Способ расслоения кристаллов слюды Советский патент 1983 года по МПК B28D1/32 

Описание патента на изобретение SU1033341A1

Изобретение относится к обработке легкорасслаивающихся MaTepHajriiDB , в частности к способам расслоения крио таллов слюды. Известен способ расслоения слюды путем принудительного введения ножа между, слоями кристалла по плоскости совершенной спайности TlJ. Недостаток такого способа заключается в том, что каждое взаимодействие движущегося ножа с кристаллом сопровождается отделением одной плас тины слюды, что не обеспечивает достаточной производительности труда и снижает коэффициент использования слюдяного сырья за счет повреждения кристалла вводимым в него ножом. Наиболее близким к изобре1ению является способ расслоения крксталgOB слюды путём торцевого удара, вкл чающий рриентировочную подачу.иристаллов с высокой скоростью на тверду преграду L2JОднако известный способ не обеспе чивает полное использование кинетической энергии движущихся кристаллов в результате чего часть кристаллов не распадается на отдельные слюдяные пластины, а превращается в слабосвязанные, распушенные тела. При .более сильном ударе происходит повреждение полезной площади кристаллов слюды. Цель изобретения - повышение эффективности расслоения кристаллов слюды за счет более полного использования кинетической энергии движущихся кристаллов . Поставленная цель достигается тем, что согласно способу расслоени кристаллов слюды, включающему ооиен тированную подачу к зисталлов плоскостью совершенной спайности в направлен :твердой преграды, подачу кристаллов осуществляют под углом 120-150 к преграде , причем после о. нее кристал лы подвергают повторному удару о дрпол нительную преграду, установленную под углом 30-60 к основной преград Повторный удар кристалла слюды о дополнительную преграду позволяет разорвать те оставшиеся связи между пластинами слюды, которые сохранились после первого дара, и полност отделить пластины друг от друга, превратив сшабОсвйзанноё, распушенное тело в набор, отдельных слюдяных пластиной, причем направление удара о первую преграду под углом 120-150 позволяет ударившиеся кристаллы уда лить с пути движения новых кристаллов, летящих к этой преграде, предохраняя их тем самым от повреждени и направить для повторного удара к дополнительной преграде, Дополни- тельная преграда расположена под углом 30-60 к основной преграде, что позволяет осуществить дополнительный удар под углом 90° к дополнительной преграде. На чертеже изображена схема расслоения слюды по предлагаемому способу. Кристаллы 1 слюды посредством конвейера 2 и загрузочного лотка 3 подают к линии 4 Касания двух параллельно вращающихся навстречу друг другу цилиндрических тел 5, которые обеспечивают ориентировЬчное перемещение кристалла с заданной скоростью относительно твердой.преграды 6, расположенной, под углом ci к направлению движения, кристаллов, в результате удара о поверхность которой образуются кристаллы 7 слюды, перемещающиеся за счет кинетической энергии последующего отскока к дополнительной преграде 8, расположенной под углом 1 относительно основной. . Способ расслоения кристаллов слюды осуществляется следующим спо- собом. Кристаллы 1, транспортируемые конвейером 2, поступают на загрузочный лоток 3, посредством которого направляются к линии 4 соприкосновения двух параллельно вращающихся навстречу друг другу цилиндрических тел, захватываются вращающимися телами 5, которые за счет двухстороннего упругого контакта с внешними плоскостями кристалла обеспечивают ориентированное перемещение его в направлении твердой преграды 6 с заданной скоростью. При ударе направленного кристалла 1 о неподвижную преграду 6, расположенную под углом ,120-150 к направлению движения криаталла, разрушаются связи между плос-, костями совершенной спайности в кристалле 1 и за счет энергии послеударного отскока образованные после удара кристалла 7 перемещаются по направлению к дополнительной преграде 8. Связи между плоскостями совершенной спайности после первого удара, как правило, полностью не разрушаются и кристаллы 7 перемецдаются к преграде 8 и представляют собой слабосвязанные, распушенные тела, для превращения которых в набор отдельных, не связанных между собой пластин 9 слюды, требуется дополнительное силовое воздействие. Это дополнительное воздействие осуществляется за счет использования кинетической энергии послеударного отскока от первой преграды путем повторного удара кристаллов 7 слюды о дополнительную преграду 8, расположенную под углом 30-60 относительно первой преграды. В результате повторного. удара оставшиеся йвязи в кристашлах 7 разрушаются и образуются слюдяные кристаллы 9.

310333414

Предлагаемый способ расслоениядении кристашлов. Дополнительный экокристаллов слюды по сравнению с из-номический эффект от внедрения предвёйтны позволяет повысить эффектив-лагаемого способа составляет

ность расслоения, . получить болееориентировочно 60 тыс, руб. в

тонкие пластинки при меньшем повреж год.

Похожие патенты SU1033341A1

название год авторы номер документа
Устройство для расслоения кристаллов слюды 1980
  • Кузаков Михаил Георгиевич
  • Вайнблат Яков Шиманович
  • Федоров Евгений Алексеевич
  • Булавцев Владимир Акиндинович
  • Ерин Олег Георгиевич
SU893566A1
Устройство для расслоения кристаллов слюды 1983
  • Вайнблат Яков Шимонович
  • Кузаков Михаил Георгиевич
  • Ерин Олег Георгиевич
SU1114560A2
Устройство для расслоения кристаллов слюды 1985
  • Кузаков Михаил Георгиевич
  • Вайнблат Яков Шиманович
SU1222569A2
Способ расслоения кристаллов слюды 1988
  • Кузаков Михаил Георгиевич
  • Вайнблат Яков Шимонович
SU1608063A1
Устройство для расслоения кристаллов слюды 1982
  • Кузаков Михаил Георгиевич
SU1073108A1
Устройство для расслоения и сортировки кристаллов слюды 1981
  • Кузаков Михаил Георгиевич
  • Вайнблат Яков Шиманович
  • Федоров Евгений Алексеевич
  • Ерин Олег Георгиевич
SU980831A1
Способ расщепления слюды и устройство для его осуществления 1989
  • Новгородская Тамара Иосифовна
  • Сапожников Владимир Николаевич
  • Киселев Николай Иванович
  • Мессер Евгений Борисович
  • Родионова Ольга Петровна
  • Трошина Галина Анатольевна
SU1752561A1
Устройство для тонкого измельчения 1988
  • Плеханов Иннокентий Георгиевич
  • Мецик Михаил Степанович
SU1664576A1
Устройство для расслоения кристаллов слюды 1982
  • Вайнблат Яков Шимонович
  • Кузаков Михаил Георгиевич
  • Мадорский Семен Львович
SU1038248A1
Способ изготовления слюдяных электроизоляционных материалов и устройство для осуществления этого способа 1957
  • Бржезанский В.И.
  • Иофинов И.А.
  • Матыгулин И.М.
  • Семушин А.П.
SU114915A1

Реферат патента 1983 года Способ расслоения кристаллов слюды

СПОСОБ РАССЛОЕНИЯ КРИСТАЛ.ЛОВ СЛЮДЫ, включающий ориентированшую подачу кристаллов пло скостью совершенной спайности в направлении твердой преграды с последутощим торцевым ударом их о преграду, о т л ич а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения эффективности расслоения за счет более полного использования кинетической энергии движущихся .кристаллов, подачу кристаллов осуществляют под углом 120-150 к преграде, причем после удара о нее кристаллы подвергают повторному удару о дополнительную преграду, установленную под углом 30-60 к основ.ной преграде. СО 00 со 4:

SU 1 033 341 A1

Авторы

Хохлов Леонид Федорович

Кузаков Михаил Георгиевич

Вайнблат Яков Шимонович

Ерин Олег Георгиевич

Даты

1983-08-07Публикация

1981-02-27Подача