Способ выращивания кристалла из испаряющегося раствор-расплава Российский патент 2020 года по МПК C30B9/06 C30B9/12 C30B29/22 C30B28/02 C01B35/12 G02F1/355 

Описание патента на изобретение RU2732513C1

Изобретение относится к способу выращивания кристаллов из испаряющихся (летучих) растворов-расплавов.

Процесс кристаллизации происходит при наличии в системе пересыщения. Контроль за величиной этого параметра является ключевым в обеспечении роста высококачественного кристалла. Поддержание определенной величины пересыщения при выращивании из растворов-расплавов производится двумя методами - неизотермическим, когда производят охлаждение системы и изотермическим, при котором происходит испарение растворителя из системы, либо их комбинацией. Универсальность метода выращивания из раствор-расплава заключается в широком выборе состава растворителей для роста кристаллов того или иного соединения. Как правило, пытаются подобрать растворитель, обладающий минимальным испарением, либо создать условия, препятствующие его испарению. Это позволяет проводить кристаллизацию за счет снижения температуры по заданной программе. При отсутствии альтернативы, используют летучие флюсы-растворители, например, содержащие высокие концентрации KF и/или KBO2. Минимальная величина пересыщения в таком случае обеспечивается скоростью испарения растворителя при температуре роста, а увеличение пересыщения создается за счет дополнительного плавного снижения температуры. Основной недостаток метода заключается в том, что изотермический способ не способен обеспечить меньшие величины пересыщения, которые зачастую необходимы для предотвращения концентрационного переохлаждения, и обеспечения роста структурно совершенного кристалла.

Известен способ выращивания кристаллов при испарении растворителя посредством охлаждения раствора-расплава. Таким образом, были выращены кристаллы корунда Al2O3 (Т пл. = 2050°С) [White Е. A. D. A new technique for the production of cyntetic corundum. - Nature, 1961, 191, N. 4791, p. 901; Oishi S., Teshima K., and Kondo H. Growth of Hexagonal Bipyramidal Ruby Crystals by the Evaporation of a Li2O-MoO3 Flux - Bull. Chem. Soc. Jpn., 2005, 78, p. 1259-1262], шпинели MgAl2O3 (T пл. = 2135°C) [Nielsen J.W., Dearborn E.F., J. Phys. Chem. Solids, 5, 202, 1958], титаната бария BaTiO3 (T пл. = 1616°С) [White Е. A. D. The twinning in barium titanate crystals. - Acta Crystallogr., 1955, 8, p. 845], иттрий-железистых гранатов Y3Fe5O15 (плавятся с разложением) [Nielsen J.W. The growth of magnetic garnets crystals. - J. Appl. Phys., 1958, 29, N/3, p. 390], халькогенида индия и меди [Kurihara М., Hayashi F., Shimizu K., Wagata H., Hirano Т., Nakajima Y., Yubuta K., Oishi S., and Teshima K. Flux-boosted sulfide crystal growth: growth of CuInS2 crystals by NaCl-InCl3 evaporation, Cryst. Growth Des., 2016, 16, p. 1195-1199], метабората бария BaB2O4 (Т пл. = 1095°С, претерпевает полиморфное превращение при 925°С) [Gmelins handbuch der anorganichen chemie. Verlag Chemie, Berlin, 1932].

Известен способ выращивания кристаллов методом раствор-расплавной кристаллизации путем испарения растворителя при постоянной температуре. Таким образом, были получены кристаллы оксидов индия In2O3, титана TiO2, железа Fe2O3, ванадия V2O5 [Roy R. Application of the isothermal flux evaporation method, Mat. Res. Bull. Vol. 1, p. 299, 1966].

Известен способ получения редкоземельных боратов из высокотемпературных летучих (испаряющихся) растворов-расплавов с общей формулой K7MeRe2(B5O10)3, где Me=Са, Sr, Ва; Re=Sc, Y, Lu, Gd [патент CN 107699948, опубл. 19.07.2019]. Способ включает получение поликристаллического порошка соединения K7MRE2B15O30, методом твердофазного синтеза из смеси исходных компонентов калий, М (Са, Sr, Ва), RE (Sc, Y, Lu, G) и борсодержащего соединений, взятых в молярном соотношении 7:1: 2:15, приготовление раствор-расплава с летучим флюсом, нагревание его до температуры кристаллизации и выращивание кристалла из высокотемпературного раствор-расплава методом спонтанной кристаллизации при снижении температуры от 790°С до 720°С, со скоростью снижения температуры 3.5°С/сут. при постоянном вращении 60 об/мин. Раствор-расплав включает флюс, представляющий собой KF, PbF2 или KF-PbF2. Максимальный размер кристалла K7MeRe2(B5O10)3 - 14 мм×10 мм×8 мм. Недостатком данного метода является, вызванное испарением, концентрационное пересыщение, за счет которого происходит рост, и как следствие, возникновение массовой спонтанной кристаллизации и образование многочисленного числа затравочных кристаллов. Совокупность данных факторов не позволяет получать крупные кристаллы.

Технической задачей, решаемой изобретением, является получение из высокотемпературных испаряющихся раствор-расплава кристалла K7CaNd2(B5O10)3 оптического качества, пригодного для практического применения.

Технический результат изобретения достигается тем, что в способе выращивания кристалла K7CaNd2(B5O10)3 из испаряющегося раствор-расплава сначала подготавливают поликристаллический образец K7CaNd2(B5O10)3, который смешивают для приготовления раствор-расплава с K2CO3, CaF2 и Н3ВО3, в молярном соотношении 1:6:6:12, нагревают до 900°С, далее охлаждают до температуры начала кристаллизации, после чего осуществляют контроль степени пересыщения раствор-расплава, повышая его температуру от начальной температуры кристаллизации со скоростью нагрева на 0,2-2°С/ч. во время роста кристалла.

Такая скорость нагревания регулирует уровень компенсации пересыщения, вызванного испарением растворителя при повышении температуры раствор-расплава.

Изменение скорости повышения температуры позволяет эффективно управлять пересыщением и, следовательно, скоростью кристаллизации.

Возможность роста кристаллов оптического качества из высокотемпературного испаряющегося раствор-расплава проиллюстрирована на примерах роста кристалла K7CaNd2(B5O10)3 известными и заявляемым способами.

На фиг. 1 - представлена схема установки для выращивания спонтанных кристаллов из раствора в расплаве на платиновый стержень с петлей методом раствор-расплавной кристаллизации.

На фиг. 2 - Схематическая диаграмма с эвтектикой «кристалл K7CaNd2(B5O10)3 - растворитель (K2O-В2О3-CaF2)».

А - снижение температуры раствор-расплава,

Б - изотермическое испарение растворителя (Т=const),

В - повышение температуры раствор-расплава,

Ж - плавление кристаллов, кристаллизации нет.

На фиг. 3 показаны кристаллы K7CaNd2(B5O10)3, выращенные из растворителя K2O-В2О3-CaF2 в результате:

А - снижения температуры раствор-расплава,

Б - изотермического испарения растворителя (Т=const),

В - повышения температуры раствор-расплава.

При атмосферном давлении, на воздухе кристаллы редкоземельного калий-кальциевого бората K7CaNd2(B5O10)3 были выращены из растворителя K2O-В2О3-CaF2 на платиновую петлю тремя различными способами (примеры 1-3) с применением метода раствор-расплавной кристаллизации (фиг. 1).

Пример 1. Для осуществления процесса выращивания кристалла калий-кальциевого бората K7CaNd2(B5O10)3 из раствора-расплава на платиновую петлю в платиновый тигель диаметром 50 мм и высотой 60 мм помещают смесь соединений K7CaNd2(B5O10)3 и K2CO3, CaF2, Н3ВО3 в молярном соотношении 1:6:6:12.

Методом двухстадийного твердофазного синтеза в платиновом тигле подготовлен поликристаллический образец K7CaNd2(B5O10)3 по реакции:

7K2CO3+2СаСО3+2Nd2O3+30Н3ВО3=2K7CaNd2(B5O10)3+45H2O+9CO2.

На первой стадии стехиометрическую смесь реагентов K2CO3, СаСО3, Н3ВО3 и Nd2O3 (R=Nd, Yb) марки о.с.ч. нагревают в течение 5 ч при 650°С для разложения K2CO3, СаСО3, Н3ВО3. На второй стадии смесь измельчают и заново загружали в тигель. Температура нагрева - 800°С, время синтеза - 12 часов. Порошковая рентгенограмма отвечает соединению K7CaNd2(B5O10)3, пики исходных реагентов отсутствуют.

Способ подготовки испаряющегося раствор-расплава, содержащего летучий фторид, осуществляют в две стадии. На первой стадии в платиновый тигель диаметром 50 мм и высотой 60 мм помещают смесь соединений K7CaNd2(B5O10)3, K2CO3 и Н3ВО3 в молярном соотношении 1:6:12. Исходную смесь нагревают до 720°С для удаления Н2О и СО2. На второй стадии к исходной смеси добавляют CaF2 и нагревают до 900°С. Полученный раствор-расплав массой 40 г выдерживают в расплавленном состоянии в течение 12 часов для достижения гомогенизации, и затем охлаждают до ~835°С - температуры начала кристаллизации.

Для осуществления спонтанной кристаллизации в центральную часть поверхности расплава помещают платиновый стержень с петлей. Наблюдение за расплавом проводят через кварцевое стекло в верхней крышке печи. Схематическая эвтектическая диаграмма «кристалл - растворитель» приведена на фиг. 2.

Кристалл K7CaNd2(B5O10)3 выращивают по известному методу из насыщенного летучего раствора-расплава при медленном охлаждении со скоростью 0.2-2°С/час (фиг. 2А). Траектория изменения состава жидкой фазы отмечена кружками. Однако, испарение растворителя приводит к смещению точки состава системы влево (показаны квадратами), что приводит к высокой скорости роста и неконтролируемому разрастанию кристалла с появлением большого количества включений (фиг. 3А).

Пример 2. Приготовление раствор-расплава аналогично примеру 1, кристалл K7CaNd2(B5O10)3 выращивают по известному методу при постоянной температуре, следовательно, пересыщение раствора-расплава происходит только в следствие испарения растворителя (фиг. 2Б), фигуративная точка расплава остается неизменной, а пересыщение создается за счет изменения состава системы вследствие испарения. При данных условиях не представляется возможным контролировать скорость устойчивого роста однородных кристаллов (фиг. 3Б).

Таким образом, показано, что применение метода охлаждения раствора-расплава при выращивании кристаллов K7CaNd2(B5O10)3 нецелесообразно, равно как и метода изотермического испарения растворителя, поскольку уровень достигаемого пересыщения слишком высокий, что приводит к массовой спонтанной кристаллизации, захвату растворителя, образованию блоков и других дефектов и как следствие, получению кристаллов ненадлежащего качества.

Пример 3. Приготовление раствор-расплава аналогично примеру 1, но для укрупнения спонтанных кристаллов и снижения пересыщения в раствор-расплаве температуру повышают на 0.2-2°С/час (фиг. 2В). Таким образом, компенсация высоких значений пересыщений из-за испарения происходит за счет изменения положения фигуративной точки расплава. Путем подбора скорости нагрева, можно уменьшить степень пересыщения вплоть до нуля. По окончании процесса выращивания платиновый стержень с петлей и наращенным на нее кристаллом отделяют от раствора-расплава и охлаждают до комнатной температуры со скоростью 20°С/час. За 5 суток выращивают кристалл редкоземельного калий-кальциевого бората K7CaNd2(B5O10)3 весом 12.2 г (фиг. 3В) размерами 30×30×10 мм с прозрачной площадью 5×5×5 мм достаточными для исследования физических свойств и практического использования.

Однако, они не ограничивают изобретение и включают все модификации, эквиваленты и альтернативы в пределах сущности и объема изобретения, обеспечивающих условия достижения сколь угодно малого пересыщения при выращивании кристаллов из испаряющихся (летучих) растворов-расплавов.

Похожие патенты RU2732513C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА МЕТАФТОРИДОБОРАТА БАРИЯ-НАТРИЯ BaNa (BO)F 2014
  • Беккер Татьяна Борисовна
  • Солнцев Владимир Павлович
  • Давыдов Алексей Владимирович
RU2591156C2
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА β-BaBO 1998
  • Кох А.Е.
  • Гец В.А.
  • Кононова Н.Г.
  • Ильина О.С.
  • Семиколенова Г.В.
RU2139957C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛА МЕТОДОМ КИРОПУЛОСА 2012
  • Кох Александр Егорович
  • Кох Константин Александрович
  • Кононова Надежда Георгиевна
  • Мартиросян Наира Садраковна
RU2494176C1
Способ выращивания кристалла метабората бария β-BaBO(BBO) 2019
  • Симонова Екатерина Александровна
  • Кононова Надежда Георгиевна
  • Шевченко Вячеслав Сергеевич
  • Кузнецов Артем Борисович
  • Кох Александр Егорович
RU2705341C1
Нелинейно-оптический и фотолюминесцентный материал редкоземельного скандобората самария и способ его получения 2020
  • Кузнецов Артем Борисович
  • Кох Константин Александрович
  • Жамус Аммар
  • Светличный Валерий Анатольевич
  • Симонова Екатерина Александровна
  • Кононова Надежда Георгиевна
  • Шевченко Вячеслав Сергеевич
  • Кох Александр Егорович
RU2759536C1
СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ РАСТВОР-РАСПЛАВА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ β-BABO 2001
  • Кононова Н.Г.
  • Кох А.Е.
RU2195520C1
Кристаллический материал для регистрации рентгеновского излучения 2016
  • Беккер Татьяна Борисовна
  • Солнцев Владимир Павлович
  • Елисеев Александр Павлович
  • Ращенко Сергей Владимирович
RU2630511C1
СПОСОБ ГОМОГЕНИЗАЦИИ РАСТВОР-РАСПЛАВОВ ИЛИ РАСПЛАВОВ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ МОНОКРИСТАЛЛОВ 2000
  • Кох А.Е.
  • Кох В.Е.
  • Кононова Н.Г.
RU2164561C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ПАРАТЕЛЛУРИТА ГРАННОЙ ФОРМЫ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2012
  • Кох Александр Егорович
  • Шевченко Вячеслав Сергеевич
  • Влезко Василий Андреевич
  • Кох Константин Александрович
RU2507319C1
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1999
  • Кох А.Е.
  • Кононова Н.Г.
  • Кох В.Е.
RU2163943C2

Иллюстрации к изобретению RU 2 732 513 C1

Реферат патента 2020 года Способ выращивания кристалла из испаряющегося раствор-расплава

Изобретение относится к технологии получения кристаллов из испаряющихся (летучих) растворов-расплавов. Кристалл K7CaNd2(B5O10)3 выращивают из испаряющегося раствор-расплава путем контроля степени пересыщения раствор-расплава, при этом сначала подготавливают поликристаллический образец K7CaNd2(B5O10)3, который для приготовления раствор-расплава смешивают с K2CO3, CaF2 и Н3ВО3, в молярном соотношении 1:6:6:12, нагревают до 900°С, далее охлаждают до температуры начала кристаллизации, после чего осуществляют контроль степени пересыщения раствор-расплава, повышая его температуру от начальной температуры кристаллизации со скоростью нагрева на 0,2-2°С/ч во время роста кристалла. Изменение скорости повышения температуры позволяет эффективно управлять пересыщением и, следовательно, скоростью кристаллизации, что обеспечивает получение из высокотемпературных испаряющихся раствор-расплавов кристаллов оптического качества. В результате был выращен кристалл редкоземельного калий-кальциевого бората K7CaNd2(B5O10)3 весом 12,2 г размерами 30×30×10 мм с прозрачной площадью 5×5×5 мм, достаточными для исследования физических свойств и практического использования. 3 ил., 3 пр.

Формула изобретения RU 2 732 513 C1

Способ выращивания кристалла K7CaNd2(B5O10)3 из испаряющегося раствор-расплава путем контроля степени пересыщения раствор-расплава, отличающийся тем, что сначала подготавливают поликристаллический образец K7CaNd2(B5O10)3, который для приготовления раствор-расплава смешивают с K2CO3, CaF2 и Н3ВО3, в молярном соотношении 1:6:6:12, нагревают до 900°С, далее охлаждают до температуры начала кристаллизации, после чего осуществляют контроль степени пересыщения раствор-расплава, повышая его температуру от начальной температуры кристаллизации со скоростью нагрева на 0,2-2°С/ч во время роста кристалла.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2020 года RU2732513C1

CN 107699948 В, 19.07.2019
MUTAILIPU M
et al
Chemical Consubstitution-Oriented Design of Rare-Earth Borates as Potential Ultraviolet Nonlinear Optical Materials, "J
Am
Chem
Soc.", 2017, Vol
Способ подпочвенного орошения с применением труб 1921
  • Корнев В.Г.
SU139A1
Вулканизационная форма 1927
  • Д.Ф. Вильгельми
SU18397A1
КУЗНЕЦОВ А.Б
и др
Способ восстановления хромовой кислоты, в частности для получения хромовых квасцов 1921
  • Ланговой С.П.
  • Рейзнек А.Р.
SU7A1

RU 2 732 513 C1

Авторы

Кох Константин Александрович

Кузнецов Артем Борисович

Симонова Екатерина Александровна

Даты

2020-09-18Публикация

2019-09-25Подача