Способ изготовления катушек индуктивности первичных измерительных преобразователей Советский патент 1984 года по МПК G01N27/90 

X / i Изобретение относится к неразрушающему контролю и может быть испол зовано для изготовления первичных и мерительных преобразователей, напри мер вихретоковых или индукционных. Известен способ изготовления катушек индуктивности первичных измерительных преобразователей, заключа ющийся в выполнении многослойных спиральных катушек индуктивности п технологии печатных плат Щ. Однако известный способ характер зуется недостаточной разрешающей спо собностью, что связано с невозможностью получения межвитковых рассто ний менее 30 мкм. Это не позволяет обеспечить требуемую чувствительность первичных измерительных преобразователей с катушками индуктивности, полученными известным способом. Наиболее близким к изобретению по технической сущности является спо соб изготовления кат,ушек индуктивности первичных измерительных преобразователей, заключающийся в том, что наносят на диэлектрическое основание слой токопроводящего материала формируют маску из фоторезиста в фор ме витков катушек индуктивности и удаляют путем химического травления незащищенные фоторезистом участки токопроводящего материала, а также часть токопроводящего материала под фоторезистом в результате бокового химического травления, удаляют фоторезистивную маску и получают катущку индуктивности С23. . Этот способ также не позволяет изготавливать первичные измерительные преобразователи с требуемой чувствительностью,так как межвитковое ра стояние определяется не только заданны на фоторезистивной маске ,но и величино бокового химического правления. Цель изобретения повышение чувствительности первичных измерительных преобразователей. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления катушек индуктивности первичных измерительных преобразователей, заключающемуся в том, что наносят на диэлектрическое основание слой токопроводящего материала, формируют мас ку из фоторезиста в форме витков катушек индуктивности и удаляют путем хиглического травления незащищенные фоторезистом участки токопроводяще|ГО материала, а также часть токопроводящего материала под фоторезистом в результате бокового химического травления, после химического травления наносят на поверхность полученной структуры слой токопроводящего материала и удаляют фоторезистивную маску с нанесенным на нее в предаце; .ствующей операции токопроводящим, материалом путем воздействия на полученную структуру органическим растворителем. На фиг. 1-6 показана последовательность операций изготовления катушек индуктивности; на фиг. 7 катушки индуктивности, общий, вид. На диэлектрическое основание 1 наносят, например, методом вакуумного напыления слой 2 токопроводящего материала (фиг. 1). В качестве материалов могут быть использованы А1, Си, Аи, In, имеющие хорошую адгезию к поверхности диэлектрического основания и низкое удельное электросопротивление. На поверхность токопрог водящего слоя 2 наносят слой фоторезиста 3 (фиг. 2) любым известным подходящим методом, например центрифугированием. Используя фотошаблон, осуществляют экспонирование фоторезиста и, проявляя его, получают фоторезистную маску в форме витков катушки индуктивности (фиг. 3). Рисунок фотошаблона имеет вид спирали, а расстояние между ее витками рекомендуется выбирать равным ширине спирали. Путем химического травления удаляют незащищенные фоторезистом участки токопроводящего слоя (фиг. 4). Регулированием времени травления .добиваются необходимой величины бокового травления 4 (подтрава) . Время травления, необходимое для частичного- удаления защищенной фоторезистом пленки на заданное расстояние зависит от типа напыленного материала, концентрации растворителя и егб температуры и может быть определено эмпирически. После необходимой очистки поверхности от остатков растворителя осуществляют дополнительное напыление слоя токопроводящего материала 5 на поверхность полученной структуры (фиг. 5). Фоторезистную маску с находящимся на ней токопроводящим материалом удаляют воздействием на полученную структуру органическим растворителем, который, проникая сквозь поры токопроводящей пленки в фоторезист, приводит к егр набуханию и снятию. В результате снятия фоторезистной маски получают индуктивный преобразователь с двумя спиральными индуктивностями, расположенными на диэлектрическом основании с расстоянием между витками,равным велич.ине бокового травления 4 (фиг.б и 7) с выводами б и 7. Предлагаемый способ изготовления катушек позволяет повысить чувствительность преобразователя практически в два раза за счет уменьшения межвиткового расстояния до величины бокового травления-. Кроме того, способ не требует сложной технологической оснастки и может быть реализован на стандартном оборудовании для производства печатных плат.

УУА/УХ//х /X yJ

// //

Р/уО ХуУ/ У И ,,.,,

//

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ KATYDJEK ИНДУКТИВНОСТИ ПЕРВИЧНЫХ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, заключаюищйся В ТОМ, что наносят на диэлектрическое основание слой токопроводящего матариала, формируют маску из фоторезиста в форме витков катушек индуктивности и удаляют путем химического травления незащищенные фоторезистом участки токопроводящего материала, а также часть токопроводящего материала под фоторезистом в результате бокового химического травления, о т личающийс. я тем, что, с целью повышения чувствительности первичных измерительных преобразователей, после химического травления наносят на поверхность полученной структуры слой токопроводящего материала и удаляют фоторезистивную маску с нанесенным на нее в предшествующей операции токопроводящим материа-§ лом путем воздействия на полученную структуру органическим растворителем. С

J////XX/1 ly/y/xT

j X X X X /

tj/j A V77 / //

.