Изобретение относится к обработке легкорасслаивающихся MaTepHajriiDB , в частности к способам расслоения крио таллов слюды. Известен способ расслоения слюды путем принудительного введения ножа между, слоями кристалла по плоскости совершенной спайности TlJ. Недостаток такого способа заключается в том, что каждое взаимодействие движущегося ножа с кристаллом сопровождается отделением одной плас тины слюды, что не обеспечивает достаточной производительности труда и снижает коэффициент использования слюдяного сырья за счет повреждения кристалла вводимым в него ножом. Наиболее близким к изобре1ению является способ расслоения крксталgOB слюды путём торцевого удара, вкл чающий рриентировочную подачу.иристаллов с высокой скоростью на тверду преграду L2JОднако известный способ не обеспе чивает полное использование кинетической энергии движущихся кристаллов в результате чего часть кристаллов не распадается на отдельные слюдяные пластины, а превращается в слабосвязанные, распушенные тела. При .более сильном ударе происходит повреждение полезной площади кристаллов слюды. Цель изобретения - повышение эффективности расслоения кристаллов слюды за счет более полного использования кинетической энергии движущихся кристаллов . Поставленная цель достигается тем, что согласно способу расслоени кристаллов слюды, включающему ооиен тированную подачу к зисталлов плоскостью совершенной спайности в направлен :твердой преграды, подачу кристаллов осуществляют под углом 120-150 к преграде , причем после о. нее кристал лы подвергают повторному удару о дрпол нительную преграду, установленную под углом 30-60 к основной преград Повторный удар кристалла слюды о дополнительную преграду позволяет разорвать те оставшиеся связи между пластинами слюды, которые сохранились после первого дара, и полност отделить пластины друг от друга, превратив сшабОсвйзанноё, распушенное тело в набор, отдельных слюдяных пластиной, причем направление удара о первую преграду под углом 120-150 позволяет ударившиеся кристаллы уда лить с пути движения новых кристаллов, летящих к этой преграде, предохраняя их тем самым от повреждени и направить для повторного удара к дополнительной преграде, Дополни- тельная преграда расположена под углом 30-60 к основной преграде, что позволяет осуществить дополнительный удар под углом 90° к дополнительной преграде. На чертеже изображена схема расслоения слюды по предлагаемому способу. Кристаллы 1 слюды посредством конвейера 2 и загрузочного лотка 3 подают к линии 4 Касания двух параллельно вращающихся навстречу друг другу цилиндрических тел 5, которые обеспечивают ориентировЬчное перемещение кристалла с заданной скоростью относительно твердой.преграды 6, расположенной, под углом ci к направлению движения, кристаллов, в результате удара о поверхность которой образуются кристаллы 7 слюды, перемещающиеся за счет кинетической энергии последующего отскока к дополнительной преграде 8, расположенной под углом 1 относительно основной. . Способ расслоения кристаллов слюды осуществляется следующим спо- собом. Кристаллы 1, транспортируемые конвейером 2, поступают на загрузочный лоток 3, посредством которого направляются к линии 4 соприкосновения двух параллельно вращающихся навстречу друг другу цилиндрических тел, захватываются вращающимися телами 5, которые за счет двухстороннего упругого контакта с внешними плоскостями кристалла обеспечивают ориентированное перемещение его в направлении твердой преграды 6 с заданной скоростью. При ударе направленного кристалла 1 о неподвижную преграду 6, расположенную под углом ,120-150 к направлению движения криаталла, разрушаются связи между плос-, костями совершенной спайности в кристалле 1 и за счет энергии послеударного отскока образованные после удара кристалла 7 перемещаются по направлению к дополнительной преграде 8. Связи между плоскостями совершенной спайности после первого удара, как правило, полностью не разрушаются и кристаллы 7 перемецдаются к преграде 8 и представляют собой слабосвязанные, распушенные тела, для превращения которых в набор отдельных, не связанных между собой пластин 9 слюды, требуется дополнительное силовое воздействие. Это дополнительное воздействие осуществляется за счет использования кинетической энергии послеударного отскока от первой преграды путем повторного удара кристаллов 7 слюды о дополнительную преграду 8, расположенную под углом 30-60 относительно первой преграды. В результате повторного. удара оставшиеся йвязи в кристашлах 7 разрушаются и образуются слюдяные кристаллы 9.
310333414
Предлагаемый способ расслоениядении кристашлов. Дополнительный экокристаллов слюды по сравнению с из-номический эффект от внедрения предвёйтны позволяет повысить эффектив-лагаемого способа составляет
ность расслоения, . получить болееориентировочно 60 тыс, руб. в
тонкие пластинки при меньшем повреж год.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Устройство для расслоения кристаллов слюды | 1980 |
|
SU893566A1 |
Устройство для расслоения кристаллов слюды | 1983 |
|
SU1114560A2 |
Устройство для расслоения кристаллов слюды | 1985 |
|
SU1222569A2 |
Способ расслоения кристаллов слюды | 1988 |
|
SU1608063A1 |
Устройство для расслоения кристаллов слюды | 1982 |
|
SU1073108A1 |
Устройство для расслоения и сортировки кристаллов слюды | 1981 |
|
SU980831A1 |
Способ расщепления слюды и устройство для его осуществления | 1989 |
|
SU1752561A1 |
Устройство для тонкого измельчения | 1988 |
|
SU1664576A1 |
Устройство для расслоения кристаллов слюды | 1982 |
|
SU1038248A1 |
Способ изготовления слюдяных электроизоляционных материалов и устройство для осуществления этого способа | 1957 |
|
SU114915A1 |
СПОСОБ РАССЛОЕНИЯ КРИСТАЛ.ЛОВ СЛЮДЫ, включающий ориентированшую подачу кристаллов пло скостью совершенной спайности в направлении твердой преграды с последутощим торцевым ударом их о преграду, о т л ич а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения эффективности расслоения за счет более полного использования кинетической энергии движущихся .кристаллов, подачу кристаллов осуществляют под углом 120-150 к преграде, причем после удара о нее кристаллы подвергают повторному удару о дополнительную преграду, установленную под углом 30-60 к основ.ной преграде. СО 00 со 4:
Авторы
Даты
1983-08-07—Публикация
1981-02-27—Подача