Скорости роста кристаллов существенным образом зависят от скорости притока свежего пересыщенного раствора к поверхности растущих кристаллов. Перемещение кристалла относительно раствора способствует росту за счет отвода от его поверхпостей пленки обедненного, слабонасыщенного раствора и притока свежего раствора, имеющего большее пересыщение.
Известные способы выращивания кристаллов, в целях быстрого восстановления пересыщенпя вокруг растущего кристалла, предусматривают перемешивание раствора или вращение кристалла в растворе.
Предлагаемый способ позволяет повысить скорости роста кристаллов благодаря тому, что кристаллы в процессе роста прпводят в колебательное двпжепие, причем это движение может осуществляться с большой частотой от десятков герц до десятков килогерц и сочетаться с движением раствора.
Силы, возникающие при быстрых механических колебаниях кристалла, будут интепсивно разрушать пленку потерявшего пересыщенпе раствора, обволакивающую грани кристалла, чем достигается устранение одпо11 из основных причин замедления его роста.
Одно или несколько одновременных колебательных движений, необходимых для ускорения его роста, можно сообщать кристаллу при помощп механических и электромагнитных механизмов, магнитострикционных и пьезоэлектрических вибраторов.
Предмет изобретения
Сиособ выращивания кристаллов иа неподвижных или перемешпваемых растворов, о т л и ч а ю щ п и с я тем, что, с целью увеличения скорости роста кристаллов, последним сообщают колебательное движение звуковой или ультразвуковой частоты, в одном пли нескольких направлениях.
