Для однородности питания растущего кристалла сегнетовой соли автором разработан способ выращивания кристаллов в растворе.
В кристаллизатор / цилиндрической формы (см. чертеж) полезной емкостью 7-9 л наливают раствор, насыщенный при 42 и нагретый до 52°. Кристаллизатор накрывают стеклянным диском 2, охваченным для обеспсче;п1я герметичности резиновым кольцом 3. В центре крышки вмонтирована бронзовая направляющая втулка 4, в которую вставлена вертикально вращающаяся ось - кристаллоносец 5; он имеет коническую форму, которая обеспечивает легкий съем кристалла. В самом низу нарезаны два паза: кольцевой, предупреждающий спадение кристалла с оси, и вертикальный, предупреждающий проворачивание кристалла.
По мере роста кристалл врастает в эти иазы и укрепляется на оси. Кристаллоносец оканчивается стальной щпилькой 6, к которой воском приклеивают затравку 1, имеющую следующие размеры по осям: ,5; ,8; Z.5,0.
Верхняя часть затравки на 5 мм отстоит от низа кристаллоносца. Вся затравка, за исключением верхнего среза, покрывается слогм воска и таким образом оказывается как бы в восковой сумочке, предохраняюц№Й ее от растворения при погружении в сильно иерегретьп .аствор. После охлаждения растет верхняя грань затравки площадью всего 1 льи, что иеключает необходимость тратить время на регенерацию затравки.
Кристаллик, вырастая иод восковой сумочкой, охватывает тонкую щнильку и, развиваясь во все стороны, укрепляется на кристаллоьосце, врастая в пазы.
При непрерывном вращении кристалла со скоростью 30-60 об./мин происходит его рост при снижении температуры раствора.
Вначале устанавливается температура на 1,5° ниже температуры насыщения раствора; ири этом кристаллы растут со скоростью 10 мм в сутки по оси Z. Для поддержания этого пересыщеиия суточный спад температуры рассчитай по формуле:,
где / д.-искомая температура; л-длительпость роста в сутках; V- объем раствора; / о-исходная температура.
t° I/ /2 о УТТ/
