Устройство согласования интегральных инжекционных схем с линиями передачи коллективного пользования Советский патент 1984 года по МПК H03K19/08 

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использования в микроэлектронных систе мах цифровой автоматики и вычислительной техники, . Известно устройство согласования по выходу интегральных: схем с инжекци онным питанием, содержащее выходной каскад на транзисторах первого и второго типа проводимости С I 3. Недостатком устройства является большая потребляемая мощность и отсутствие организации состояния Выключено на выходе устройства. Наиболее близким к предложенному является устройство согласования интегральных инжекционных схем с линия ми передачи коллективного пользовани содержащее управляемый источник тока первый выход которого соединен с базой первого транзистора первого типа проводимости, и через резистор с общей шиной, эмиттер первого транзистора соединен с общей шиной, а коллектор подключен к выходу устройства и эмиттеру второго транзистора первого типа проводимости, коллектор которого соединен с шиной питания, а база - с коллектором транзистора второго типа проводимости, база которого через первый резистор соедине на с эмиттером и тиной питания и под ключена через вtopoй резистор к первому коллектору многоколлекторного транзистора первого типа проводимоети, второй коллектор которого подклю чен к первому входу выходного каскада, эмиттер соединен с общей шиной, а база подключена к информационному входу и второму выходу управляемого источника тока, состоящего из многоколлекторного транзистора второго ти па проводияости, первый коллектор ко торого является первым выходом, а вт рой коллектор - вторым выходом источника тока, эмиттер через третий резистор подключен к шине питания, а база через четвертый резистор подключена к гаине питания и соединена с входом управления состоянием 2 3. Недостатками известного устройств являются большая потребляемая мощность и узкие функциональные возможности, т.е. отсутствие логической обработки нескольких входных информа ционных сигналов и отсутствие состояния Выключено на информационномвходе, Цель изобретения - уменьгаёние потребляемой мощности и расширение функциональных возможностей. Поставленная цель достигается тем, что в устройстве согласования интегральных инжекционных схем с линиями передачи коллективного .пользования, содержащем управляемый источник тока, выход которого соединен с базой первого транзистора первого типа проводимости и через первый резистор - с общей шиной, эмиттер первого транзистора соединен с общей шиной, а коллектор подключен к выходу устройства и эмиттеру второго транзистора первого типа проводимости, коллектор которого соединен с шиной питания, а база - с коллектором транзистора второго типа проводимости, база которого через второй резистор соединена с его эмиттером и шиной питания, управляемьгй источник тока вьтолнен на третьем транзисторе первого типа проводимое-, ти, коллектор которого через третий резистор соединен с тайной питания, эмиттер подключен к выходу управляемого источника тока, а база подключена через четвертый резистор к шине питания, к входу управления состоянием и базе многоэмиттерного транзистора первого типа проводимости, коллектор которого через пятый резистор соединен с базой транзистора второго типа проводимости, а эмиттеры соединены с информационными входами устройства. На чертеже представлена принципиальная схема предложенного устройства. Устройство содержит управляемый источник тока I, выход которого соединен с базой первого транзистора 2 первого типа проводимости и через первый резистор 3-е общей шиной, эмиттер первого транзистора 2 соединен с общей шиной, а коллектор подключен к выходу 4 устройства и эмиттеру второго транзистора 5 первого типа проводимости, коллектор которого соединен с шиной питания, а база с коллектором транзистора второго типа проводимости 6, база которого через второй резистор 7 соединена с эмиттером и шиной питания, управляемый источник тока 1 выполнен на третьем транзисторе 8 первого типа проводимости, коллектор которого через третий резистор 9 соединен с тиной питания, эмиттер подключен к выходу управляемого источника тока I, а база подключена через четвертый резистор 10 к шине питания, к входу управления состоянием 11 и базе многоэмиттерного транзистора I2 первого типа проводимости, коллектор которого через пятый резистор 13 соединен с базой транзистора второго типа проводимости 6, а эмиттеры соединены с ниформационными входами 14 устройства.

Устройство работает следуюпким образом.

Когда на вход i управления состоянием подается высокий уровень напряжения 1 (т.е. управлянмций этим входом инжекционный транзистор закрыт), устройство работает в состоянии Включено. Если теперь на все информационные входы 54 поступят сигна ЛЬ I (икжекционные транзисторы предыдущего каскада закрыть), то многоэмиттерньй транзистор 12 закрывается, вызывая прекращение тока через пятый резистор 13 и последующее запирание транзисторов второго типа проводимости 6 и второго транзистора 5, Потенциал базы многоэмиттерного транзистора 12 повьггоается и при достижении уровня Ujj + и,5 и; 1,5В происходит отпирание третьего и первого транзисторов 8 и 2, при зтом третий транзистор 8, работая в режиме насьацения, обеспечивает насыщение первого транзистора 2, на выходе 4 устройства формируется низкий уровен сигнала.Если на один из информационных входов 14 приходит низкий уровень напряжения О, ( , - напряжения насыщенного инжекционного тран зистора), .то происходит открьшание многоэмиттерного транзистора 12, потенциал его базы понижается до уровн + и jg %0,8 В, вызьгоая запирание третьего и первого транзисторов 8 и 2, при этом обеспечивается наиболее низкоомная цепь устройства: шина питания, третий резистор 9 - третий транзистор 8 - лервый транзистор 2 общая шина. Ток, протекающий через

четвертый резистор 10, ответвляется в базу многоэмиттерного транзистора 12, который насыщается, и его коллекторный ток через пятый резистор 13 открывает транзистор второго типа проводимости 6, который в свою очеР дь отпирает второй транзистор 5, На выходе 4 устройства формируется высокий уровень напряжения, 1,

(Vbu Ut.n -UK,, -,,,,5 В) с высокой нагрузочной способностью, определяемой низким выходным сопротивлением транзистора второго типа проводимости 6 и второго транзистора 5.

Отключение тока третьего резистор 9 в этом режиме обеспечивает умеяьшение потребляемой мощности в состоянии Включено.

При подаче на вход управления состоянкем 11 низкого уровня напряжения О, устройство устанавливается в состояние Выключено на выходе. Третий и многоэмиттерный транзисторы 8 и 12 закрываются, отключаются токи третьего и пятого резисторов 9 и 13, вызывая запирание транзистора второг типа проводимости 6, и второго и первого транзисторов 5 и 2, при этом обеспечивается незначительный уровен потребляемой мощности Е состоянии Выключено на выходе. Вместе с тем из за того, что в этом режиме заземляются базы третьего транзистора 8 управляемого источника тока 1 и многоэмиттерного транзистора 12, исключаются втекающие и вытекающие токи информационных входов, чем обеспечивается состояние Выключено на входах и возможность включения информационных входов подобных устройств на линии коллективного пользования внутри БИС.

Технико-экономический эффект устройства заключается в уменьшении потребляемой мощности и расширении фунциональных возможностей, что позволяет реализовать логическую функцию на входе и увеличить коэффициент разветвления по входам.

УСТРОЙСТВО СОГЛАСОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ИНЖЕКЦИОННЫХ СХЕМ С ЛИ НИЯМИ ПЕРЕДАЧИ КОЛЛЕКТИВНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ, содержащее управляемый источник тока, выход которого соединен с базой первого транзистора первого типа проводимости и через первьй резистор - с общей шиной, эмиттер первого транзистора соединен с общей шиной, а коллектор подключен к выходу устройства и эмиттеру второго транзистора первого типа проводимости коллектор которого соединен с гаиной питания, а база - с коллектором тран зистора второго типа проводимости, база которого через второй резистор соединена с его эмиттером к гзиной пн-тания, отличающееся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и расширения функциональньтх возможностей, управляемый источник тока вьтолнен на третьем транзисторе первого тигга провод1 мости, коллектор которого через третий резистор соединен с шиной питания, эмиттер поцкпшчен к выходу управляемого источника тока, а база подключена через четвертый резистор к шине питания, к входу управления состоянием и базе многоэмиттерного транзистора первого типа проводимости, коллектор которого через пятый резистор соединен с базой транзистора второго типа проводимости, а эмиттеры соединены с информационными входами устройства.