Сегнетоэлектрическое запоминающее устройство Советский патент 1985 года по МПК G11C11/22 

11 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для хранения и неразруша гощего считьшания двоичной информации. Известно запоминающее устройство содержаи1ее подложку, соединенную с сегнетоэлектрической пластиной, на которую нанесены управляющие электроды, а сечение пластины между запо минающими элементами больше, чем в местах расположения запоминающих элементов, причем в подложке выполнены пазы Cl Известно также запоминающее устройство, содержащее две керамически пластины, пластину возбуждения и за поминающие пластины с системами шин соединенные между собой и подложкой 2 J. Указанные устройства хараКтери,зуются низкой технологичностью изготовления и Малым объемом памяти. Наиболее близким по технической сущности к изобретению является запо- Шины

минающее устройствоj содержащее подложку и сегнетоэлектрическую пластину на двух противоположных гранях которой расположены управляющие и компенсирующие электроды, а сегнетопьезо- 30 электрическая пластина и подложка соединены между собой металлическими прокладками L3 .

Недостатком известного устройства является низкая надежность, обуслов- 35 ленная акустическими помехами в сегнетоэлектрической пластине, в результате чего выходные сигналы с элементов матрицы отличаются по амплитуде.

Цель изобретения - повышение 40 надежности сегнетоэлектрического запоминающего устройства путем уменьшения акустических помех.

Поставленная цель достигается тем, что в сегнетоэлектрическое 45 запоминающее устройство, содержащее диэлектрическую подложку, сегнетоэлектрическую пластину, пары электродов записи-считывания, компланарно нанесенных на обе стороны сегнето- 50 электрической пластины, и две группы шин управления, причем щины управления первой группы нанесены на одну сторону сегнетоэлектрической пластины и соответствующие электроды записи- 55 считьшания, введен диэлектрический сло.й с отверстиями, нанесенный на другую сторону сегнетоэлектрической

4 и 6 отделены от них диэлектрическим слоем 12 с отверстиями 13, ч.ерез которые шины соединены со своими электродами. Электроды 4-7 образуют запоминающие элементы 14, которые образуют продольные ряды, и между запоминающими элементами продольных рядов выполнены щелевые отверстия 15 акустической развязки. Отверстия 15 позволяют поставить элементы 14 в одинаковые условия по электроакустическим преобразованиям, так как все элементы имеют одинаковы незакрепленные грани, и волна деформации при считывании начинает распространяться одновременно для всех элементов независимо от их местоположения . Кроме того наличие двух незакрепленных граней позволяет боле полно использовать энергию считывающего сигнала, т.е. получить выходной сигн ал большей амплитуды.

Устройство работает следующим образом.

Запись информации осуществляют подачей импульсного напряжения соответствующей полярности и. длительности на шину управления, например на шину 11. Шину 10 подкл|очают к общей точке устройства. На все остальные шины в режиме записи подают напряжения, исключающие ложную запись в нёвыбранных элементах. 8 пластины, шины управления второй группы нанесены на диэлектрический слой и соединены с соответствующими электродами записи-считывания через отверстия в электрическом слое, в сегнетоэлектрической пластине выполнены щелевые отверстия акустической развязки между с 1ежными парами электродов записи-считывания, а сегнетозлектрическая пластина установлена на демпфирующих опорах, закрепленных на диэлектрической подложке. На фиг. 1 показано сегнетоэлектрическое запоминающее устройство объемом 2x2 бита; на фиг. 2 - то же, разрез А-А на фиг. 1. Устройство содержит сегнетоэлектрическую пластину 1, диэлектрическую подложку 2, демпфирующие опоры 3 из диэлектрического материала, электроды 4-7 записи-сч.итывания, которые объединены шинами 8-11 управления. Шины 9 и 11 частично совмещены с протяженными диэлектрическими опорами 3. 8 и 10 проходят над электродами

3 11872184

При считываний информации напряже-появляются импульсы .

ние считывания поступает в одну изполярностью, зависящей от запис|ннои

шин 8, другие шины подключены к общейинформации.

точке устройства. В результате двои-«„„„«

ного -преобразования энергии - элект-5 Предлагаемое изобретение позволяет

рической в механическую и механи-существенно повысить надежност.ь|уст

ческой в электрическую, на шинах 11ройства.

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ЗАПОMHHAKffllEE УСТРОЙСТВО, содержащее диэлектрическую подложку, сегнетоэлектрическую пластину, пары электродов записи-считывания, компланарн нанесенных на обе стороны сегнетоТЕНИЯ электрической пластины, и.две гру шин управления, причем шины управ ления первой группы нанесены на одну сторону сегнетоэлектрической пластины и соответствующие электро записи-считывания, отличающее с я тем, что, с целью повышения надежности устройства путем уменьшения акустических помех, в него введендиэлектрический слой с отверЬтиями, нанесенный на другую сторону сегнетоэлектрической пластш шины управления второй группы нанесе на диэлектрический слой и соединены соответствующими электродами записисчитывания через отверстия в диэлектрическом слое,в сегнетоэлектрическо пластине выполнены щелевые отверстия акустической развязки между смежными парами электродов записи-считывания, а сегнетоэлектрическая пластина уста новлена на демпфирующих опорах, закрепленных на диэлектрической подложк

L

, „ ,-/.

/2

Л-.