ТТЛ-инвертор Советский патент 1983 года по МПК H03K19/88 

10 Изобретение относится к импульсной технике, и монсегг быть использовано в ТТЛ интегрбльных схемах.. Известен ТТЛ-инвертор содержащий входной многоэмиттериый транзистор, включенный по схеме с ойдей базой, коллектор которого подключен к базе выходно го транзистора, включенного по схеме с общим емиттером, а коллектор через нагрузочный резистор подалючен к шине питания СЧНедостатком известного ТТЛ-инвертора является невысокая нагрузочная спо собность cxavibj из-за наличия резистивной нагрузки в цепи коллектора выходного транзистора. Известен также ТТЛ-инвертор, содер ншщнй входной транзистор база которого подкпзочена к входу устройства, эмиттер к общей шине, коллектор через резистор к шине питания и базе первого выходного транзийтора, коллектор которого подключе к шине питания, а эмиттер - к выходу .ус ройства и коллектору второго выходного транзистора, эмиттер которого подключен , к общей шине, а база - к входу устройст ва C2l. Недостатками известного устройства являются малые быстродействие и нагрузо шая способность. Цель изобретения - увели шние быстро действия и нагрузочной способности устройства. Для достижешга поставленной цели в устройство, содержащее входной транзистор, база которого подключена к входу устройства, эмиттер - к общей шине, коллектор через резистор - к шине питания и базе первого выходного транзистора, коллектор которого подключен к гшше питания, а экшттер - к выходу устройств и коошектору второго выходного т|занаист ра, эмиттер которого подключен к общей шине, а база - к входу устройства, введен токоответвляпощий транзистор, коллек тор которого подключен к выходу усгройсгвагбаза через дополнительный резистор -i к шине питания, а эмиттер - к .коллектору входного транзистора. На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого инвертора. Инвертор содержит многоэмиттерный транзистор I, входной транзистор 2, вто рой вьпс.одной транзистор 3, токоответвпя ЮШ1Й транзистор 4, первый вьжодной тра аистор 5, резисторы 6, 7 и 8, Пщтание подается на шину 9, Входами устройства являются шины Ю и 11, вых дом - шина 12. Предложенный ТТЛ- иавертор работает слсяуюшим образом. При подаче хотя бы на один из входов устройства низкого уровня напряжения логического О, примерно равного потенциалу земли, многоэмиттерный транзистор I открывается и на его коллекторе устанавливается потенциал эмиттера, что приводит к запиранию входного и второго выходного транзисторов 2 и 3, отпиранию первого вьпсодного транзистора 5 и получению на Выходе 12 высокого потенциала. Токоответвляювдий транзистор 4 при этом работает в активном инверсном режиме. Коллекторный инверсный ток токоответвляsmtero транзистора 4 - малая величина по сравнению с эмиттерным током первого выходного транзистора 5 и не оказывает сушествешюго влияния на его работу. При Подаче на вход устройства выокогопотончиала логической 1 происхо:-; дит перекоммутация базового тока многоэмиттерного транзистора 1 из цепи эмиттера в цепь коллектора, входной и второй выходной транзисторы 2 и 3 отшфаются и на выходе устанавливается низкий потенциал логического О. При нагрудном токе, втекающем по вьссодной шине 12 в устройство и превышаюшем коллекторный ток входного транзистора 2,потенциал коллектора второго выходного транзистора 3 становится выше потенциала коллектора входного транзистора 2, поэтому базовьШ ток т око ответвляют его транзистора 4 начинает течь в пени,коллектора входного транзистора 2 и вводит токоответвляюш ий транзистор 4 в открытое состояние, при этом по цепи коллектор-эм1ггтер токо- . ответвляющего транзистора 4 часть нагрузочного тока в коллекторную цепь входного транзистора 2. Это приводит к уравновешиванию колле$сторных токов входного и второго выходного транзисторов 2 и 3 и равенству пдцений натфяжешет на открытых база-эмиттерных переходах, вследствие чего коллекторный ток многоэмиттерного транзистора 1 поровну распределяется в базы входного и второго выходного транзисторов 2 и 3 и они одинаково входят в насьшенне (открыто состоягше). При нагрузочном токе, меньшем коллекторного тока входного транзистора 2, потенциал на коллекторе второго вьпсодного транзистора 3 становится ниже потенциала коллектора входного транзистора 2. Часть базового тока токоответвляющего

- J10358O24

тр€Изяст«фа4 ответвляется в цепь кояпек-Таким образсм, исключеиие базовых

тора второго выходного транзистора 3,резисторов в цепях входного к выходного

что приводят к равенству коллекторныхтранзисторов позволяет уменьшить их

токов входного и второго выходного тран-насьшение, что приводит к увеличетпо

знспфов 2 и 3 и одинаковой степени их 5быстродействия и нагрузочной способности

отпирания..устройства

ТТЛ-ИНВЕРТОР, содержшикй входной транзистор, база которого подключена к входу устройства, эмиттер - к общей шине, коллектор через peaitcTop к шине питания ибазе Ъервого выходного транзистора, коллектор которого по.пключен к шине питания, a эмиттер - к выходу устройства и коллектору второго выходного транзистора, эмиттер которого подключен к общей шине, a базе - к входу устройства, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстроасйст ВИЯ и нагрузочной способност)1| в него введен токоответвляюший транзистор, коллектор которого подключен к выходу устройства, база через дополюттельный резистор - к шине питания, a эмнттер - к коллектору входного транзистора. . . а Э (Л С