Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления транзистора с низким значением плотности встроенного заряда и повышенной радиационной стойкостью.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент 5093700 США, МКИ H01L 27/01] с многослойным затвором из поликремния, в которых слои поликремния разделяются слоями кремния толщиной 0,1-0,5 нм; используются 3 слоя поликремния и 2 слоя оксида кремния. Осаждения поликремния осуществляется с использованием силана при давлении 53 Па и температуре 650°С. Слой оксида формируется при 1% кислорода и 99% аргона при температуре 800°С. Использование многослойных структур при изготовлении затвора прибора повышает дефектность структуры и ухудшают электрические параметры изделий.
Известен способ изготовления радиационно-стойкого полупроводникового прибора [Заявка 2667442 Франция, МКИ H01L 23/552]. На поверхности сильно легированной полупроводниковой подложки р+ или n+ - типа проводимости наращивается слаболегированный активный слой толщиной 150 нм, который затем имплантируется ионами кислорода с целью формирования скрытого изолирующего слоя диоксида кремния толщиной 350 нм. Таким образом активный слой располагается на поверхности изолирующего слоя. Использование сильно легированной полупроводниковой подложки обеспечивает сток генерируемых облучением зарядов, а также быстрой рекомбинации.
Недостатками способа являются: высокие значения встроенного заряда; высокая дефектность; низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением: снижения значений плотности встроенного заряда и повышения радиационной стойкости, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных приборов.
Задача решается путем нанесения слоя нитрида кремния Si3N4 толщиной 40-80 нм поверх слоя диоксида кремния при расходе газовой смеси SiH4-N2 35-40 см3/мин в реакторе, давлении газовой смеси 0,4 мм рт.ст., ВЧ-мощности 100 Вт, концентрации силана в смеси 1 мол %, температуре подложки 400°С и скорости осаждения нитрида кремния Si3N4 0,3 нм/с.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы приборы. Результаты обработки представлены в таблице:
Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых приборов на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 19,8%.
Технический результат: снижения значений встроенного заряда и повышения радиационной стойкости, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных приборов.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления радиационно-стойкого полупроводникового прибора путем нанесения поверх слоя диоксида кремния над канальной областью нитрида кремния Si3N4 толщиной 40-80 нм при расходе газовой смеси SiH4-N2 35-40 см3/мин в реакторе, давлении газовой смеси 0,4 мм рт.ст., ВЧ-мощности 100 Вт, концентрации силана в смеси 1 мол %, температуре подложки 400°С и скорости осаждения нитрида кремния Si3N4 0,3 нм/с, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ получения нитрида кремния | 2016 |
|
RU2629656C1 |
Способ изготовления нитрида кремния | 2021 |
|
RU2769276C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2022 |
|
RU2785083C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2020 |
|
RU2755175C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ТРАНЗИСТОРА | 2012 |
|
RU2522930C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2017 |
|
RU2661546C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2005 |
|
RU2302055C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2015 |
|
RU2606780C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2023 |
|
RU2805132C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ | 2014 |
|
RU2586009C1 |
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ состоит в следующем: на кремниевых пластинах после создания тонкого затворного оксида по стандартной технологии поверх нее над канальной областью формируют слой нитрида кремния Si3N4 толщиной 40-80 нм при расходе газовой смеси SiH4-N2 35-40 см3/мин в реакторе, давлении газовой смеси 0,4 мм рт.ст., ВЧ-мощности 100 Вт, концентрации силана в смеси 1 мол.%, температуре подложки 400°С и скорости осаждения нитрида кремния Si3N4 0,3 нм/с. Нанесение слоя нитрида кремния поверх слоя оксида улучшает рабочие характеристики полупроводниковых приборов, т.к. при облучении в двухслойных системах SiO2-Si3N4 происходит уменьшение встроенного заряда за счет компенсации положительного заряда в диоксиде кремния отрицательным зарядом, накопленным в нитриде кремния, и повышается радиационная стойкость. 1 табл.
Способ изготовления радиационно-стойкого полупроводникового прибора, включающий формирование слоя нитрида кремния, отличающийся тем, что поверх слоя диоксида кремния над канальной областью наносят слой нитрида кремния Si3N4 толщиной 40-80 нм при расходе газовой смеси SiH4-N2 35-40 см3/мин в реакторе, давлении газовой смеси 0,4 мм рт.ст., ВЧ-мощности 100 Вт, концентрации силана в смеси 1 мол.%, температуре подложки 400°С и скорости осаждения нитрида кремния Si3N4 0,3 нм/с.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОЙ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА | 2013 |
|
RU2521222C1 |
US 2009061608 A1, 05.03.2009 | |||
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ГИБКО-ЖЕСТКИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ПЛАТ | 2012 |
|
RU2489814C1 |
Флюс для плавки сплавов на основе легких металлов | 1984 |
|
SU1239155A1 |
Авторы
Даты
2022-12-05—Публикация
2021-11-10—Подача