в способе для снижения потоотделения посредством нанесения композиции на кожу. В определенных вариантах осуществления изобретения нанесение осуществляют на подмышечную область. Кроме того, композиции можно использовать для уничтожения бактерий посредством взаимодействия бактерий с композицией. Например, в одном из вариантов осуществления комбинация аминокислоты или гидрогалогенида аминокислоты с оксидом цинка повышает доступность ионов цинка, которые затем могут уничтожить бактерии и уменьшить количество выделяемого пота.

[0073] Представлены: (i) способ контроля потоотделения, включающий нанесение на кожу эффективного количества антиперспирантного действия состава любого варианта осуществления изобретения, включенного или конкретно описываемого в настоящем документе, например, любой из композиции 1 и последующих; и (ii) способ контроля запаха выделяемого пота, включающий нанесение на кожу эффективного количества дезодорирующего действия состава любого варианта осуществления, включенного или конкретно описываемого в настоящем документе, например, любой из композиции 1 и последующих.

[0074] Также представлен способ уменьшения вреда от солнечных лучей или защиты кожи от солнечного ожога или вреда от солнечных лучей, включающий очищение кожи посредством жидкой очищающей композиции, например, любой из композиции 1 и последующих, и воды, перед воздействием солнечных лучей. Он также применим к любой части тела, которая может быть подвержена воздействию солнечных лучей, например, волосы или ногти. Такой способ использует преимущество уникального аспекта галогенида Х цинка, т.e. депонирования осадка цинка в коже, ногтях или волосах после разбавления водой, что обычно происходит во время обыкновенного процесса мытья. Депонированный цинк выступает в качестве защиты от солнца, абсорбируя ультрафиолетовые лучи типа А и/или типа В. Таким образом, способ является способом «смывания после нанесения», депонирующим достаточное количество цинка на теле после очищения с помощью композиции для обеспечения солнцезащитного фактора, по меньшей мере, 2. Кожу, волосы или ногти, как правило, очищают композицией в течение от 5 секунд до 2 минут, в одном из вариантов осуществления изобретения от 5 до 30 секунд.

[0075] В одном из вариантов осуществления изобретения композиция обладает способностью защищать кожу от воздействия ультрафиолетовых лучей типа А и/или типа В, при этом не допуская значительного раздражения кожи. Композицию также следует использовать в количестве, достаточном для обеспечения солнцезащитного фактора (SPF), по меньшей мере 2, предпочтительно, по меньшей мере, 2,5, более предпочтительно, по меньшей мере, 3,0. В одном из вариантов осуществления изобретения композиция имеет значение SPF в диапазоне от 2 до 45. SPF является широко используемым измерением фотозащиты от эритемы при воздействии солнечных лучей. Это число получают другого параметра, минимальной эритемной дозы (MED). MED определяют как «наименьшую дозу облучения при определенной длине волны, вызывающей замедленную эритемную реакцию». MED указывает на количество энергии облучения кожи и ответную реакцию кожи на облучение. SPF конкретного фотозащитного средства получают посредством деления MED защищенной кожи на MED незащищенной кожи. Чем выше SPF, тем более эффективным является средство профилактики солнечного ожога. Значение SPF указывает, на сколько дольше по времени, в течение которого человек может находиться на солнце перед получением 1 MED. Например, использование защиты от солнечных лучей с SPF 6 позволит индивидууму находиться на солнце в 6 раз дольше перед получением 1 MED. Чем выше значение SPF, тем меньше шансов появления загара на коже. SPF определяют согласно процессам, перечисленным в 21 CFR 352 и последующих (в частности, 21 CFR 352.72 и 352.73).

[0076] Если не указано иначе, каждое количество, представленное в процентах, компонентов композиции, указанных в настоящем описании, основано на общем количестве композиции или состава, составляющем 100% по массе.

[0077] Если конкретно не указано иное, ингредиенты для применения в композициях и составы по настоящему изобретению являются предпочтительно косметически приемлемыми ингредиентами. Под «косметически приемлемым» подразумевают пригодный для использования в составе для местного применения на кожу человека. Косметически приемлемый эксципиент, например, является эксципиентом, подходящим для наружного применения в количестве и концентрации, предполагаемой в составах по настоящему изобретению, и включает, например, эксципиенты, которые являются «общепризнанными безопасными» (GRAS) Управлением по контролю за продуктами питания и лекарствами США.

[0078] Приведенные в настоящем документе композиции и составы представлены в описании или пунктах формулы изобретения в отношении их ингредиентов, как общепринято в данной области. Специалисту в данной области будет очевидно, что в некоторых случаях ингредиенты могут вступать в реакцию друг с другом таким образом, чтобы истинная композиция конечного состава не могла точно соответствовать перечисленным ингредиентам. Таким образом, следует понимать, что изобретение распространяется на продукт комбинации перечисленных ингредиентов.

Пример 1. Получение лизин хлорид цинка

[0079] 18,2650 г (0,1 моль) L-Лизин-HCl растворяют в 100 мл деонизированной воды при комнатной температуре при перемешивании. После полного растворения L-Лизин-HCl в раствор медленно добавляют 4,1097 г (0,0505 моль) ZnO при перемешивании. Суспензию продолжают перемешивать при комнатной температуре в течение, по меньшей мере, от 30 минут до 24 часов. Затем раствор суспензии центрифугируют при 7000 об/мин в течение 20 минут и фильтруют через фильтрующую перегородку с размером пор 0,45мкм для удаления не вступившего в реакцию ZnO. Прозрачный супернатант рекуперируют в виде исходного раствора. В исходный раствор, полученный согласно настоящему изобретению, загружают стандартное количество цинка от 2,0% до 3,0% по массе при диапазоне уровня pH от 6,8 до 7,2. Количество загружаемого алюминия можно легко определить с использованием индуктивного спаренного плазменно-атомного эмиссионного спектрометра (ICP-AES) после подкисления сильной кислотой, такой как азотная кислота, или с использованием любого другого подходящего аналитического способа. Аналогичным образом можно получать композицию, включающую другие аминокислоты. Кроме того, кислоту (такую, как HCl) можно добавлять во время реакции или к фильтрованному исходному раствору для снижения уровня pH, и аналогичным образом можно добавлять основание (такое, как NaOH или KOH) для повышения уровня pH. Порошок получают посредством сушки распылением. Комплекс лизин хлорид цинка, описанный в этом примере, иногда в настоящем документе обозначают как «ZLC».

Пример 2. Получение TBZC-Lys

[0080] 14,6190 г (0,1 моль) L-лизина растворяют в 100 мл деонизированной воды при комнатной температуре при перемешивании. После полного растворения L-лизина в раствор медленно добавляют 5,5740 г (0,0101 моль) TBZC при перемешивании. Суспензию продолжают перемешивать при комнатной температуре в течение, по меньшей мере, от 30 минут до 24 часов. Затем раствор суспензии центрифугируют при 7000 об/мин в течение 20 минут и фильтруют через фильтрующую перегородку с размером пор 0,45 мкм для удаления не вступившего в реакцию TBZC. Прозрачный супернатант желтого цвета рекуперируют в виде исходного раствора. В исходный раствор, полученный согласно настоящему изобретению, загружают стандартное количество цинка от 1,5% до 2,5% по массе при диапазоне уровня pH от 10,5 до 11. Количество загружаемого алюминия можно легко определить с использованием индуктивного спаренного плазменно-атомного эмиссионного спектрометра (ICP-AES) после подкисления сильной кислотой, такой как азотная кислота, или с использованием любого другого подходящего аналитического способа. Аналогичным образом можно получать композицию, включающую другие аминокислоты. Кроме того, кислоту (такую, как HCl) можно добавлять во время реакции или к фильтрованному исходному раствору для снижения уровня pH, и аналогичным образом можно добавлять основание (такое, как NaOH или KOH) для повышения уровня pH. Порошок получают посредством сушки распылением.

Пример 3. Получение гелей для душа с лизин хлоридом цинка

[0081] Материалы:

раствор 4,73% ZLC (пример 1)

порошок 15,7% ZLC (пример 1)

Гель для душа с использованием следующего состава (таблица 1):

Таблица 1 Материал Количество
(% по массе) Деминерализованная вода и вспомогательные вещества (консервант, краситель, ароматизатор, регулятор pH) В достаточном количество Лаурет сульфат натрия 5,3 Кокамидопропилбетаин 3,5 Гидроксиэтилкокамид PPG-2 1,4 Глицерин 1 Дистеарат гликоля 0,7 Кокамид MEA 0,5 Поликватерниум -7 0,2 Трихлоркарбанилид 0,2 Этоксилированный жирный спирт 0,1 Полоксамер 124 (блок-сополимер ОЭ-ОП) 0,02

[0082] Создавали шесть образцов порошка ZLC в геле для душа и шесть образцов раствора ZLC в геле для душа с использованием следующих процессов:

[0083] Получали шесть различных смесей, содержащих различное количество порошка ZLC (15,7% Zn в порошке ZLC) с использованием следующих составов:

P1) 0,75% ZLC: 0,15 г порошка ZLC добавляли в 19,85 г геля для душа

• Процент цинка в смеси составляет 0,18%

P2) 1,5% ZLC: 0,3 г порошка ZLC добавляли в 19,7 г геля для душа

• Процент цинка в смеси составляет 0,36%

P3) 3% ZLC: 0,6 г порошка ZLC к добавляли в 19,4 г геля для душа

• Процент цинка в смеси составляет 0,73%

P4) 5% ZLC: 1 г порошка ZLC добавляли в 19 г геля для душа

• Процент цинка в смеси составляет 1,23%

P5) 7% ZLC: 1,4 г порошка ZLC добавляли в 18,6 г геля для душа

• Процент цинка в смеси составляет 1,75%

P6) 10% ZLC: 2 г порошка ZLC добавляли в 18 г геля для душа

• Процент цинка в смеси составляет 2,56%

[0084] Затем смеси перемешивали вручную с использованием палочки для перемешивания в течение, по меньшей мере, 5 минут. Затем их помещали в сушильный шкаф при 50°C в течение 5 суток.

[0085] Получали шесть различных смесей, содержащих различное количество раствора ZLC (4,73% Zn в растворе ZLC) с использованием следующих составов:

S1) 2,5% ZLC: 0,5 г раствора ZLC добавляли в 19,5 г геля для душа

• Процент цинка в смеси составляет 0,18%

S2) 5% ZLC: 1 г раствора ZLC добавляли в 19 г геля для душа

• Процент цинка в смеси составляет 0,37%

S3) 10% ZLC: 2 г раствора ZLC добавляли в 18 г геля для душа

• Процент цинка в смеси составляет 0,78%

S4) 15% ZLC: 3 г раствора ZLC добавляли в 17 г геля для душа

• Процент цинка в смеси составляет 1,24%

S5) 20% ZLC: 4 г раствора ZLC добавляли в 16 г геля для душа

• Процент цинка в смеси составляет 1,75%

S6) 25% ZLC: 5 г раствора ZLC добавляли в 15 г геля для душа

• Процент цинка в смеси составляет 2,32%

[0086] Затем смеси перемешивали вручную с использованием палочки для перемешивания в течение, по меньшей мере, 5 минут. Затем их помещали в сушильный шкаф при 50°C в течение 5 суток.

[0087] Образец, содержащий только гель для душа, также помещали в сушильный шкаф при 50°C и выдерживали в течение 5 суток.

[0088] После выдерживания вязкость 0,7 куб. см каждого образца измеряли при 25°C с использованием прибора ARG2. Использовали 2-градусный стальной конус 9991511 размером 40 мм для измерения вязкости посредством процесса сдвигового течения.

[0089] Дополнительно, позднее получали три дополнительных образца геля для сравнения. Эти образцы содержали 0% ZLC, 2% ZLC и 3% ZLC с использованием следующего состава:

P0) 0% ZLC: 0 г порошка ZLC добавляли в 20 г геля для душа

• Процент цинка в смеси составляет 0%

P7) 2% ZLC: 0,4 г порошка ZLC добавляли в 19,6 г геля для душа

• Процент цинка в смеси составляет 0,49%

P3) 3% ZLC: 0,6 г порошка ZLC добавляли в 19,4 г геля для душа

• Процент цинка в смеси составляет 0,73%

Пример 4. Депонирование цинка в коже человека после очищения посредством гелей для душа с лизин галогенидом цинка

[0090] Депонирование цинка измеряли с использованием процесса ручного очищения с использованием индикатора Zincon. Перчатку разрезали так, чтобы воздействию подвергался только кончик одного пальца. Палец тщательно очищали и просушивали. Руку слегка помыли водой и 0,5 куб см P1 помещали на палец. Палец чистили в течение 30 секунд. Затем палец мыли в течение 30 секунд. После сушки на палец незамедлительно наносили распылением индикатор Zincon. Изменение оранжево-красного цвета индикатора Zincon на пурпурный цвет указывало на присутствие цинка. Этот процесс повторяли с использованием различных пальцев каждый раз для P2, P7, P3, S1, S2, S3 и исходного геля для душа для определения минимального количества ZLC, по-прежнему сохраняющего депонирование цинка после промывки.

[0091] P2, содержащий 0,36% цинка, и S2, содержащий 0,37% цинка, оба из которых показывали значительное депонирование цинка, вместе с P0, разбавляли 2-кратно, 4-кратно, 8-кратно, 16-кратно и 32-кратно для наблюдения образования осадка при разбавлении с использованием Turbiscan при 37,5°C. Разведенные растворы показаны в таблице 2.

Таблица 2 2x 4x 8x 16x 32x Масса смеси геля для душа (г) 6 9 1,5 0,75 0,375 Масса деонизированной воды (г) 6 9 10,5 11,25 11,625

Результаты

[0092] Палец, очищенный только обычным гелем для душа, имел оранжево-красный цвет на индикаторе Zincon, что указывает на отсутствие депонирования Zn на коже. Палец, очищенный 2,5% раствором ZLC в геле для душа, содержащим 0,18% Zn, имел большей частью оранжево-красный цвет на индикаторе Zincon, что указывает на очень незначительное депонирование Zn на коже. Палец, очищенный 5% раствором ZLC в геле для душа, содержащим 0,37% Zn, имел пурпурный цвет на индикаторе Zincon, что указывает на значительное депонирование Zn на коже. Палец, очищенный 10% ZLC раствором ZLC в геле для душа, содержащим 0,78% Zn, имел пурпурно-синий цвет на индикаторе Zincon, что указывает на значительное депонирование Zn на коже.

[0093] Палец, очищенный только обычным гелем для душа, имеет оранжево-красный цвет на индикаторе Zincon, что указывает на отсутствие депонирования Zn на коже. Палец, очищенный 0,75% порошком ZLC в геле для душа, содержащим 0,18% Zn, имеет слабо-пурпурный цвет на индикаторе Zincon, что указывает на незначительное депонирование Zn на коже. Палец, очищенный 1,5% порошком ZLC в геле для душа, содержащим 0,36% Zn, имеет пурпурный цвет на индикаторе Zincon, что указывает на депонирование Zn на коже. Палец, очищенный 3% ZLC порошком ZLC в геле для душа, содержащим 0,73% Zn, имеет насыщенный пурпурно-синий цвет на индикаторе Zincon, что указывает на значительное депонирование Zn на коже.

[0094] Палец, очищенный образцом P0, содержащим 0% ZLC в геле для душа, имеет оранжево-красный цвет на индикаторе Zincon, что указывает на отсутствие депонирования Zn на коже. Палец, очищенный P7, содержащим 2% ZLC в геле для душа, имеет пурпурный цвет на индикаторе Zincon, что указывает на депонирование цинка. Палец, очищенный P3, содержащим 3% ZLC в геле для душа, имеет пурпурный цвет на индикаторе Zincon, что указывает на значительное депонирование Zn на коже.

Анализ мутности

[0095] Для растворов, содержащих обычный гель для душа, все разведения медленно повышают процент пропускания в течение 20-минутного периода измерения. Сначала все растворы мутные. Первоначально 4-кратное разведение близко к 0% пропускания. 2-кратные и 16-кратные разведения показывают аналогичный процент пропускания, приблизительно 1%. При 32-кратном разведении процент пропускания мгновенно составляет 5,7% и при 8-кратном разведении первоначальный процент пропускания составил 6,5. 2-кратное разведение показывает самый высокий процент пропускания во время периода измерения, возможно указывая на отложение осадка на дне пробирки. Самым низким является конечный процент пропускания 4-кратного разведения (1,2%), за которым следуют 16-кратное (7,6%), 2-кратное (4,1%), 32-кратное (6,7%) и 8-кратное (7,6%) разведение соответственно.

[0096] Для растворов, содержащих 1,5% порошок ZLC в геле для душа, все разведения показывают чистое повышение процента пропускания в течение 20-минутного периода измерения. Сначала все растворы мутные. 8-кратное разведение показывает самый низкий первоначальный процент пропускания при 0,15% пропускании. 16-кратное разведение показывает повышение только в незначительной степени в течение периода измерения: от 1,2% до 2,2%. 2-кратное и 32-кратное разведения показывают резкое снижение процента пропускания около приблизительно 1 минуты, а затем повышение продолжается в течение остального времени. Это может быть обусловлено отложением осадка. 4-кратное разведение показывает стабильное повышение во время периода от 6,2% до 8,4%. В целом, самым низким является конечный процент пропускания при 8-кратном разведении (1,4%), за которым следуют 16-кратное разведение (2,3%), 4-кратное разведение (8,4%), 32-кратное разведение (9,0%) и, наконец, 2-кратное разведение (10,2%) соответственно.

[0097] Для растворов, содержащих 5% раствор ZLC в геле для душа, сначала все растворы мутные. 8-кратное разведение показывает самый низкий первоначальный процент пропускания при 0,15% пропускании и остается относительно стабильным в течение 20-минутного периода измерения. 32-кратное разведение также остается относительно стабильным в течение периода измерения с 4,9%-5,0%. 4-кратное разведение показывает медленное повышение от 5,8% до 8,4%. 2-кратное разведение показывает резкое первоначальное повышение, а затем стабильное повышение до 11,9%. Наконец, 16-кратное разведение показывает самый высокий первоначальный и конечный % пропускания. 16-кратное разведение показывает легкий наклон около 1 минуты до 12,3%, но последующее повышение до 15,2% к концу периода измерения. В значениях % пропускания разведенных образцов отсутствуют совпадения.

[0098] Для растворов, содержащих 5% раствор ZLC в геле для душа, сначала все растворы мутные. 8-кратное разведение показывает самый низкий первоначальный процент пропускания при 0,15% пропускания и остается относительно стабильным в течение 20-минутного периода измерения. 32-кратное разведение также остается относительно стабильным в течение периода измерения с 4,9%-5,0%. 4-кратное разведение показывает медленное повышение от 5,8% до 8,4%. 2-кратное разведение показывает резкое первоначальное повышение, а затем стабильное повышение до 11,9%. Наконец, 16-кратное разведение показывает самый высокий первоначальный и конечный % пропускания. 16-кратное разведение показывает легкий наклон около 1 минуты до 12,3%, но последующее повышение до 15,2% к концу периода измерения. В значениях % пропускания разведенных образцов отсутствуют совпадения.

[0099] По сравнению с контрольным образцом геля для душа P0 (содержащим 0% ZLC), тест на депонирование цинка показывает значительное депонирование наночастиц ZnO на поверхности стороны, обработанной ZLC.

[0100] Определенное минимальное количество ZLC, по-прежнему сохраняющее депонирование цинка, составляет 5% раствор ZLC и 1,5% порошок ZLC. Они содержат 0,37% и 0,36% Zn соответственно. Представляет трудность рассмотрение оксида цинка, образующегося при анализе мутности, ввиду особенности геля для душа. Исходный гель для душа уже является мутным, в то время как раствор ZLC является прозрачным. При добавлении раствора ZLC в гель для душа значительное уменьшение % пропускания не является очевидным ввиду компенсирования мутности новообразованного осадка добавленной прозрачностью раствора ZLC. Для порошка ZLC значительное снижение % пропускания наблюдают при 16- и 32- кратных разведениях. Это указывает на осаждение ZnO при 1,5% порошке ZLC в геле для душа.

[0101] При взаимодействии с кожей раствора или порошка ZLC молекулы ZLC депонируются на поверхности кожи. Во время процесса очищения в деонизированной воде ZLC образует ZnO, который непосредственно депонируется на поверхности.

[0102] При использовании на всем протяжении настоящего документа под использованием диапазонов подразумевается описание всех без исключения значений, находящихся в рамках диапазона. Любое значение, находящееся в рамках диапазона, можно выбирать в качестве границы диапазона. Кроме того, все противопоставленные материалы полностью включены, таким образом, посредством ссылки. В случае возникновения противоречия между определением в настоящем описании и определением противопоставленного материала, следует руководствоваться настоящим описанием.

[0103] Если не указано иначе, под каждым процентным содержанием и количеством в настоящем документе и где-либо в другой части описания подразумевается обозначение процентов по массе. Указанные выражения количества основаны на активной массе материала.

Изобретение относится к очищающей композиции для индивидуального применения, содержащей: a) эффективное для очищения кожи количество поверхностно-активного вещества и b) комплекс галогенид-Х-цинк, присутствующий в количестве, обеспечивающем, по меньшей мере, 0,36% по массе композиции цинка, где комплекс галогенид-Х-цинк имеет формулу ZnX₂Hal₂ или ZnX₃Hal₂, где Zn является двухвалентным ионом цинка, Hal является хлорид-ионом, X является аминокислотой, выбранной из лизина и аргинина. Изобретение также относится к способу уменьшения наносимого коже вреда от солнечных лучей, способу защиты кожи от солнечного ожога или вреда от солнечных лучей, способу уничтожения бактерий, вызывающих запах пота, и способу уменьшения потоотделения, включающим очищение кожи с помощью указанной жидкой композиции. Также изобретение относится к применению указанного комплекса галогенид-Х-цинк для уменьшения или предотвращения солнечного ожога. 6 н. и 15 з.п. ф-лы, 2 табл., 4 пр.

1. Очищающая композиция для индивидуального применения, содержащая

a) эффективное для очищения кожи количество поверхностно-активного вещества и

b) комплекс галогенид-Х-цинк, присутствующий в количестве, обеспечивающем по меньшей мере 0,36% по массе композиции цинка,

где комплекс галогенид-Х-цинк имеет формулу ZnX₂Hal₂ или ZnX₃Hal₂, где

Zn является двухвалентным ионом цинка,

Hal является хлорид-ионом,

X является аминокислотой, выбранной из лизина и аргинина.

2. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где очищающая композиция является жидкой очищающей композицией.

3. Очищающая композиция для индивидуального применения по любому из предшествующих пунктов, где комплекс галогенид-Х-цинк образуется из предшественников, где предшественниками являются источник ионов цинка, источник X и источник галогенида, представляющий собой хлорид, где источник галогенида может входить в состав источника ионов цинка, источника X или хлороводородной кислоты.

4. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 3, где источником ионов цинка является по меньшей мере один из оксида цинка, хлорида цинка, четырехосновного хлорида цинка, нитрата цинка и цитрата цинка.

5. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 4, где источником X является по меньшей мере одно из лизина и аргинина.

6. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где комплекс галогенид-Х-цинк получают посредством сочетания оксида цинка с гидрохлоридом лизина или аргинина.

7. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где комплекс галогенид-Х-цинк получают посредством сочетания TBZC с гидрохлоридом аминокислоты или аминокислотой, где аминокислота выбрана из лизина и аргинина.

8. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где общее количество цинка, присутствующего в композиции, составляет от 0,36 до 10% по массе, необязательно от 0,37 до 10%, от 0,36 до 5%, от 0,37 до 5%, от 0,4 до 5%, от 0,4 до 2%, от 0,4 до 1%, от 0,5 до 5%, от 0,5 до 4%, от 0,5 до 3% или от 0,5 до 2% по массе.

9. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где комплекс галогенид-Х-цинк присутствует в количестве от 1,5 до 40% по массе композиции, необязательно от по меньшей мере 2, по меньшей мере 3 или по меньшей мере 4 до 40% по массе композиции, или необязательно от 1,5 до 30%, до 20%, до 10%, до 5%, до 4%, до 3%, до 2% или до 1 по массе композиции.

10. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где молярное соотношение цинка к X в комплексе галогенид-Х-цинк составляет от 2:1 до 1:4, необязательно от 1:1 до 1:4, от 1:2 до 1:4, от 1:3 до 1:4, от 2:1 до 1:3, от 2:1 до 1:2, от 2:1 до 1:1 или 1:3.

11. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где комплексом галогенид-Х-цинк является лизин хлорид цинка.

12. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где комплексом галогенид-Х-цинк является ZnЛизин₂Сl₂ или ZnЛизин₃Сl₂.

13. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где композиция обеспечивает фактор защиты от солнца кожи по меньшей мере 2, после очищения кожи посредством очищающей композиции, необязательно солнцезащитный фактор составляет по меньшей мере 3, по меньшей мере 4, или по меньшей мере 5, или по меньшей мере 6, или по меньшей мере 7, или по меньшей мере 8, или по меньшей мере 9, или по меньшей мере 10, или по меньшей мере 12, или по меньшей мере 15, или по меньшей мере 20, или по меньшей мере 25.

14. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где композицией является средство для мытья тела или гель для душа.

15. Способ уменьшения наносимого коже вреда от солнечных лучей, включающий очищение кожи с помощью жидкой очищающей композиции перед воздействием солнечных лучей по любому из пп. 1-14.

16. Способ защиты кожи от солнечного ожога или вреда от солнечных лучей, включающий очищение кожи с помощью жидкой очищающей композиции перед воздействием солнечных лучей по любому из пп. 1-14.

17. Способ уничтожения бактерий, вызывающих запах пота, включающий приведение в контакт бактерий с композицией по любому из пп. 1-14.

18. Способ уменьшения потоотделения, включающий очищение кожи с помощью композиции по любому из пп. 1-14.

19. Применение комплекса галогенид-Х-цинк для уменьшения или предотвращения солнечного ожога, где

комплекс галогенид-Х-цинк имеет формулу ZnX₂Hal₂ или ZnX₃Hal₂, где

Zn является двухвалентным ионом цинка,

Hal является хлорид-ионом,

X является аминокислотой, выбранной из лизина и аргинина.

20. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1 для применения с целью уменьшения наносимого коже вреда от солнечных лучей или защиты кожи от солнечного ожога или вреда от солнечных лучей, включающего очищение кожи с помощью жидкой очищающей композиции по п. 1 перед воздействием солнечных лучей.

21. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1 для применения с целью уничтожения бактерий, включающего приведение в контакт бактерий с композицией по п. 1.