Способ изготовления тонкопленочных резисторов на гибкой подложке Советский патент 1983 года по МПК C23C13/00 

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ НА ГИБКОЙ ПОДЛОЖКЕ

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве радиоэлектронной аппаратуры при изготовлении микросхем частного применения, дискретных тонкопленочных резисторов на гибкой подложке из полиимидной пленки..

Известен способ изготовления тонкопленочных резисторов на пластмассовой пленке из полиимида или фторопласта, при котором пленка покрывается с обеих сторон слоями нихрома толщиной 0,002 мкм, а затем слоем меди толщиной до 20 мкм. Нанесение покрытий осуществляется электронным лучом, а травлением создаются резистивные элементы и соединения между ними. Значения поверхностного сопроIтивления лежат в пределах 20-300 Ом на квадрат (Ом/п) C IЭтот способ не позволяет получать высокоомные резисторы.

Из известных технических решений наиболее близким к изобретению по технической сущности является способ изготовления тонкопленочных резисторов на гибкой подложке, в,ключакяций формирование резйстивных элементов, реперных знаков и проводящих элементов r2L

Недостаток этого способа - большой разброс номиналов резисторов.

Цель изобретения - уменыиение разброса номиналов резисторов.

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления тонкопленочных резисторов на гибкой подложке, включающем формирование резистинных элементов,, реперных знаков и

10 проводящих элементов, формирование резйстивных элементов и реперных знаков осуществляют локальным осаждением резистивного материала на подложку, после чего маскируют ре15перные знаки, а проводящие элементы формируют .методом фотолитографии, причем локальное осаждение резистивного материала на подложку осуществляют через свободную маску.

20

Пример. Через свободную маску на полиимидную подложку наносят методом вакуумного испарения резистив ные элементы и реперные знаки. Маска в данном случае, кроме своей ос25новной функции, играет роль теплового экрана, предохраняющего подложку от перегрева при нанесении.тугоплавких материалов. Затем маскируют реперные знаки и наносят слошной про30водящий слой.

nocjje чего методом фотолитографии с использованием селективных травителей, формируют контактные площадки, соединенные между соевой перекичками для обрс139вания; электрической цепи, защищают реэистивные элементы диэлектрической пленкой, производят гальваническое осаяадение металлов, повышающих проводимость и паяемость контактных площадок при сборке ГИС и разделяют гибкуюподпожку на отдельные элементы.

; Способ изготовления тонкопленочных резисторов повышает процент выхода годных изделий на гибкой подпожке за счет: снижения теплового воздействия на материал гибкой поДложки при алсокотемпературном процессе нанесения разнстивных элементов, выполнения контактных площадок и проводников методом фотолитографии, обеспечивающим повышение точности изготовления и совмещения проводящих Элементов с резистивньвда. элементами. j Формула изобретения

1, Способ изготовления тонкопленочныхРезисторов на гибкой подложке

Ъключащий формирование резистивных элементов, реперных знаковой проводящих элементов, отличающийс я тем, что, с целью уменьшения разброса номиналов резисторов, формирование резистивных элементов и реперных знаков осуществляют локальным осаждением резистивного материала на ПОДЛОЖКУ, после чего маскируют реперные знаки, а проводящие элементы формируют методом фотолитографии.

Источники инфомарции, принятые во внимание при экспертизе

2.Ермолаев Ю.П. и др. Конструкция и технология микросхем (ГИС и ВГИС). М., Советское радио, 1980, с. 34-38 (прототип).