Логический элемент Советский патент 1985 года по МПК H03K19/91 

Описание патента на изобретение SU1173551A1

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в цифровых интегральных схемах.

Цель изобретения - уменьшение потребляемой мощности и увеличение быстродействия.

На фиг. 1 приведена электрическая принципиальная схема логического элемента; на фиг. 2 - пример токологической схемы логического элемента; на фиг. 3 - разрез А-А на фиг . 2.

Логический элемент (фиг. 1) содержит транзистор 1 первого типа проводимости с инжекционным питанием в виде источника 2 тока, подключенного к базе транзистора 1, эмиттер транзистора 1 подключен к общей щине, коллектор - к выходу элемента 3 и к коллектору транзистора 4 второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине питания 5, а база подключена через резистор 6 к входу элемента 7, база транзистора 1 - к аноду диода Шоттки 8, катод которого подключен к входу элемента 7.

Полупроводниковая структура предлагаемого элемента может быть создана по любому технологическому процессу, позволяющему создавать комплементарные биполярные транзисторы.

Транзистор 1 и источник 2 тока выполняются в виде И Л-вентиля 9, а транзистор 4, резистор 6 и диод Шоттки 8 выполняются в виде функционально-интегрированного элемента 10. Структура создается следующим образом (фиг. 3).

На р-подложке 11 выращивается п -эпитаксиальный слой 12 область п-типа с созданием п скрытых слоев 13, после этого создаются разделительные диффузионные области р+-типа 14 и диффузионные области р-типа 15, а затем диффузионные области п++-типа 16.

Для функционально-интегрированногр элемента 10 выход 17 является эмиттером транзистора 4, вывод 18 - коллектором транзистора 4, вытянутая и зауженная область п -типа 12 реализует резистор 6, первым своим выводом интегрально соединенный с базой транзистора 4, а вторым выводом является вывод 19, который одновременно является входом элемента 7; металлический контакт 20 и п -эпитаксиальный слой 12 реализуют диод Шоттки 8, катодом которого является вывод 19, а анодом - контакт 20. Для И Л-вентиля 9 вывод 21 является инжектором (эквивалентный источник 2 тока), вывод 22- базой транзистора 1, вывод 23 - коллектором транзистора 1.

Таким образом, предлагаемый элемент, выполненный в виде И Л-вентиля 9 и функционально-интегрированного элемента 10 занимает площадь на кристалле, эквивалентную площади 2-3 стандартных И Лвентилей.

Логический элемент работает следующим образом.

Если на входе элемента 7 присутствует сигнал логической «1 (управляющий этим

0 входом инжекционный транзистор предыдущего каскада закрыт), то ток источника 2 поступает в базу транзистора 1, который находится в режиме насыщения, на выходе элемента 3 присутствует сигнал низкого уровня (:sO,lB), т. е. логический «О. Ток базы транзистора 4 в этом случае определяется коллекторным током утечки управляющего входом элемента 7 транзистора и обратным током диода Шоттки 8, которые очень малы, поэтому базовый ток транQ зистора 4 достаточно мал, что соответствует закрытому состоянию транзистора 4. В этом состоянии логический элемент потребляет ток, равный току источника 2.

При подаче на вход элемента 7 сигнала 5 логического «О (управляющий этим входом транзистор предыдущего каскада насыщен) ток источника 2 ответвляется из базы транзистора 1 в коллектор управляющего транзистора. Транзистор 1 запирается. Одновременно с этим возникает ток через резистор 6, что вызывает отпирание транзистора 4, коллекторный ток которого осуществляет форсированный перезаряд суммарной нагрузочной емкости на выходе элемента 3.

Когда перезаряд емкости заканчивается, на выходе элемента 3 устанавливается сигнал, соответствующий логической «1, равный (Уи-п.-UBS), (Ujig - напряжение «коллектор-эмиттер транзистора 4 в режиме насыщения). В этом состоянии элемент потребляет добавочный ток, ограниченный резистором 6 и поэтому не зависящий от коэффициентов усиления транзисторов.

Таким образом, средний потребляемый ток предлагаемого логического элемента

5 (полусумма токов потребляемых в состояниях логического «О и логической «1) равен току источника 2 и половине тока резистора 6 в состоянии логической «I на выходе элемента 3, т. е. половине тока базы транзистора 4 в этоц состоянии. Задержка переключения предлагаемого элемента определяется временем переключения транзистора 1.

17)

10 (5)

Г

I 19 20

Л.

9(2)

пг

Ш Ш Ш .|-j

TzrJ J f

(риг. 2

A-A

22 23 21

JLL

Похожие патенты SU1173551A1

название год авторы номер документа
Триггер 1983
  • Касаткин Сергей Викторович
  • Лавров Игорь Иванович
  • Громов Владимир Иванович
  • Ястребов Павел Витальевич
SU1150734A1
Устройство согласования 1986
  • Касаткин Сергей Викторович
SU1383483A1
Устройство согласования 1984
  • Касаткин Сергей Викторович
  • Лавров Игорь Иванович
  • Громов Владимир Иванович
  • Ястребов Павел Витальевич
SU1173552A1
Д-триггер 1984
  • Касаткин Сергей Викторович
  • Лавров Игорь Иванович
  • Громов Владимир Иванович
  • Смирнов Виктор Алексеевич
SU1221714A1
Транзисторно-транзисторный логический элемент 1983
  • Меренков Андрей Михайлович
  • Панфилов Аркадий Павлович
  • Шагурин Игорь Иванович
  • Савотин Юрий Иванович
  • Игнатенко Юрий Иванович
SU1128387A1
Запоминающий элемент 1982
  • Белоус Анатолий Иванович
  • Клименко Юрий Михайлович
  • Попков Сергей Петрович
  • Попов Юрий Петрович
  • Сухопаров Анатолий Иванович
  • Фурсин Григорий Иванович
SU1277209A1
Постоянное запоминающее устройство 1978
  • Козырь Иван Яковлевич
  • Коледов Леонид Александрович
  • Петросян Олег Арутюнович
SU752482A1
Логический вентиль 1980
  • Фурсин Григорий Иванович
SU940308A1
JK-триггер 1989
  • Рогозов Юрий Иванович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Герула Александр Викторович
  • Чернов Николай Иванович
SU1713091A1
Логическое устройство 1984
  • Меренков Андрей Михайлович
  • Панфилов Аркадий Павлович
SU1213521A1

Иллюстрации к изобретению SU 1 173 551 A1

Реферат патента 1985 года Логический элемент

ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, со-, держащий транзистор первого типа проводимости с инжекционным питанием, эмиттер которого подключен к общей шине, коллектор - к выходу элемента и к коллектору транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине питания, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и увеличения быстродействия, введен диод Шоттки, анод которого подключен к базе транзистора первого типа проводимости, а катод - ко входу элемента и через резистор - к базе транзистора второго типа проводимости.

Формула изобретения SU 1 173 551 A1

J 1211 12

/« //

7 7

13

VU8. 3

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1985 года SU1173551A1

УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫБИВКИ ЛИТЕЙНЫХ ФОРМ И ВИБРАЦИОННОЕ ВЫБИВНОЕ УСТРОЙСТВО 1990
  • Натфуллин З.
  • Плотникова Е.С.
RU2015840C1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1
Устройство согласования 1976
  • Аваев Николай Александрович
  • Наумов Юрий Евгеньевич
SU557438A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

SU 1 173 551 A1

Авторы

Касаткин Сергей Викторович

Лавров Игорь Иванович

Громов Владимир Иванович

Ястребов Павел Витальевич

Даты

1985-08-15Публикация

1984-02-16Подача