Способ записи и считывания информации в сегнетоэлектрическом элементе памяти Советский патент 1985 года по МПК G11C11/22 

00

о ;о vi ч 111 Изобретение относится к вычнслитёльной технике и может быть, иснользовано в сегнето электрических запоминающих устройствах. Целью изобретения является упрощение способа записи и считьшания информации в сегнетозлектрическом зпементе памяти. Величина изменения емкости у современных сегиетозлекгрических конденсаторов в поляризованном и деполяризованном состояниях дизлектрика достигает 50-80%. На практике способ реализуется тем что к паре, состоящей из сегнетозлектрического элемента памяти, который находится в поляризованном или деполяризованном состоянии последовательно соединенного с ним злемента с постоянными электрическими параметрами, напримерконденсатора, прикладаюают короткий импульс напряжения считьюания. Напряжение считываиня делится иа зтих элементах в зависимости от их электрических параметров. По величине иапряжения, снимаемого с любого злемента пары и зависящего от емкэс,та злемента памяти, можно судип о состоянии сегнетоэлектрического злемента памяти, и значит, о хранимой информации в нем. Амплитуда импульсов считьшания выбира ется в 5-10 раз меньще амплитуды импульсов, записи, а длительность импульсов считьюания определяется временем заряда конденсаторов. Изобретение позволяет осущественно упростить способ записи и считьюання информации в сегиетозлектрическом элементе памяти.

СПОСОБ ЗАПИСИ . И СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ЭЛЕМЕНТЕ ПАМЯТИ, основанный на приложении к электродам элемента памяти импульсного напряжения поляризации с последующей индикацией поляризации элемента памяти, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, индикацию поляризашш элемента памяти осуществляют путем сравнения емкости элемента памяти до и после поляризации. (Л