Способ изготовления полуфабрикатов (труб, прутков, листов, штанг и т.п..) из полупроводниковых материалов Советский патент 1958 года по МПК B22D11/00 

Описание патента на изобретение SU112624A1

При изготовлении полуфабрикатов (проволоки, пластин, прутков и т. п.) из полупроводниковых материалов, например из германия, сначала получают методом вытягивания из расплава монокристаллы, затем разрезают пх на пластины, прутки и т. п. При этом образуется много отходов, а выход годной продукции весьма невелик.

Описываемый способ получения полуфабрикатов (труб, прутков, листов, штанг и т. п.) из полупроводниковых материалов путем непосредственного вытягивания или вып ессовывания из расплава с применением держателей-затравок различной формы и фильер с отверстиями различного профиля позволяет сократить до минимума образование отходов, повысить выход годной продукции и степень полезного использования исходных полупроводниковых материалов.

Описываемый способ отличается тем, что для придания полуфабрикату определенного профиля применяют погруженный в расплав экран

с щелью или фильеру, расположенную на поверхности расплава или плавающую по ней.

Расплав через отверстие фильеры может продавлпваться под давлением или же вытягиваться за счет капиллярных сил.

Описываемый способ может выполняться в двух вариантах. В расплав полупроводникового материала (германия, кремния и т. п). погружается, как и обычно, держательзатравка, которой сообщается непрерывное поступательное движение вверх. За затравкой под действием капиллярных сил вытягивается вверх столб расплава, который над поверхностью расплавленной ванны подвергается охлаждению п кристаллизации.

Нужные структура (в том числе- и монокристаллическая), профиль и форма вытягиваемому полуфабрикату придаются путем применения держателей-затравок необходимой формы и создания надлежащего тe пeратурного поля как непосредственно над расплавом в зоне формирования

Afb 112624- 2

изделия, так и в непосредственно прилегающей к ней зоне расплава. Соответствующие температурные условия в этих зонах создаются системой холодильников и экраном, погруженным в .

В случае необходимости в зоне формирования изделия и плавления нолунроводникового материала могут быть созданы вакуум или атмосфера инертного газа.

Второй вариант способа отличается от первого тем, что, с целью придания соответствуюи его профиля изделию, оно непрерывно вытягивается вверх через отверстие фильеры, нлавающей или укрепленной на поверхности расплава. Фильера нижней частью погружается в раснлав; она устанавливается над экраном или заменяет его. Держательзатравка ногружается в расплав через отверстие («очко) фильеры.

В этом варианте способа протягивание (продавливание) расплава через «очко осуществляется не только за счет капиллярных сил, но и за счет сил гидростатического давления, создаваемого вследствие погружения нижней части фильеры в расплав, а также и за счет давления, оказываемого на расплав при помощи поршневых, пневматических или механических устройств.

Полученные описываемым способом полупроводниковые полуфабрикаты могут потребовать незначительной обработки, нанример, илифовки и полировки, с целью доведения их толщины или сечения до строго определенных размеров.

Способ позволяет путем изменения условий вытягиБан я и кристаллизации получать изделия (полуфабрикаты) любых размеров - от тончайших до крупногабаритных.

Предмет изобретения

1.Способ изготовления полуфабрикатов (труб, прутков, листов, штанг и т. п.) из полупроводниковых материалов путем непосредственного вытягивания или выпрессовывания из расплава с применением держателей-затравокразличной формы и фильер с отверстиями различного профиля, отличающийс я тем, что, с целью придания полуфабрикату определенного профиля, применяют погруженный в расплав экран с щелью или распололсенную на поверхности расплава или плавающую по ней фильеру.

2.Прием выполнения способа по п. 1, отличающийся тем, что подачу расплава через отверстие фильеры осуществляют под гидростатическим давлением, создаваемым погружением фильеры в расплав или посредством поршневых, пневматических или механических устройств.

Похожие патенты SU112624A1

название год авторы номер документа
Способ изготовления полуфабрикатов (труб, прутков, листов, штанг и т.п.) из полупроводниковых металлов путем непосредственного вытягивания или выпрессовывания расплава 1960
  • Степанов А.В.
SU134402A1
Способ выращивания монокристаллов германия или кремния и устройство для его реализации 2022
  • Гоник Михаил Александрович
RU2791643C1
СПОСОБ ЛИТЬЯ 1992
  • Кулинченко В.А.
  • Масленников В.Г.
  • Новоселов С.А.
RU2022704C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НЕПРЕРЫВНОГО ВОЛОКНА ИЗ ГОРНЫХ ПОРОД, УСТАНОВКА ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ И ПОЛУЧАЕМЫЙ ПРОДУКТ 2008
  • Борисовский Игорь Валерьевич
  • Бородин Виктор Данилович
  • Камионский Виктор Львович
  • Полховский Леонид Владимирович
  • Бородин Денис Викторович
RU2369569C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА 2004
  • Бородин А.В.
RU2265088C1
Способ получения слитка полупроводника с множеством границ наклона @ 1982
  • Любалин Марк Дмитриевич
SU1081245A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛИТЬЯ ПЛАСТИН И ТОНКОСТЕННЫХ ПРОФИЛЕЙ С УПОРЯДОЧЕННОЙ СТРУКТУРОЙ 1992
  • Кулинченко В.А.
  • Масленников В.Г.
  • Новоселов С.А.
RU2006336C1
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЩЕТОЧНЫХ ИЗДЕЛИЙ И ЩЕТОЧНОЕ ИЗДЕЛИЕ 2001
  • Вайраух Георг
RU2257826C2
Способ получения монокристаллов кремния 1990
  • Калугин Анатолий Яковлевич
  • Абловацкий Анатолий Николаевич
  • Куценогий Леонид Кунонович
  • Петров Станислав Иванович
  • Муравицкий Степан Александрович
  • Бузунов Анатолий Игнатьевич
  • Иванов Сергей Андреевич
  • Тупаев Валентин Михайлович
SU1773955A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ФИЛАМЕНТОВ ПРОИЗВОЛЬНОГО СЕЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) 2012
  • Макеев Хасан Ильич
  • Зубаков Василий Петрович
  • Нак Владимир Игоревич
RU2507318C1

Реферат патента 1958 года Способ изготовления полуфабрикатов (труб, прутков, листов, штанг и т.п..) из полупроводниковых материалов

Формула изобретения SU 112 624 A1

SU 112 624 A1

Авторы

Степанов А.В.

Даты

1958-01-01Публикация

1957-01-31Подача