Способ разделения ди- и тетрафторида ксенона Советский патент 1984 года по МПК C01B23/00 

Изобретение относится к способам разделения ди- и тетрафторида ксенона и может быть использовано в технологии производства чистых фторидов ксенона. Известен способ разделения ди- и тетрафторида ксенона путем обработк разделяемой смеси пентафторидом мьшьяка в растворе пентафторида брома при 20 С. При этом дифторид ксенона образует с пентафторидом мышья ка прочный комплекс, а тетрафторид ксенона, не образующий при этой температуре устойчивых соединений, отделяют от дифторида ксенона U Недостатки данного способа cocto ят в необходимости использования высокотоксичного пентафторида мышья ка и возможности загрязнения дифторида ксенона мышьяксодержащими продуктами. Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ разделения ди- и тетрафторид ксенона, заключающийся в том, что разделяемую смесь обрабатывают тетрафторидом олова при 50-100 С в течение 3 ч. При этом дифторид ксенона связывается в комплекс с тетра фторидом олова, а тетрафторид ксенона отделяют сублимацией 2 . Недостатки известного способа состоят в низкой скорости процесса и необходимости использования дорогостоящего тетрафторида олова. Цель изобретения - повьшгение скорости процесса и его удешевление Поставленная цель достигается тем, что в качестве фторида металла используют фториды калия, рубидия и ;цезия и контактирование ведут при; 150-200 С, после чего осуществляют отгонку дифторида ксенона. 7572 При 150-200°С тетрафторид ксенона образует с фторидом щелочного металла комплексное соединение. Дифторид ксенона в этих условиях не изменяется и может быть легко отделен вакуумной дистилляцией. Пример 1.5г дифторида ксенона, содержащего 10 вес.% тетрафторида ксенона, помещают в герметичный никелевый реактор, содержащий 200 мг фторида цезия, нагревают до 150 С и выдерживают при этой температуре в течение 5 мин,после чего реактор охлаждают и продукт перегоняют в вакууме (2 мм рт.ст.) при комнатной температуре на охлаждаемую поверхность. Получено 4,2 г XeF, в котором по данным ДТА содержится не более 0,2 вес.% XeF. Пример 2. Юг XeF , содержащего 15 вес.% XeF, помещают в герметичный никелевый раствор, содержащий 800 мг RBF, и нагревают при 200 С в течение 20 мин, после чего реактор охлаждают, а дифторид ксенона сублимируют в вакууме. Получено 9 г XeF, в котором по данным ДТА присутствует не более 0,1% XeF. Пример 3. 8г XeFn , содержащего 5 вес.% XeFx, помещают в герметичный никелевый реактор, в него , помещают также 2 г фторида калия и систему нагревают при в течение 1 ч. Затем реактор охлаждают, а дифторид ксенона сублимируют в вакууме. Получено 7,7 г XeF, загрязненного не более чем 0,5 вес.% XeF . Таким образом осуществление предлагаемого способа позволяет ускорить процесс, снизив время связывания одного из фторидов ксенона с 3 ч до ч, и удешевить его за счет замены дорогостоящего фторида олова фторидами щелочных металлов.

СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ДИ- И ТЕТРАФТОРИДА КСЕНОНА, включающий контактирование их смеси с фторидом металла и отгонку одного из фторидов ксенона,отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса и его удешевления, в качестве фторида металла используют фториды калия, рубидия или цезия и контактирование ведут при 150-200 с с последующей отгонкой дифторида ксенона.