СПОСОБ ОГРАНКИ ДЕФОРМИРОВАННОГО КРИСТАЛЛА АЛМАЗА Советский патент 1996 года по МПК B28D5/00 

Изобретение относится к механической обработке алмазов и может быть использовано для огранки алмазов при изготовлении бриллиантов.

Известен способ нахождения направления шлифования с наибольшей интенсивностью съема алмаза, включающий определение температуры в зоне контакта алмаза с режущим инструментом и ориентацию кристаллографических плоскостей алмаза относительно направления шлифования [1]
Недостатком данного способа является низкая производительность огранки.

Наиболее близким техническим решением является способ огранки кристалла алмаза, включающий установку кристалла алмаза в держатель, поворот кристалла алмаза по часовой стрелке вокруг оси держателя на угол 22^o30', пробное шлифование в различных направлениях относительно кристаллографических осей алмаза и выбор направления шлифования с наибольшей интенсивностью съема алмаза и шлифование и полирование граней алмаза [2]
Недостаток указанного способа заключается в том, что при огранке деформированного кристалла алмаза под углом обработки 22^o30' по сравнению с недеформированными кристаллами алмаза не обеспечивается наибольшая интенсивность съема алмаза и затрачивается дополнительное время на выполнение пробного шлифования, что ведет к снижению производительности огранки.

Целью изобретения является повышение производительности огранки деформированного кристалла алмаза.

Поставленная цель достигается тем, что в способе огранки деформированного кристалла алмаза, преимущественно при изготовлении бриллиантов, включающем установку кристалла алмаза в держатель, поворот кристалла алмаза по часовой стрелке вокруг оси держателя на угол 22^o30', пробное шлифование в различных направлениях относительно кристаллографических осей алмаза, выбор направления шлифования с наибольшей интенсивностью съема и последующее шлифование и полирование граней, пробное шлифование осуществляют последовательно в трех положениях держателя с кристаллом алмаза относительно направления шлифования, первое из которых составляет положительный угол от 29^o45' до 30^o, второе перпендикулярно, а третье отрицательный угол от 29^o45' до 30^o относительно оси симметрии обрабатываемой грани, шлифование и полирование граней осуществляют во втором положении держателя относительно направления шлифования при одинаковой интенсивности съема в каждом из трех положений держателя. Для достижения одинаковой интенсивности съема в каждом из трех положений держателя перед шлифованием и полированием граней осуществляют дополнительные дискретные повороты кристалла алмаза вокруг оси на 1^o с последующим пробным шлифованием до достижения угла поворота кристалла алмаза вокруг оси держателя до 28^o30'.

Такое выполнение способа обеспечивает повышение точности нахождения направления шлифования с наибольшей интенсивностью съема алмаза, что способствует повышению производительности огранки.

На фиг. 1 изображены три положения держателя на ограночном диске; на фиг. 2 направление шлифования грани, соответствующее первому положению держателя; на фиг. 3 направление шлифования грани, соответствующее второму положению держателя; на фиг. 4 направление шлифования грани, соответствующее третьему положению держателя.

Пример 1. Деформированный кристалл алмаза устанавливают в держатель ограночного приспособления (не показано). Поворачивают кристалл алмаза по часовой стрелке вокруг оси держателя на угол 22^o30' и осуществляют пробное шлифование в первом положении держателя относительно ограночного диска (фиг. 1 и 2), а затем во втором и третьем положениях держателя. Если во втором и третьем положениях держателя относительно ограночного диска кристалл алмаза не шлифуется, осуществляют дополнительный поворот кристалла алмаза на угол 1^o, т. е. до 23^o30'. Если кристалл алмаза шлифуется во всех трех положениях держателя, то окончательное шлифование и полирование производят во втором положении держателя. Наибольшая интенсивность съема кристалла алмаза будет обеспечена при расположении направления шлифования и полирования грани при положительном угле 29^o45' 30^o относительно оси симметрии шлифуемой грани (фиг. 2).

Пример 2. После установки в держатель деформированный кристалл алмаза поворачивают вокруг оси держателя на угол 22^o30' и осуществляют пробное шлифование в первом положении держателя. Если кристалл алмаза не шлифуется, его дополнительно поворачивают вокруг оси держателя на угол 4^o, т.е. до 26^o30'. Если кристалла алмаза шлифуется во всех трех положениях держателя, то окончательное полирование и шлифование осуществляют во втором положении держателя. Наибольший съем алмаза при этом наблюдается при расположении направления шлифования и полирования перпендикулярно оси симметрии шлифуемой грани (фиг. 3).

Пример 3. После установки в держатель деформированный кристалл алмаза поворачивают вокруг оси держателя на угол 22^o30' и осуществляют пробное шлифование в первом положении держателя. Если кристалл алмаза не шлифуется, осуществляют дополнительный поворот кристалла алмаза вокруг оси держателя на угол 5^o, т.е. до 27^o30'. Если кристалл алмаза шлифуется в первом и во втором положениях держателя и не шлифуется в третьем положении, то осуществляют дополнительный поворот кристалла алмаза на угол 1^o, т.е. до 28^o30'. Если кристалл алмаза шлифуется во всех трех положениях держателя, окончательное шлифование и полирование граней бриллианта осуществляют во втором положении держателя.

В третьем положении держателя наибольший съем алмаза наступает тогда, когда направление шлифования и полирования составляет отрицательный угол от 29^o45' до 30^o относительно оси симметрии шлифуемой грани (фиг. 4).

Использование предлагаемого способа обеспечивает сокращение количества пробных проходов шлифования и повышение точности нахождения направления шлифования с наибольшей интенсивностью съема алмаза, что повышает производительность труда на 3% ЫЫЫ2 ЫЫЫ4

1. Способ огранки деформированного кристалла алмаза, преимущественно, при изготовлении бриллиантов, включающий установку кристалла алмаза в держатель, поворот кристалла алмаза по часовой стрелке вокруг оси держателя на угол 22^o30', пробное шлифование в различных направлениях относительно кристаллографических осей алмаза, выбор направления шлифования с наибольшей интенсивностью съема и последующее шлифование и полирование граней, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, пробное шлифование осуществляют последовательно в трех положениях держателя с кристаллом алмаза относительно направления шлифования, первое из которых составляет положительный угол от 29^o45' до 30°, второе - перпендикулярно, а третье - отрицательный угол от 29^o45' до 30° относительно оси симметрии обрабатываемой грани, шлифование и полирование граней осуществляют во втором положении держателя относительно направления шлифования при одинаковой интенсивности съема в каждом из трех положений держателя.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью достижения одинаковой интенсивности съема в каждом из трех положений держателя, перед шлифованием и полированием граней осуществляют дополнительные дискретные повороты кристалла алмаза вокруг оси на 1° с последующим пробным шлифованием до достижения угла поворота кристалла алмаза вокруг оси держателя до 28^o30'.

1. Способ огранки деформированного кристалла алмаза преимущественно при изготовлении бриллиантов, включающий установку кристалла алмаза в держатель, поворот кристалла алмаза по часовой стрелке вокруг оси держателя на угол 22^o30', пробное шлифование в различных направлениях относительно кристаллографических осей алмаза, выбор направления шлифования с наибольшей интенсивностью съема и последующее шлифование и полирование граней, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, пробное шлифование осуществляют последовательно в трех положениях держателя с кристаллом алмаза относительно направления шлифования, первое из которых составляет положительный угол от 29^o45' до 30°, второе - перпендикулярно, а третье отрицательный угол от 29^o45' до 30° относительно оси симметрии обрабатываемой грани, шлифование и полирование граней осуществляют во втором положении держателя относительно направления шлифования при одинаковой интенсивности съема в каждом из трех положений держателя. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью достижения одинаковой интенсивности съема в каждом из трех положений держателя, перед шлифованием и полированием граней осуществляют дополнительные дискретные повороты кристалла алмаза вокруг оси на 1° с последующим пробным шлифованием до достижения угла поворота кристалла алмаза вокруг оси держателя до 28^o30'.