Способ получения чистого кремния и устройство для его осуществления Советский патент 1958 года по МПК C01B33/31 B01J19/00 

Описание патента на изобретение SU116849A1

Известен способ получения чистого кремния-нутем термической диссоциации четырехиодистого кремния на поверхности кремниевого нагревателя: - ..,- ,.

Описываемый способ позволяет получить более длинныекремниевые стержни е меньшим содержанием примесей.

С этой целью диссоциацию четырехиодистого кремния осуществляют на расплавленной вершине кремниевой затравки.

Для осуществления способа предлагается устройство, особенность которого заключается в том, что рабочая камера для диссоциации выполнена в виде кварцевой трубы, в которую снизу вставлен кварцевый шток с запаянным внутрь железным сердечником, поддерживающий кремниевую затравку, нагреваемую генератором токов высокой частоты, и опускающийся но мере роста образующегося слитка.

На чертеже изображена схема устройства.

Рабочая камера 1 устройства представляет собою кварцевую трубу, имеющую ввод для поступления в нее четырехиодистого кремния и смотровое стекло 2 из оптического кварца.

В нижней части камеры / имеется отверстие, закрывающееся пришлифованной пробкой. Через это отверстие в камеру вставляется кварцевый шток 3 с запаянным внутри него железным сердечником 4.

Обогрев ампулы 5 с четырехиодистым кремнием до темиературы порядка 150° осуществляется печью 6 сопротивления. Камера / сообщаегся е ампулой 7, помещенной в сосуд 8. Дюара с жидким азотом. В ампулу 7 вставлена трубка 9, присоединенная к форвакуумному насосу. Внутри камеры / находится горизонтально расположенный отражатель W. Позицией П обозначен постоянный магнит, а позицией 12-индуктор.

Вначале аппаратура вакуумируется, затем разогревается ампула 5 с четырехиодистым кремнием до его плавлепия и включается высокочастотный нагрев кремниевой затравки. Пары четырехиодистого кремния поступают на расплавленную вершину затравки, где происходит диссо№ 116849

циация его на кремний и йод. Пары йода отводятся в ампулу 7. По мере роста образующегося слитка 13 кремния кварцевый шток 3, поддерживающий кремниевую затравку, опускается.

Полученный слиток кремния может быть переработан на монокристалл путем бестигельной зонной плавки, а также известным методом вытягивания.

При скорости подачи паров четырехиодистого кремния около 80 на кремниевую затравку с площадью расплава 1,5 слг скорость разложения четырехиодистого кремния составляет 2,7 г/час. Степень разложения -67 %.

При увеличении скорости подачи паров четырехиодистого кремния степень разложения уменьшается, а скорость его увеличивается.

Получение длинных стержней кремния способствует удалению примеси при кристаллизации, причем устраняется контакт кремния с кварцем, являющийся причиной диффузии примесей из футеровки в кремний.

Предмет изобретения

1.Способ получения чистого кремния путем термической диссоциации четырехиодистого кремния на поверхности кремниевого нагревателя, отличающийся тем, что, с целью Снижения содержания примесей и получения длинных кремниевых стержней, диссоциация четырехиодистого кремния осуществляется на расплавленной вершине кремниевой затравки.

2.Устройство для осуществления способа по п. 1, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что рабочая камера для диссоциации выполнена в виде кварцевой трубы, в которую снизу вставлен кварцевый щток с запаянным внутрь железным сердечником, поддерживающий кремниевую затравку, нагреваемую генератором токов высокой частоты, и опускающийся вниз по мере роста образующегося слитка.

Похожие патенты SU116849A1

название год авторы номер документа
Способ очистки четырехиодистого кремния 1958
  • Губанов Ю.Д.
  • Ковырзин В.К.
  • Лалыкин С.П.
  • Саврасов Ю.П.
SU118813A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ФИЛАМЕНТОВ ПРОИЗВОЛЬНОГО СЕЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) 2012
  • Макеев Хасан Ильич
  • Зубаков Василий Петрович
  • Нак Владимир Игоревич
RU2507318C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 1995
  • Ремизов О.А.
  • Караваев Н.М.
RU2057211C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ-СЦИНТИЛЛЯТОРОВ НА ОСНОВЕ ИОДИДА НАТРИЯ ИЛИ ЦЕЗИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ 2006
  • Голышев Владимир Дмитриевич
  • Гоник Михаил Александрович
RU2338815C2
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ 2002
  • Стрелов В.И.
  • Захаров Б.Г.
  • Ананьев П.А.
  • Серебряков Ю.А.
RU2199614C1
СПОСОБЫ И АППАРАТУРА ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ЛИТОГО КРЕМНИЯ И ИЗДЕЛИЙ ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ЛИТОГО КРЕМНИЯ ДЛЯ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ 2007
  • Стоддард Натан Г.
RU2425183C2
СПОСОБ (ВАРИАНТЫ) И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК 2013
  • Вайсберг Виталий Александрович
RU2532197C1
УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ 2007
  • Гоник Михаил Александрович
RU2357021C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОДНОРОДНО-ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ 1991
  • Добровенский Владимир Вениаминович
RU2023769C1
УСТАНОВКА ПЛАЗМЕННОГО ОСАЖДЕНИЯ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 2007
  • Аслами Мохд А.
  • Ву Дау
  • Делюка Чарльз
RU2404287C2

Иллюстрации к изобретению SU 116 849 A1

Реферат патента 1958 года Способ получения чистого кремния и устройство для его осуществления

Формула изобретения SU 116 849 A1

SU 116 849 A1

Авторы

Губанов Ю.Д.

Ковырзин В.К.

Лалыкин С.П.

Саврасов Ю.П.

Даты

1958-01-01Публикация

1958-04-22Подача